CH4分子基态（X^1A1）的反应静力学构造

根据原子分子反应静力学基本原理，构造了由H(^2Sg)和C(^2Pg)生成CH4(X^1A1)的多个可能通道，并指出根据中间物质的分子态即可判断反应通道的存在与否。     

CH_4分子基态(~1A_1)的反应静力学构造

根据原子分子反应静力学基本原理,构造了由H(2Sg)和C(2Pg)生成CH4( X1A1)的多个可能通道,并指出根据中间物质的分子态即可判断反应通道的存在与否。     

汽车防雾反光镜的硬膜性能研究

介绍了汽车防雾反光镜的膜料选择和膜系设计原理，给出了实现反光镜膜层均匀性的实用装置，叙述了汽车防雾反光镜的制备工艺和性能，符合汽车防雾照明要求。     

化学气相沉积钨中氘热脱附特性的定量分析

利用不同升温速率的热脱附谱法(TDS)研究了化学气相沉积钨(CVD-W)经70 eV/D、1.3×10~(25) D/m~2的氘离子辐照后,样品中氘的热脱附特性。结果表明:在该实验条件下,CVD-W中氘滞留总量在10~(19) D/m~2量级;氘的脱附温度区间为400～800 K;脱附总量与升温速率呈负相关,且脱附温度区间会随着升温速率提高而向高温区漂移;CVD-W中氘的主要俘获位为位错或晶界,氘的脱附活化能为0.88 eV,缺陷激活能为0.81 eV。     

氘在钨铜复合材料中的渗透和滞留行为研究

对钨铜复合材料中的氢同位素渗透和滞留行为进行了研究,通过采用气体驱动渗透和热脱附谱测试获得了氘在钨及钨铜复合材料中的渗透率、扩散系数、溶解度及相关活化能数据,并对氘在钨铜复合材料中的渗透和滞留性能进行了分析。结果表明:1)氘在钨铜复合材料中的渗透率比在纯钨中大2～3个数量级;2)在钨铜复合材料中的扩散系数比在纯钨中大5～6个数量级;3)随着复合材料中铜的含量增加,氘的渗透率与扩散系数均呈现增大趋势;4)钨铜复合材料之间的相界面具有氘快扩散通道作用。氘在钨铜复合材料中的溶解度比起纯钨小很多,溶解激活能也更大,说明铜对氘在钨中的固溶可能具有减弱的作用,这与氘在钨铜复合材料中快速扩散的结论一致。在气相热充实验中,因为快速降温使钨铜复合材料中捕获的氘来不及释放,所以钨铜复合材料中氘的表观滞留量比纯钨高约1个数量级。     

CH4分子基态(～X1A1)的反应静力学构造

根据原子分子反应静力学基本原理,构造了由H(2Sg)和C(2Pg)生成CH4(~X1A1)的多个可能通道,并指出根据中间物质的分子态即可判断反应通道的存在与否.     

固体物理学教学改革与实践

由于固体物理学具有理论性强、抽象和科研活跃,学生学习时感到抽象难学的特点,本文对其教学内容、教学方法和教学手段等方面进行了探索性研究,以期找到在固体物理教学中取得良好效果的教学方法,寻找培养创新性人才的新思路和新方法,推动教学质量的提高。     

掺杂Y2O3对钨中氘渗透行为的影响

采用气相驱动渗透系统研究了纯钨和不同轧制比的W-Y_2O_3在不同温度下氘(D)的渗透行为,获得了纯钨和W-Y_2O_3中氘渗透率、扩散系数、溶解度及扩散活化能等定量数据。结果表明:缺陷密度和Y_2O_3掺杂对钨中氘的稳态渗透率没有显著影响;但Y_2O_3掺杂及轧制工艺会影响钨中氘扩散激活能和溶解热;元素掺杂及提高轧制比,促进了钨中氘的扩散,降低了氘在钨中的固溶度。