破伤风抗毒素间接ELISA检测方法的建立及应用

目的建立检测破伤风抗毒素(TAT)效价的间接ELISA法,并进行初步应用。方法用方阵滴定法确定包被抗原和待检血清的最适工作浓度,并对各种反应条件进行优化,建立间接ELISA法。用建立的间接ELISA法检测3批TAT效价,并与小鼠中和试验法检测结果进行比较。结果建立的间接ELISA法的最适反应条件:抗原最适包被质量浓度为1.2μg/m L,血清最佳稀释浓度为400 m IU/m L;抗原与待检血清作用时间为45 min,加入酶标二抗后作用时间为60 min;抗原最适包被缓冲液为0.05 mol/L p H 9.6碳酸盐(CBS)缓冲液,4℃包被12 h;封闭液为30%BSA(5%蔗糖和5%乳糖);酶标二抗最适工作浓度为1∶8 000。3批TAT间接ELISA法效价检测结果与小鼠中和试验法效价检测结果相比,差异无统计学意义(P均0.05)。结论建立的间接ELISA法具有较高灵敏度,可用于TAT效价的检测。     

KOH改性生物炭修复As污染土壤的最佳环境条件研究

基于调控环境因子来探寻KOH改性生物炭在最适环境条件下对As污染土壤的修复效果。结果表明:KOH改性生物炭修复土壤中总砷的最适pH=7.5;适含水率为20%～25%;最适温度为20℃～30℃;最适有机质含量为16g/kg～28g/kg;最适全氮含量为0.85g/kg～1.25g/kg。     

以人为本 强化文明施工

以人为本强化文明施工高建军刘来景（中建一局集团公司）庄胜广场工程是一座集商场、宾馆、娱乐、写字楼为一体的综合性工程，建筑面积３６万ｍ２，位于北京市宣外大街，地处繁华闹市。工程于１９９５年２月开工，在开工伊始，承包此项工程的中建一局北京分公司就提出：在...     

远程空空导弹制导与控制技术

远程空空导弹采用复合制导技术,使用组合导航系统、数据链和多种导引头,以及包括气动控制舵在内的多种控制技术。讨论了远程空空导弹制导与控制技术,列举了有代表性的中远距空空导弹使用的制导与控制技术。     

浅谈仪器设备校准证书确认中预期使用要求的确定

正依据ISO/IEC 17025:2017《检测和校准实验室能力的通用要求》和RB/T 214-2017《检验检测机构资质认定能力评价检验检测机构通用要求》标准规定,开展仪器设备校准证书确认时[1],仪器设备的预期使用要求是进行证书确认的重要评判依据。1预期使用要求的用途检测实验室仪器设备的预期使用要求主要用于以下几方面:(1)作为该仪器设备是否可以用于开展相应参数检测活动的判定依据。为满足开展相应参数检     

硅橡胶在太阳能光伏组件领域的应用

概述了太阳能光伏产业的发展现状,以及光伏组件在电站和建筑上的应用,分析了有机硅密封胶在光伏组件上的应用现状,介绍了光伏组件框架和背板接线盒粘接密封以及接线盒灌封的技术要求,市场上常见有机硅密封胶和灌封胶的性能,展望了有机硅密封胶和灌封胶在光伏行业的应用前景。     

还原气氛下渣-锍两相平衡反应

通过考察还原气氛下熔渣与锍相之间的平衡情况,研究了渣-锍两相反应的影响因素及机理,探讨了还原产物的分配规律。结果表明,熔渣碱度提高有利于锍相还原反应的进行,添加CaS抑制锍相的还原。由于锍相成分及密度不同出现分层现象,造成锍相在熔渣中的夹杂损失。CaS与金属铁具有互斥性,当熔渣中CaS质量分数超过0.9%之后,渣相中几乎没有金属铁的存在;在选取的实验条件下,CaS在渣、锍两相的平衡分配比维持在0.5左右。     

立式螺纹锁紧环换热器拆卸存在问题及对策

螺纹锁紧环换热器作为一种特殊U型管换热器,具有结构紧凑、耐高温、耐高压等特点,若运行过程中出现泄漏,可通过紧固内、外圈压紧螺栓的方式来达到密封效果,故被许多煤化工企业的高压加氢裂化装置广泛采用。但由于管箱结构复杂,设备检修时,螺纹锁紧环的拆卸需要使用厂家设计的专用工装,且由于壳程介质容易结焦,给管束的起吊带来很大困难。     

氯化银比浊法测定水样中氯离子

目的建立氯化银比浊法测定水样中氯离子的方法。方法用硝酸调节溶液pH,加入硝酸银溶液,使之与氯离子反应,生成氯化银悬浊液,利用分光光度法测定吸光度,通过工作曲线确定浓度。结果氯离子浓度为0～6μg/mL时线性方程为Y=0.0473X-0.0004,相关系数为0.9995,线性关系较好,相对标准偏差为2.0%,回收率范围为96.89%～108.25%。结论此方法检测效率高,适合测定氯离子含量较小的样品。     

基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术

STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。