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1.
2.
采用水热法制备钛酸盐纳米棒,在300、500和700℃下煅烧得到了TiO2纳米棒。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜及X-射线衍射法对所得样品进行了结构表征。将所得TiO2纳米棒作为光阳极组装成染料敏化太阳电池。电流-电压曲线测试表明700℃烧结所得样品的光电性能最优。采用电化学阻抗谱(EIS)、强制光电流谱(IMPS)和强制光电压谱(IMVS)进一步研究TiO2膜电极的动力学过程。结果显示,700℃烧结所得样品制作的电池较其它温度的电池具有更低的电荷转移阻抗、更短的电子转移时间和更长的电子寿命,暗示了其优良的电子传输动力学性能以及更高的电荷收集效率。 相似文献
3.
4.
结合具体的工程实例,分析了射线检测室电气设计的特点,介绍了其供配电系统、照明系统、防雷接地系统和弱电系统设计的依据、原则和方法,为各种射线检测装置系统的电气设计提供了参考. 相似文献
5.
衬底对PECVD法生长氢化纳米硅薄膜的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)法,在玻璃和单晶Si衬底上分别制备了氢化纳米硅薄膜,对在相同工艺条件下的薄膜进行了对比研究,即用Raman散射谱研究了薄膜的晶粒平均大小和晶态比;用台阶仪测试了薄膜厚度;用X射线衍射谱和原子力显微镜对薄膜微结构和形貌进行了对比研究,发现所制备薄膜的微观结构有很大的差异。相同工艺条件下,在玻璃衬底上生长的薄膜,表面粗糙度小于单晶Si衬底上的薄膜,而晶化程度低于单晶Si衬底。掺杂使微结构发生了变化,掺P促进晶化,掺B促进非晶化,对此实验结果给出了定性的分析。 相似文献
6.
利用微弧氧化法在纯钛TA4表面制备以Ti O2为主体富含钙磷的多孔陶瓷膜层。采用扫描电镜、X射线能谱仪、X射线衍射仪、拉曼光谱仪、接触角测量仪及电化学工作站观测与分析陶瓷膜层的微观形貌、元素成分及相组成,探讨微弧氧化对其润湿性及耐蚀性能的影响。结果表明,TA4微弧氧化陶瓷膜层表面粗糙多孔,为锐钛矿相与金红石相Ti O2的混晶结构,金红石相的质量分数约为74.39%。TA4经微弧氧化改性后,表面粗糙度增加了1个数量级,接触角明显下降,表面能提高了87.05%,极性力分量增加了166.07%,体现出更好的润湿性能;自腐蚀电位正移0.53 V,腐蚀电流密度与腐蚀速率均减少了3个数量级,表现出更优的耐腐蚀性能。 相似文献
7.
使用等离子体增强化学气相沉积方法制备了一组磷掺杂氢化硅基薄膜。I-U曲线显示薄膜与铝电极形成了良好的欧姆接触。霍尔测试结果表明该组样品为轻掺杂;利用拉曼光谱和紫外一可见吸收光谱对薄膜的微结构和光学带隙进行了表征,并从薄膜能带结构出发探讨了形成欧姆接触的原因。 相似文献
8.
Diamond-like carbon (DLC) film composed of microscopically insulation but microscopically a mixture of conducting (sp^2) and insulating (sp^3) phases was discussed on the local modification with a conductive atomic force microscope (C-AFM). Especially, a topographic change was observed when a direct current (DC) bias-voltage was applied to the DLC film. Experimental results show that a nanoscale pit on DLC surface was formed when applying a positive 25 V on DLC film. According to the interacting force between CoCr-coated microelectronic scanning probe (MESP) tip and DLC surface, as well as the Sondheimer oscillation theory, the “scalewing effect“ of the pit was explained. Electromechanical coupling on DLC film suggested that the depth of pits increased with an increase of load applied to surface when the cantilever-deflected signal was less than a certain threshold voltage. 相似文献
9.
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