低Sc含量BZSPTx高温压电陶瓷的结构和介温特性

为了降低BiScO3–PbTiO3高温压电陶瓷的成本,采用传统固相反应制备了低Sc含量的(1–x)(0.15BiScO3–0.85PbTiO3)–xBi(Zn1/2Ti1/2)O3(BZSPTx,x为摩尔分数)高温压电陶瓷,用X射线衍射、扫描电子显微镜和介温性能测试表征样品的微观结构、物相,结果显示:当x=0.075～0.125,BZSPTx陶瓷具有单一四方相钙钛矿结构,同时BZSPTx体系具有较大的四方畸变度(c/a>1.1)。介温性能测试表明BZSPTx体系可获得高于PbTiO3陶瓷的Curie温度(TC>520℃),其介温特性依赖于四方畸变程度;当Bi(Zn1/2Ti1/2)O3含量x为0.075时,BZSPTx陶瓷体系获得最大压电活性(d33=76 pC/N),同时具有较高的Curie温度(TC=536℃),该材料体系有望在航空航天、石油勘探和民用等领域的高温压电传感器中得到应用。     

以第一性原理研究立方相CeO2的弹性、电子结构和光学性质

运用基于密度泛函理论(DFT)框架下的超软赝势平面波(USPP)方法,计算了立方相CeO2的几何结构、弹性性质、电子结构和光学性质,并采用HSE06杂化泛函矫正了带隙.所得晶格参数及体模量与先前文献报道数据基本吻合.计算出了二阶弹性常数及德拜温度值,并给出了能带结构、态密度、差分电荷密度的分布情况.最后,为了阐明CeO2的光学跃迁机制,计算并分析了其复介电常数、折射率、吸附光谱、反射光谱等光学性质.     

潘家口水库浮游植物现状分析

2009年潘家口水库浮游植物的种类和密度监测结果表明,潘家口水库共鉴定出浮游植物8门37属,其中绿藻门种类最多为14属,优势类群非汛期以硅藻为主、汛期以蓝绿藻为主,其中9月份藻细胞密度达到最大值,优势种类主要为蓝藻门的假鱼腥藻,水库营养化程度发展为中—富营养,水资源保护势在必行。     

思茅引水工程二级泵站边坡稳定性分析及处理措施研究

边坡稳定性对水利工程的安全运行至关重要。以思茅引水工程二级泵站边坡稳定性分析为例,在详细分析泵站边坡地质条件基础上,以极限平衡理论为基础,利用等安全系数法得出边坡安全系数为0.986,并得到边坡最不利滑动面,通过有限元方法对该滑动面进行变形与应力分析,得到该边坡安全系数为1.07,最后提出边坡开挖与支护措施,可为此类工程设计和建设提供借鉴。     

海河流域限制排污总量分解方案的公平性研究

选用基尼系数作为指标,从人口、GDP、污水处理能力以及多年平均水资源量等多个角度分析了海河流域限制排污总量分解方案的公平性。结果表明:目前海河流域限制排污总量分解方案兼顾了各省经济社会发展情况与水资源开发利用状况,具有较好的公平性。     

多种天然矿物及其改性矿物的除藻效果研究

对多种天然矿物及其改性矿物的除藻效果进行了实验研究.结果表明,天然矿物及其改性矿物对藻类的去除率均随静置时间的延长而有不同程度的提高,在改性矿物投加量小于天然矿物投加量的情况下,前者除藻效果仍明显好于后者,且经济成本较低,具有大规模推广的可行性.     

漳河平原段生态修复模式的构建

针对漳河平原河段水量减少所引发的河道沙化、非法采砂等生态环境问题,提出了分阶段生态修复目标与近期修复布局。根据近期、中期、最终目标计算了生态需水量,重点提出了近期漳河平原生态修复措施,即"以绿代水"型生态修复,并依据低、中、高3种情景生态需水量提出了岳城水库生态水量调度建议。     

对高层住宅剪力墙结构设计的探究

剪力墙结构可以有效地抵抗风和地震等带来的水平作用力的伤害，防止结构剪切受到破坏，因此被广泛应用于现代的高楼大厦。但剪力墙结构自重大，墙和墙之间的间距很小。平面布置不是很灵活，因此用于大空间建筑工程中就会受到限制，因此，如何减轻墙体自重，并确保墙侧向刚度满足设计要求的情况下最大限度的增加剪力墙之间的距离愳为设计的重要问题。本文主要是从剪力墙结构分析、剪力墙结构设计的计算要点、剪力墙结构设计的构造要求等方面来迚行论证分析。     

基于BGSPT压电陶瓷的高温加速度传感器

研究了一种基于0.02BiGaO3-0.32BiScO3-0.66PbTiO3 (BGSPT66)压电陶瓷的高温加速度传感器.采用传统固相法制备了BGSPT66的压电陶瓷,其压电系数(d33)约为320 pC/N,居里温度(Tc)约为465℃;设计了以BGSPT陶瓷作为压电振子的垂压式加速度传感器,进行了灵敏度与温度稳定性依赖关系测试.实验表明,BG-SPT加速度传感器在20～200℃具有稳定的输出信号,相对灵敏度(S)约为18 mV·s2/mm,并有较好的低频稳定性.这种压电加速度传感器体积小,灵敏度高及温度稳定性好,有望在石油勘探和航空航天等相关领域获得应用.     

电化学Ta2O5薄膜漏电流机理的研究进展

介绍了阳极Ta2O5薄膜的电化学形成机理,并重点分析了电化学形成的Ta2O5薄膜漏电流机理的研究进展。描述了影响电化学Ta2O5薄膜生长的关键因素,包括氧含量、杂质缺陷和薄膜晶化等;分析了Ta2O5薄膜漏电流机理,如空间电荷限制电流(SCLC)、Fowler-Nordheim(F-N)导电机理、Pool-Frenkel(PF)发射、Schottky(S)发射等。最后展望了降低电化学Ta2O5薄膜材料的漏电流的理论及技术发展前景,Ta2O5薄膜后期的热处理、高分子增强塑性和复合薄膜技术等方面的新技术的应用将值得期待。