全文获取类型
收费全文 | 87篇 |
免费 | 14篇 |
国内免费 | 8篇 |
专业分类
电工技术 | 9篇 |
综合类 | 6篇 |
化学工业 | 14篇 |
金属工艺 | 7篇 |
机械仪表 | 8篇 |
建筑科学 | 9篇 |
矿业工程 | 1篇 |
能源动力 | 3篇 |
轻工业 | 2篇 |
水利工程 | 2篇 |
石油天然气 | 1篇 |
无线电 | 24篇 |
一般工业技术 | 11篇 |
原子能技术 | 1篇 |
自动化技术 | 11篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 5篇 |
2022年 | 12篇 |
2021年 | 5篇 |
2020年 | 8篇 |
2019年 | 9篇 |
2018年 | 5篇 |
2016年 | 7篇 |
2015年 | 5篇 |
2014年 | 5篇 |
2013年 | 4篇 |
2012年 | 4篇 |
2011年 | 6篇 |
2010年 | 4篇 |
2009年 | 4篇 |
2008年 | 6篇 |
2007年 | 9篇 |
2006年 | 4篇 |
2004年 | 1篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 1篇 |
2000年 | 1篇 |
1999年 | 1篇 |
排序方式: 共有109条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
将钢渣助磨剂与钢渣进行混合后,利用行星式球磨机进行粉磨得钢渣超微粉并且对其进行物性分析.利用激光粒度分析仪测定钢渣超微粉的粒径分布d90、d50和d10,并且计算出钢渣超微粉的粒度分布宽度比系数Z和粒径分布宽度H.研究溶质浓度、分散剂加入量、超声功率和超声分散时间对钢渣超微粉粒径分布与均匀程度的影响.结果表明:钢渣超微粉的化学成分与物相组成复杂,存在极性物质与胶凝活性物质,易形成具有吸附性的多孔结构.钢渣超微粉的最佳分散条件:分散介质为无水乙醇、溶质(钢渣超微粉)浓度为3.0 g/L、分散剂(PVP K30)加入量为2.5%、超声功率为500 W、超声分散时间为45 min.以钢渣超微粉最佳分散条件对钢渣超微粉的粒径分布与均匀程度进行重复性测试,其测试结果具有良好的重复性. 相似文献
2.
各向同性的非晶无机固态电解质具有机械性能好、安全性高、工作温度范围宽以及对金属锂稳定等优点,应用于全固态锂电池可使其具有超长的循环寿命,相对于晶态电解质具有不同的特点和优势,已经成为了固态电池领域的研究热点之一。然而离子电导率较低的缺点限制了其应用范围。介绍了非晶无机固态电解质的锂离子传输机制及导电特性、典型非晶电解质材料的研究进展以及非晶–结晶复合电解质的设计,并针对非晶无机固态电解质的产业化应用现状进行了总结,对未来非晶无机固态电解质的发展及应用前景进行了展望。 相似文献
3.
4.
采用极化曲线、电化学阻抗谱、扫描电镜和能谱分析,研究合成的3-吡啶-4-氨基-1,2,4-三唑-5-硫酮席夫碱及其复配物硝酸铈在质量分数为3.5%NaCl溶液中对1060纯铝的缓蚀作用。结果表明:在293 K时席夫碱可有效抑制纯铝在3.5%NaCl溶液中的腐蚀,当席夫碱浓度为0.4 g.L-1时缓蚀率最高,可达76.0%。席夫碱为混合型缓蚀剂,其在1060纯铝表面的吸附符合Langmuir吸附模型,且同时存在物理吸附和化学吸附。0.2 g.L-1席夫碱与0.03 g.L-1硝酸铈复配缓蚀率可达88.2%,二者具有协同缓蚀作用。 相似文献
5.
孙硕 《电视字幕·特技与动画》2016,(1):92-96
索尼的PMW-F55作为4K摄像机的代表,他拥有一个4K超级35mm等效单芯片CMOS图像传感器,其像素为1160万,有效像素数为890万,用于4K/HD记录.凭借其14光圈值的曝光宽容度,展现了在黑色区域的超低噪声和非凡的低光照灵敏度,从暗部到高亮度层次完美呈现、更大的后期制作空间.宽色域及电影伽马,适用于需要进行精细后期调色工作的电影及电视制作流程.F55所拍摄出来的画面充分体现了4K图像高分辨率、高动态范围、高帧率的特点. 相似文献
6.
孙硕 《电视字幕·特技与动画》2011,(6)
读完《极限摄录的终极体验》后,我想结合本人拍摄工作经验,谈谈关于延时和间隔拍摄:关于延时拍摄:1、电视摄像机延时拍摄的原理是:拍摄时摄像机先将带长5秒的素材记录在图像缓存板上,之后再一起转录到磁带上;所以要在拍摄中保持电池电量充足,防 相似文献
7.
本文首先介绍了目前国际上具有代表性的可信网络接入技术,之后概述了一种可信网络连接架构——TCA,并在该架构上提出了一种可以实现的连接模型。 相似文献
8.
以玻璃为衬底,室温条件下采用直流磁控溅射技术制备了Glass/Al/a-Si样品.在H2,N2和空气3种不同气氛中进行了退火处理.分别采用XRD,Raman光谱和SEM研究了退火气氛对a-Si薄膜销诱导晶化(AIC)过程的影响.XRD实验结果表明:a-Si薄膜在H2气氛中400℃下经过90min的退火处理就能得到结晶较好的poly-si薄膜.Raman光谱实验结果表明:在500℃下退火处理,相同时间内H2气氛中a-Si结晶程度最好,空气气氛中结晶程度最差.这是因为高温H2退火过程中,高活性H原子能将弱的Si-Si键破坏,并与之反应形成强Si-Si键,使得薄膜结构更加稳定有序,同时能加速薄膜中氧的外扩散,促使薄膜晶化. 相似文献
9.
10.