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重费米子体系可以通过维度等调控手段来展现出丰富而有吸引力的量子基态。首次通过分子束外延技术在石墨烯/6H-SiC(0001)衬底成功制备了高质量的USb2薄膜。结合反射式高能电子衍射、X射线衍射、电输运和X射线光电子能谱测量,证明了所制备的USb2薄膜是高质量的单晶薄膜。此外,利用扫描隧道显微镜和角分辨光电子能谱对USb2薄膜的表面形貌、原子结构和能带结构进行了表征。结果显示,生长的USb2薄膜的表面原子结构、电输运性质和能带结构与块体USb2单晶相似。最后,高质量USb2薄膜的成功制备和表征为未来通过生长理想厚度的超薄膜在低维铀基重费米子系统中探索奇妙性能提供了宝贵的实验经验。  相似文献   
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