掺氮TiO_(2-x)N_x薄膜托槽的制备及其性能研究

利用射频磁控溅射制备了氮掺杂TiO2-xNx薄膜托槽,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等测试手段表征了托槽表面薄膜的结构、形貌,并通过原子力显微镜(AFM)、多功能材料表面试验仪等研究了TiO2-xNx薄膜与基底托槽的附着力、TiO2-xNx薄膜托槽的表面粗糙度以及表面摩擦系数。结果表明制备的托槽表面为均一的锐钛矿相结构TiO2-xNx薄膜,晶粒粒径为30nm,纳米TiO2-xNx薄膜托槽表面致密、平整,薄膜与托槽衬底结合紧密、附着性好,托槽表面粗糙度降低,摩擦系数变小,改善了托槽表面性能,为抗菌性研究奠定了基础。     

Ⅱ-Ⅵ族化合物(Hg_(1-x)Cd_xTe)非晶薄膜的半导体性质

本文对用蒸发法制备的非晶和多晶碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)薄膜的结构特性及其光学和电学性质进行了研究。在800—2600nm的波长范围内测量了样品的透过率,得到了非晶和多晶状态相应的光学隙分别为1eV以上和0.65eV左右。对非晶样品的退火实验发现,在90—100℃区间退火使非晶样品的结构转变为多晶,同时电阻率突然变小约5个数量级和光学隙由1eV以上突变为0.62eV左右。在20—300K的温度范围内,分别测量了非晶与多晶样品的电阻率,所得结果可用现代非晶半导体理论进行解释。     

新型半导体清洗剂的清洗工艺

报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果.采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时,首先需用HF稀溶液浸泡硅片,以利于将包埋于氧化层内的金属和有机污染物去除;溶液的配比浓度由临界胶束浓度和硅片表面的污染程度确定,要确保清洗过程中溶液内部有足够的胶束存在,一般DGQ -1、DGQ-2的配比浓度在90%到98%之间;当温度接近表面活性剂溶液的浊点温度时,增溶能力最强,因而清洗液的温度定在60℃.     

清洗后硅片表面的电子结构

介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗工艺。利用红外吸收谱、X射线光电子谱和原子力显微镜等 ,把它和标准 RCA清洗工艺的清洗效果做了比较。测试结果表明 ,经清洗过的硅片表面主要是由硅、氧和碳三种元素组成 ,它们分别以 Si-O键、C-O键和 Si-C键的形式存在。两种清洗技术都在硅片表面产生氧化硅层 ,在硅片表面都存在有机碳污染 ,但新型半导体清洗工艺产生的有机碳污染少于标准 RCA清洗。在对硅片表面的粗糙化影响方面 ,新型半导体清洗技术清洗明显优于标准 RCA清洗技术     

TiO_(2-x)N_x薄膜托槽的摩擦性能研究

通过射频磁控溅射法,在不锈钢金属托槽表面制备了不同厚度的TiO2-xNx薄膜。薄膜的晶体结构,表面形貌和表面粗糙度分别通过X射线衍射、扫描电子显微镜和2206型表面粗糙度测量仪分析。通过14FW往复摩擦磨损测试仪考察薄膜托槽体外摩擦性能。结果显示,所制备的纳米TiO2-xNx薄膜为锐钛矿型,结构均匀致密。不同厚度的TiO2-xNx薄膜托槽的动、静摩擦系数不论干燥或湿润条件下均小于对照组。在同一湿性环境下,随薄膜厚度增加TiO2-x Nx薄膜托槽摩擦系数呈递减趋势。TiO2-xNx薄膜托槽表现出了良好的低摩擦性能。     

新型半导体清洗剂的清洗工艺

报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果.采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时,首先需用HF稀溶液浸泡硅片,以利于将包埋于氧化层内的金属和有机污染物去除;溶液的配比浓度由临界胶束浓度和硅片表面的污染程度确定,要确保清洗过程中溶液内部有足够的胶束存在,一般DGQ -1、DGQ-2的配比浓度在90%到98%之间;当温度接近表面活性剂溶液的浊点温度时,增溶能力最强,因而清洗液的温度定在60℃.     

掺氮TiO_(2-x)N_x薄膜托槽的细胞相容性研究

采用射频磁控溅射法在普通MBT直丝弓金属托槽表面制备了锐钛矿相掺氮TiO2-xNx薄膜,通过MTT比色法、细胞形态学观察、扫描电镜及荧光染色法评价薄膜托槽的细胞学性能。结果表明,掺氮TiO2-xNx薄膜托槽的细胞毒性为0级,与对照组相比,薄膜托槽组细胞的相对增殖率差异无统计学意义(P0.05);扫描电镜图像显示细胞在薄膜托槽表面贴壁生长良好;荧光显微镜观察显示粘附在材料表面的细胞其细胞核呈亮黄绿色荧光,细胞质呈绿色荧光,细胞生长良好。由此证明掺氮TiO2-xNx薄膜托槽具有良好的细胞相容性。     

激光表面强化对镁合金在模拟体液中腐蚀行为的影响

目的通过对镁合金表面进行激光强化处理,改善医用AZ91D镁合金在模拟体液中的耐腐蚀性能。方法采用不同脉宽的Nd:YAG脉冲激光对医用AZ91D镁合金表面进行处理,激光能量密度分别为28、23、18 J/mm~2,对激光处理后镁合金强化层的组成、显微结构、厚度、元素分布以及耐腐蚀性能等进行测试和分析。结果 AZ91D经过激光强化处理后形成致密的强化层,强化层中相的组成与基材相的组成相同,均由α-Mg和β-Mg_(17)Al_(12)组成,强化层的厚度达到300μm。Mg和Mg_(17)Al_(12)的X射线衍射峰均向低角度偏移(约0.2°),且镁合金表面晶粒均得到细化,β相的大小从平均55.705μm减小到平均6.447μm。EDS分析表明,经过激光处理后,Mg的质量分数由82.88%减少为70.13%,Al的质量分数由16.28%增加为28.08%,且Al的分布更均匀。激光处理后,镁合金在模拟体液中的电化学测试结果表明,镁合金的腐蚀电位从原来的-1274mV增加到-1215 mV,腐蚀电流密度从8.920×10~(-5) A/cm~2减小为8.826×10~(-6) A/cm~2,同时,阻抗也从原来的1000Ω增加到60 000Ω,可知激光强化镁合金的耐腐蚀性能较原始镁合金的耐腐蚀性能均有一定程度的改善。结论医用AZ91D镁合金在不同脉宽的Nd:YAG脉冲激光处理后,表面晶粒得到了细化,强化层中富集Al,在模拟体液中的耐腐蚀性能得到改善。     

TiO_2/石墨烯复合材料的制备及其细胞相容性

以氧化石墨烯和TiCl3为原料制备了不同氧化石墨烯(GO)含量的TiO2/GSs(Graphene Sheets)纳米复合材料,通过TEM,XRD,XPS和EDX对其形貌特征、结构和元素组成进行表征,并选择人肺泡上皮A549细胞对纳米TiO2/GSs材料的细胞相容性进行了研究。MTT试验结果表明:TiO2,TiO2/4.2%(质量分数)GSs和TiO2/6.0%(质量分数)GSs对细胞增值率的抑制作用有时间和浓度的依赖性效应。TiO2/GSs复合材料只在高浓度(≥100μg/mL)且较长时间培养下对A549细胞产生轻度毒性作用。TEM观察3组样品颗粒均可进入胞内。LDH试验和流式细胞术检测结果进一步说明随着样品浓度的增加,细胞膜完整性的改变逐渐明显,细胞凋亡率逐渐增高,并且样品颗粒的比表面积越大,对细胞的损伤作用越明显。     

用含表面活性剂和螯合剂的清洗液清洗硅片的研究

目前半导体工业生产中普遍采用的清洗技术是RCA清洗技术.文中介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗技术.并利用X射线光电子谱和原子力显微镜等测试方法,分别比较了用两种清洗技术清洗过的硅片表面.测试结果表明,它们的去污效果基本相当.但对硅片表面的粗糙化影响方面,新型半导体清洗技术优于标准RCA清洗技术.