微波水热剥离制备高结晶六方氮化硼纳米片

简单高效的制备高结晶度的六方氮化硼(h-BN)纳米片一直是一个挑战性的课题。本文提出了一种采用微波水热剥离制备高结晶度的h-BN纳米片的方法。通过XRD、SEM、TEM、AFM和拉曼等表征手段证明了该方法的有效性,并表征了剥离制备纳米片的特性。借助于表征分析结果,提出了微波水热剥离制备氮化硼纳米片的机制,为应用于制备其他的二维材料奠定了基础。     

保温辅助法燃烧合成Ca-α-SiAlON:Eu~(2+)荧光粉

采用一种保温辅助(TIA)的燃烧合成工艺,高效、快捷地制备出了高性能Eu~(2+)掺杂的Ca-α-Si Al ON荧光粉。在传统的燃烧合成工艺的基础上,在反应物原料的外部包裹氮化硅保温层,显著阻碍了燃烧过程中的热量散失,使体系处于高温反应区的时间延长至原有工艺的3倍以上,从而促进了晶体的充分生长和发育。通过使用XRD、SEM、PL光谱等测试手段对产物进行全面分析,发现在使用了氮化硅保温层的样品中,产物为纯相的Ca-α-Si Al ON,颗粒的结晶良好,呈现等轴状形貌,粒径分布均匀。PL光谱测试表明,其在250~350 nm和350~450 nm区间内存在2个较宽的吸收带,在568 nm附近处有较强的黄光发射。包裹了氮化硅保温层后,产物的荧光性能有了明显改进,激发光谱和发射光谱的强度均有显著提高。     

无催化剂碳热还原法制备SiC@SiO2纳米电缆

SiC@SiO₂纳米电缆作为一种新型的功能性纳米复合材料, 以其优异的性能和广泛的应用前景受到了广泛关注。因此,开发一种有效、经济、方便, SiC@SiO₂纳米电缆的制备方法具有重要意义。本研究采用无催化剂的碳热还原法在1500 ℃的Ar气氛下, 通过加热硅粉和硅溶胶混合物从而快速高效地制备了SiC@SiO₂纳米电缆。该核壳的纳米电缆是由单晶β-SiC核心和无定形SiO₂壳组成, 其长度达几百微米, 直径为60~80 nm, 而且通过调节保温时间可以调控核壳的尺寸。结合实验数据并依据气-固(VS)机理解释了SiC@SiO₂纳米电缆的形成过程, 同时也进一步丰富了该生长机制, 为其工业化生产提供了参考。     

微-介孔复合孔结构二氧化硅干凝胶的制备及其物理化学性能的研究

采用改进的Stober法制备得到纳米二氧化硅溶胶颗粒,并在空气中对其干燥得到了具有微-介孔复合孔结构的二氧化硅干凝胶。通过粒度测试、TEM、SEM、XRD、FT-IR、PL光谱、N_2吸附-脱附等手段对产物进行全面分析,发现制备的二氧化硅溶胶颗粒平均粒度约23 nm,在乙醇溶液中具有良好的分散性;干燥后的二氧化硅干凝胶呈非晶状态,其表面存在着Si-OH和Si-OR基团。同时,在二氧化硅干凝胶的表面及内部存在着大量的缺陷,因此表现出光致发光性能:在?_(ex)=300 nm的激光的激发下,二氧化硅干凝胶发出紫外(?_(em)=355 nm)的荧光;在?_(ex)=380 nm的光的激发下则发出可见光范围(?_(em)=430 nm)的磷光。N_2吸附-脱附等温线的计算结果表明,二氧化硅干凝胶的比表面积S_(BET)=559m~2/g,孔容0.62 cm~3/g,产物内部同时存在大量微孔和介孔,是作为催化剂载体的理想替代材料。