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1.
利用低温燃烧法合成出了平均粒度为100 nm的AlN粉末,将合成的粉末采用放电等离子(SPS)技术进行低温强化烧结,研究Y2O3对烧结过程以及烧结试样特性的影响.XRD进行物相分析,SEM观察断口形貌,排水法测烧结试样的密度,激光闪光法测烧结试样的热导率.实验表明采用低温燃烧法合成出的AlN粉末具有非常好的烧结性能,采用SPS烧结技术,40 MPa压力下,在1600℃保温4 min,就能得到非常致密的AlN陶瓷;Y2O3对纳米AlN粉末在SPS低温强化烧结过程仍有促进作用,使试样在更低的温度下烧结致密,并且晶粒更细小,从而热导率也较低;加入Y2O3的烧结试样晶界强度增加,断口中有较多的穿晶断裂形式,而不加入Y2O3的烧结试样主要以沿晶形式断裂.  相似文献   
2.
MoSi2具有良好的高温抗氧化性,但是低温容易发生“粉化瘟疫”现象。首先介绍了MoSi2及其复合材料低温“粉化瘟疫”的现象和机理,提出了预防“粉化瘟疫”的方法,然后介绍了MoSi2基复合材料的高温抗氧化性能以及抗高低温循环氧化的能力。总结认为低温加速氧化是MoSi2的本质现象,而“粉化瘟疫”不是MoSi2的本质现象。  相似文献   
3.
以自蔓延法合成的AlN粉末为原料,加入5%Y2O3为烧结助剂,选用PW∶PP∶SA=60∶35∶5的粘结剂体系,以注射成形的方法制备了具有高热导率的、形状复杂的AlN陶瓷制品。脱脂采用溶剂脱脂与真空热脱脂相结合的工艺,脱脂后的坯体在高温碳管炉中流动N2气氛下进行烧结。利用XRD进行物相分析,SEM观察断口形貌,排水法测烧结试样的密度,激光闪光法测烧结试样的热导率。结果表明:当烧结温度在1850℃,保温4 h,得到致密度为3.28 g.cm-3,热导率为200 W.m-1.K-1的AlN陶瓷制品。AlN中的晶界第二相主要为Al2Y4O9。  相似文献   
4.
关于我国矿产资源利用现状及未来发展的战略思考   总被引:9,自引:1,他引:9  
矿产资源是社会经济发展的重要物质基础,阐述了我国矿产资源的开发利用现状及存在的问题,分别从社会发展阶段、国家整体科技水平和我国矿产资源分布特点三个方面分析了导致矿产资源不合理开发利用的客观原因,最后提出要站在战略的高度,坚决关闭小矿山,保护环境,完善矿业法律制度,加快技术进步,实施全球战略,树立矿业强国的思想,从而确保我国矿产资源的可持续发展。  相似文献   
5.
以Ti和Al 2种粉末为原料,采用粉末压制-无压烧结技术制备了TiAl多孔材料,并对其宏观形貌、相组成、孔结构、反应机制和孔隙形成机理进行了分析。结果表明:Ti-Al粉末压坯在烧结过程中发生了明显的体积膨胀,多孔材料的总孔隙率为49.88%~57.53%,开孔率为47.60%~56.15%。多孔材料主要由连续的颗粒骨架、骨架之间的大孔隙和骨架内部的小孔隙构成,孔隙主要来自粉末压坯颗粒之间存在的原始大孔隙、无压烧结过程中先熔化的Al颗粒在毛细作用下发生流动形成的原位大孔隙和析出过程在Ti-Al产物颗粒之间形成的小孔隙。Ti-Al多孔材料主要由TiAl3单相构成,无压烧结过程中Ti-Al之间发生了热爆反应。  相似文献   
6.
介绍了二硅化钼发热元件的特性;比较了挤压成形和高温热弯成形工艺的特点,指出高温热弯成形更容易获得形状复杂的元器件;综述了二硅化钼发热元件的多样性,着重阐述了螺旋形和处理半导体制品专用快速热处理炉、扩散炉和CVD炉的复杂形状二硅化钼发热元件;论述了二硅化钼发热元件未来的发展趋势。  相似文献   
7.
以Mo、Al、Si和Mo O_34种粉末为原料,通过燃烧合成和真空热压烧结工艺原位制备了(Si_(1-x)Al_x)_2/Al_2O_3复合材料,分析了其燃烧模式、产物相结构、微观组织和力学性能。结果表明:添加Al之后坯体的燃烧合成反应更加剧烈,燃烧模式由螺旋模式转入混沌模式。随着合金化Al含量的增加,基体相结构由C11_b型Mo Si_2转变为C40型Mo(Si,Al)_2,并且在所有复合材料中都可以鉴别出Al_2O_3衍射峰,表明通过燃烧合成技术原位制备了Mo(Si_(1-x)Al_x)_2/Al_2O_3复合材料。复合材料的断裂韧性和抗弯强度最高分别达到4.25 MPa·m~(1/2)和346 MPa,比纯Mo Si_2提高了39%和60%。复合材料的强韧化机制主要有Al合金化强韧化、Al_2O_3第二相颗粒弥散强韧化、玻璃相的消除以及断裂方式的转变。  相似文献   
8.
MoSi2基复合材料的高温裂纹自愈合行为   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用X射线衍射、扫描电镜和三点弯曲强度测试方法研究MoSi2基复合材料Viekers压痕裂纹试样的高温裂纹自愈合行为和强度的变化.结果表明:Viekers压痕在材料表面造成明显裂纹并引起强度的急剧衰减.经过1500℃保温1h处理,在材料表面形成一层SiO2玻璃膜,材料表面的裂纹表现出良好的自愈合性能,抗弯强度恢复到345.3MPa.裂纹自愈合机理主要是高温下原子扩散作用引起的裂纹钝化和裂纹面的连接,另外材料表面SiO2玻璃层的形成也将促进表面缺陷和微裂纹的愈合.裂纹愈合是强度恢复的主要原因,而热处理对裂纹附近应力的松弛作用和表层压应力的形成也都有利于材料强度的提高.  相似文献   
9.
Kanthal MoSi2 发热元件的组织结构和性能   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用XRD、SEM和EDS等分析了KanthalMoSi2发热元件的微观组织结构和性能。结果表明:其主要组成为MoSi2、铝硅酸盐玻璃相和Mo5Si3;断裂以沿晶断裂为主,并具有一定的解理特征;基体晶粒大小约为9μm,在基体晶粒之间分布着大小不等、呈岛状的黑色物相。MoSi2发热元件表面有一层20μm厚,以SiO2为主,包含少量Al、Ca、Mg、Fe、Na和K的氧化物的玻璃保护膜,保护膜比较均匀平整,和基体之间界面清晰,二者结合紧密,因此具有比较高的物理和力学性能。  相似文献   
10.
采用正交试验方法研究了镀液组成对氮化铝(AIN)陶瓷表面化学镀铜镀速和表面粗糙度的影响.经过直观分析和方差分析,评价了各组分对化学镀影响的显著程度,优化了镀液组成.试验结果表明,CuSO_4·5H_2O和Na_2EDTA对镀速有显著影响;KNaC_4H_4O_6、CuSO_4·5H_2O和Na2EDTA对镀后表面粗糙度有显著影响;AIN陶瓷表面化学镀铜液的最优工艺参数为:CuSO_4·5H_2O 24 g/L,Na_2EDTA 30 g/L,KNaC_4H_4O_6 20 g/L和HCHO 15 mol/L.在最优工艺条件下,镀速为7.350 μm/h,镀后表面粗糙度为1.03 μm,所得镀层表面平整,铜晶粒大小均匀.  相似文献   
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