碳纤维天线反射面成型模具设计

天线反射面是雷达、卫星通信系统的关键设备之一,它直接关系到接收、发射信号的质量和系统的稳定性。碳纤维具有耐腐蚀、高强度、比重轻、膨胀系数几乎为零的特性,因此在天线的材料选择上得到广泛应用。文中主要分析了天线反射面成型模具对反射面成型精度的影响,并且为不同精度要求的天线反射面选择了合理的成型设计方案。     

碳纤维喇叭天线制造工艺研究

喇叭天线是雷达系统中重要的功能件,碳纤维材料由于具有金属材料不具备的某些优异性能,在雷达系统中的应用越来越广泛。文中介绍了一种碳纤维喇叭天线的制造工艺过程,对喇叭天线原型结构的工艺改进设计满足碳纤维材料热压罐成型工艺和成型模具设计要求;成型模具结构设计满足零件尺寸精度、脱模以及零件批量生产要求;碳纤维喇叭天线表面金属化达到了金属层致密、均匀、光顺以及导电率指标。通过以上工艺过程研究,制造出满足指标要求的碳纤维喇叭天线,可为此类碳纤维喇叭天线制造提供工艺借鉴。     

高精度碳纤维反射器制造技术

碳纤维复合材料制件在雷达产品中的应用越来越广,文中介绍了一种获得毫米波高精度反射器的先进工艺方案。首先设计研制高精度母模和碳纤维复合材料模具,然后以该高精度复合材料模具为基础,筛选高性能、成型工艺性好的碳纤维预浸料,通过铺层设计、工艺参数优化等手段,采用热压罐法成型出高精度的碳纤维反射器,之后利用先进的真空镀膜金属化方法对反射器进行金属化。最后获得的Φ400 mm反射器的型面精度为0.039 mm,达到了毫米波的精度要求,其重量仅0.9 kg,较原铝反射器减重80%以上。     

“以赛促教、以赛促学”建筑设计类课程教学改革方法和思路分析

文章基于新时代背景下建筑学教学改革的背景介绍和现阶段设计竞赛对建筑学人才培养的价值研究,结合设计竞赛与教学改革,通过“昆工杯”设计竞赛的过程分析,探讨设计竞赛和课程教学的紧密关系,对“以赛促教、以赛促学”在建筑学教学中的应用前景提出展望。     

高密度聚氨酯泡沫塑料天线罩的研制

硬质聚氨酯泡沫塑料具有质轻、绝缘、隔热、透波的特点.文中介绍了具有优良介电性能、高密度聚氨酯泡沫塑料天线罩的研制情况.通过进行聚氨酯发泡料配方试验、耐候涂料选择、天线罩成型工艺研究,研制出结构强度高、介电性能优异、耐候性好的天线罩,满足产品使用要求.     

高铝质耐磨浇注料的研制

采用特级矾土熟料作为基本原料，添加不同比例黑SiC粉制成低水泥浇注料，通过对浇注料的物理性能分析，结果表明：高铝质浇注料的耐磨性与铝酸钙水泥特性有关，并且耐磨性与浇注料中加入的减水剂有关，同时随SiC加入量变化，高铝质耐磨浇注料的耐磨性在1100℃热处理后有波动，在1500℃热处理后耐磨性和热震稳定性有明显提高。     

昆明厂房类工业遗产保护与再利用

抗战时期的西南内陆城市昆明随着发达的工业文明的内迁,迎来了近代工业发展的高潮,建立起一大批先进的工业区,这些工业设施为昆明在新中国成立后继续大力发展工业奠定了坚实基础,在工业转型的今天成为一笔宝贵的工业遗产.通过对昆明厂房类工业遗产的梳理,基于其保护与再利用的现状,提出昆明厂房类工业遗产的保护策略.     

电化学传感器在食品分析中的应用进展

电化学传感器具有操作简便、成本低、检测周期短、灵敏度高、可实时检测等诸多优点,因而在食品分析领域得到广泛的应用。综述了近年来电化学传感器在食品添加剂、食品成分及有害物质检测中的应用,并且指出了目前研究中需要解决的问题并展望了未来发展方向。     

碳热还原法合成硼化锆粉体影响因素探究

以氧化锆(ZrO2)、硼酸(H3 BO3)和碳(C)粉为原料,研究了不同碳粉(活性炭、石墨)与前驱体粒度、温度及保温时间对碳热还原法制备硼化锆(ZrB2)粉体的影响.通过X射线衍射(XRD)分析合成粉体物相,扫描电镜(SEM)观察合成粉体形貌,并通过化学方法分析了合成粉体中的C、O含量.结果表明:以活性炭为碳源合成的粉体形貌呈条棒状,以石墨为碳源合成的粉体形貌呈规则的块状;合成粉体的粒度随前驱体粒度减小而减小,形貌由规则的块状逐渐转变为圆滑的不规则形貌,合成ZrB2粉体最小平均粒度约为1.69μm,产物中C含量随前驱体粒度减小而减少,O含量随前驱体粒度减小而增加,氧含量最低为0.54wt％;碳热还原法合成ZrB2粉体在1500℃下是可行的,但直到1900℃碳热还原反应合成ZrB2才进行完全;碳热还原反应合成ZrB2粉体最佳的反应条件为1900℃保温30 min.     

硅掺杂碳复合靶材的制备研究及溅射膜层生长形式分析

以石墨、碳化硅、硅粉体为原料，采用预处理工艺得到复合原料粉体，热压烧结制备C/Si 80/20 at%靶材。将制备的靶材在不同基片上溅射镀膜，分析薄膜的形貌及其生长模式。通过扫描电镜分析微观形貌、四探针测试电阻率、XRD结合拉曼光谱分析晶体结构，结果如下：（1）石墨和硅粉球磨混合48h可获得Si元素均匀分布的C/Si复合粉体；该粉体在1900 ℃下真空热处理时，C/Si通过互扩散生成等轴晶3C-SiC；（2）不同粒径的β-SiC粉体在1900 ℃真空热处理时，颈部生长速率和晶体结构转变存在显著差异。在高温下，纳米β-SiC粉体蒸汽压高，颈部增长速率快，通过蒸发-凝聚再结晶后可获得球形度良好的3C-SiC微米颗粒。（3）以C/Si/SiC 70/10/10 at%粉体为原料，采用球磨和高温真空热处理得到预处理粉体并热压制备C/Si 80/20 at%靶材，结果表明：与C/SiC 60/20 at%二元组分体系相比，三元组分预处理粉体制备靶材的均匀性好，平均电阻率3.9 mohm·cm，极差0.59，密度2.34 g/cm3，石墨化度0.17, 石墨晶体完整性好。（4）将制备的C/Si 80/20at%靶材分别在玻璃、硅片以及陶瓷基片上磁控溅射制备类金刚石薄膜，结果发现：在Si基体表面薄膜呈纵向生长模式，膜层微粒小于20 nm；在玻璃基体表面膜层呈层状生长模式且结合紧密；在陶瓷基体表面薄膜呈片状生长模式，膜层由微米级颗粒结合组成，与陶瓷基体的微观组织相似。