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1.
电容器级钽粉的生坯强度   总被引:1,自引:0,他引:1  
用电容器级钽粉压成活于制作于固体电解电容器阳极的坯块。压缩测定其生坯强度。研究了钽粉中非金属杂质的含量,钽粉的比表面积,存放时间,松装密度,钽粉粒度分布,颗粒开头及颗粒强度对生坯强度的影响。  相似文献   
2.
对分子束外延(MBE)自组织生长的InAlAs量子点材料进行了拉曼散射实验。结合原子力显微镜(AnD对量子点形貌观察的结果,分析了InAlAs量子点生长过程中尺寸、密度和均匀性的改变,并研究了三维岛的结构对拉曼谱线的影响。对InAlAs淀积厚度不同样品的拉曼谱分析表明,岛状结构的尺寸横纵比与类GaAsLO模和类AlAs LO模的半高全宽有密切关系。不同偏振下的拉曼实验证实了该结构中的光学声子在Z(X,X)Z偏振条件下为非拉曼活性。  相似文献   
3.
建立Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料的分子束外延生长热力学模型。该模型与实验材料InGaP/GaAs,InGaAs/InP及已发表的GaAsP/GaAs,InAsP/InP的数据吻合得很好。将晶格应变能△G及脱附对温度敏感这两个因素同时纳入热力学模型中,束流和生长温度直接影响合金组分,晶格应变能是合金组分的函数。热力学模型计算结果反映了束流和生长温度是生长过程中最主要的影响因素。讨论和分析了四元半导体材料InGaAsP/GaAs的热力学生长模型。  相似文献   
4.
原料粉体的质量已经成为制约金属3D打印发展的瓶颈因素。感应等离子体球化法制备所得的金属粉体材料具有球化率高、球形度高、杂质含量低和粒径可控等优点,是当前最有希望实现3D打印用高性能球形金属粉体大规模工业化生产的技术。本文阐述了感应等离子球化技术的工作原理、发展历程和技术特点,着重介绍了利用该技术制备钨、钼、钛等金属球形粉体的研究现状,在此基础上探讨了感应等离子球化技术函待解决的难点问题以及未来的发展趋势。  相似文献   
5.
采用固态磷源分子束外延技术在InP(100)衬底上生长了高质量的InP外延材料.实验结果表明InP/InP外延材料的电学性质与诸多生长参数密切相关.根据霍耳测量结果,对生长条件和实验参数进行了优化,在生长温度为370℃,磷裂解温度为850℃,生长速率为0.791μm/h和束流比为2.5的条件下,获得了厚度为2.35μm的InP/InP外延材料.在77K温度下,电子浓度为1.55×1015cm-3,电子迁移率达到4.57×104cm2/(V·s).  相似文献   
6.
本文首先剖析了国外钽电容器及钽粉的发展状况,指出,随着电子工业的飞速发展,片状钽电容器、钽粉工业也得到了长足的进步.从发展观点看,钽产品的市场前景可观;其次,本文总结分析了我国钽工业的技术产品发展现状及同国外的差距;最后,论述了促使我国钽工业技术进步,应重视的实际问题和该行业的任务。  相似文献   
7.
本文首先剖析了国外钽电容器及钽粉的发展状况,指出,随着电子工业的飞速发展,片状钽电容器、钽粉工业也得到了长足的进步,从发展观点看,钽产品的市场前景可观;其次,本文总结分析了我国钽工业技术产品发展现状及同国外的差距;最后,论述了促使我国钽工业技术进步,应重视的实际问题和该行业的任务  相似文献   
8.
利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs量子点的声子频率由于应变释放发生红移.在加入InAlAs应变缓冲层的样品中,类AlAs声子峰随L增大发生了蓝移,从侧面证实了InAs量子点层的应变释放过程.  相似文献   
9.
介绍了光抽运半导体垂直外腔面发射激光器的结构特点、设计原理及其性能优势,综合评述该领域的最新研究进展,并探讨该类型激光器的发展前景和技术发展方向.  相似文献   
10.
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