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1.
在对常规晶硅电池的性能测量过程中发现,在常温非聚光情况下,晶硅电池短路电流Isc与温度保持线性关系;但在高温低倍聚光情况下,短路电流Isc出现偏离线性的现象。使用双二极管的晶硅电池等效模型进行分析,简化短路电流表达式。在此基础上使用公式对Isc出现的偏离线性现象进行分析,指出并联电阻Rsh与串联电阻Rs的量级变化差别,引起Isc出现偏离线性,并据此定义了一个短路电流偏离线性系数αIsc。分析了短路电流偏离线性系数αIsc对Isc偏离线性的影响,在高温低倍聚光情况下,αIsc<1,晶硅电池的Isc出现明显下降。因此,在低倍聚光情况下,具有大并联电阻Rsh的晶硅电池,即αIsc≈1,能保证输出电流的稳定性。  相似文献   
2.
对定向凝固单晶高温合金空心叶片用SiO_2基陶瓷型芯的力学行为进行了研究,得到了烧结样品S0和热处理样品S1、S2和S3的强度、弹性模量、应力-应变关系等实验结果。基于Weibull分布统计使用M-C (Mohr-Coulomb)判据结合实验结果,建立了符合定向凝固高温合金空心单晶叶片用SiO_2基陶瓷型芯的连续损伤本构模型,并给出了确定相关参数的方法。结果表明,经过1500℃高温热处理的SiO_2基陶瓷型芯样品力学性能、烧结程度均有所提高。使用损伤量D结合连续损伤本构模型公式和微观裂纹形貌,阐述了SiO_2基陶瓷型芯裂纹扩展与宏观断裂的演变关系。  相似文献   
3.
使用有限元数值模拟和实验方法对DD6合金选晶器定向凝固过程的温度影响、晶粒组织以及晶粒生长进行了研究,结果表明温度场模拟与选晶器定向凝固过程的温度变化基本相符,晶粒组织生长的模拟能够反映晶粒竞争生长实际情况,与实验试样基本相一致。由于取向与温度梯度不一致晶粒的位置被取代,使得引晶段中的晶粒平均半径随着高度增加而增大,晶粒密度不断减少,两者有负指数关系。对比了螺旋段不同高度截面EBSD晶粒取向实验成像与晶粒模拟结果,组织模拟与实验结果较为吻合。通过分析螺旋通道中的晶粒竞争生长关系,位于螺旋通道内侧和上部的晶粒更具有位置优势,容易被选晶器选出。  相似文献   
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