基于电介质击穿理论的异质铝合金搅拌摩擦焊接件整体等离子体氧化研究

目的基于电介质击穿理论,从本质上研究异质金属表面整体氧化过程中的反应机理。方法根据已有的实验基础,在单独的铝合金材料表面和异质铝合金焊接件表面制备一层整体等离子体氧化膜。通过电介质击穿实验,对异质金属整体等离子体氧化过程中存在的时序性和选择性机理进行验证。并基于电介质击穿理论,深入分析不同材质表面固态电介质击穿机理,进而研究异质金属表面整体陶瓷膜生长机理。结果不同材质的物理/化学活性影响等离子体氧化过程,化学活性高的金属优先发生陶瓷化反应,进而引起陶瓷膜的非平衡生长。结论异质金属整体等离子体氧化过程中存在时序性与选择性,这种时序性与选择性与材料的化学活性有关。     

块体非晶连接现状及其电阻点焊的连接优势

综述了近几年来块体非晶连接的研究现状,包括同种或异种非晶的连接,以及非晶与金属晶体的连接。评述了液相连接与超冷液相连接各自的局限性及其成功连接的关键因素。对电阻点焊连接块体非晶的可行性及其连接优势进行了分析,并对今后块体非晶连接的研究和发展进行了展望。     

搅拌摩擦焊的研究现状及前景展望

对搅拌摩擦焊的研究现状作了介绍,总结了其问世以来20年的研究成果,涉及焊接材料、材料的塑性流动机理、焊接工艺参数、数值模拟、焊接设备及搅拌摩擦焊的新技术几方面,并对未来的研究方向作了探讨。     

AZ31B镁合金挤压管材快速微弧氧化工艺

以AZ31B挤压镁合金为研究对象,探讨了快速微弧氧化工艺对氧化膜质量的影响。结果表明,采用简单电解液配方、大电流密度、短时间的工艺参数,可实现AZ31B挤压镁合金管材的快速微弧氧化处理。粗糙的基体表面能实现自平整,氧化膜呈现规则致密的火山口形貌。此外,该工艺氧化处理时间相比传统工艺缩短到2~3 min,可获得6μm以上的氧化膜层。     

AZ31B镁合金/6061铝合金异质金属连接件整体微弧氧化膜的制备及其结构

对AZ31B镁合金和6061铝合金异质金属铆接件进行了微弧氧化,研究了不同时间微弧氧化膜的微观形貌、物相组成、电化学性能、硬度等,对比分析了微弧氧化过程中镁合金、铝合金表面氧化膜的形成过程。结果表明:经过10min的微弧氧化后,该连接件整体被氧化膜包裹,氧化膜与2种合金基体均紧密连接,且均由致密层和疏松层组成;镁合金表面氧化膜主要由MgO、少量硅酸盐和氟化物组成,而铝合金表面氧化膜主要由Al_2O_3及少量硅酸盐组成;微弧氧化提高了连接件中镁合金、铝合金的腐蚀电位,降低了二者的腐蚀电位差,有效缓解了电偶腐蚀的发生。