双极线性稳压器中子辐射位移效应研究

双极线性稳压器广泛应用于空间设备,中子辐射效应不容忽视。对国产双极线性稳压器在不同负载偏置下的中子辐射效应开展研究。试验过程中发现,负载越大,位移损伤效应越明显。试验后通过加载不同负载的详细在线测试发现,不同偏置下的输出电压差异是由于负载的不同引起的。辐照偏置对双极线性稳压器的位移损伤无显著影响,但中子位移效应导致了双极线性稳压器的带载能力严重降低,使其失去负载调整能力。因此,在工程评估时,应结合应用需求,选择合理的负载进行评估。     

不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应

在不同偏置条件下,对基于互补双极工艺生产的电流反馈运算放大器（CFA）进行了高低剂量率下的电离辐射效应研究。研究发现,在不同偏置条件下,器件损伤差异明显。在零偏条件下,器件在低剂量率下损伤显著增强,表现为低剂量率损伤增强效应（ELDRS）;在小工作电压下辐照时,器件损伤较小,且不同剂量率之间损伤差异不明显;而在大工作电压下辐照时,器件在高剂量率下的损伤明显大于低剂量率下的损伤,在随后的室温退火中,又恢复到与低剂量率损伤相当的程度,表现为时间相关效应。结果表明,双极器件是否具有ELDRS效应与实验偏置条件有重要关系。     

不同60Coγ剂量率下10位双极D/A转换器的总剂量效应

为探索电离辐射对数模混合电路的影响，对国产10位双极D/A转换器在60Coγ射线不同剂量率辐照下的电离辐射效应及退火特性进行研究。结果表明：D/A转换器对辐照剂量率十分敏感，在大剂量率辐照时，电路功能正常，各功能参数变化较小;在低剂量率辐照下，各参数变化显著，电路功能出现异常，表现出明显的低剂量率损伤增强效应。最后，结合空间电荷模型对其电离辐射损伤机理进行了初步探讨。     

电荷耦合器件的~(60)Coγ射线和电子辐射损伤效应

对东芝公司生产的TCD1209D线阵电荷耦合器件(CCDs)进行了60Coγ和1 MeV电子辐照实验,获得了CCDs的像元信号输出波形、像元光强量化值及器件功耗电流随辐照剂量的变化规律。比较了两种射线产生的CCDs辐射损伤。结果显示,60Coγ和1 MeV电子导致的CCDs辐射损伤不仅在程序上存在差异,而且二者的表现形式也有所不同。分析了电离辐射和位移损伤对CCDs内部不同单元的影响,表明了电子辐照产生的位移损伤是造成上述差别的重要原因。     

水蒸气进料状态对重沸器换热过程的影响

采用Aspen管壳式换热器模拟软件分别考察了过热蒸汽和饱和蒸汽进料对换热的影响。结果表明,不同过热度的过热蒸汽冷凝为饱和水过程与饱和蒸汽冷凝成饱和水过程的总传热系数基本相同,有效温差也基本一致。蒸汽由过热冷却至饱和过程中放出的显热在整个热负荷中所占比例很小。过热蒸汽的膜传热系数随温度的降低而升高且成非线性变化,且在越趋近于饱和温度时这种变化越明显。     

12位双极数模转换器高低剂量率的辐射效应

通过对12位双极数模转换器在60Co γ射线的高低剂量率的辐照实验和室温退火实验的对比分析,发现数模混合电路在不同剂量率辐照下的电离辐照响应有很大差异.这种混合电路不但表现出明显的低剂量率损伤增强效应,而且表现出时间相关效应.结合辐射响应测试过程和空间电荷模型,对其损伤模块和辐射损伤机理进行初步探讨.     

基于毫米波雷达传感器RAI图像的手势识别方法

针对现有的手势识别方法存在数据集过少、利用特征信息较少和神经网络部分提取信息不充分的问题,提出一种基于毫米波雷达传感器RAI图像的手势识别方法。首先使用TI公司的IWR1443毫米波雷达传感器采集10类手势数据构建数据集,再通过对手部反射的雷达信号进行时频分析,获取固定帧数的RDI和RAI。为了充分提取手势特征并精确分类,在卷积神经网络基础上,引入了残差块和通道注意力块。实验结果表明,相较其他特征如RDI,RAI能更准确的表征手势,所提出的网络相比于CNN方法准确率提高了12.72%,相比于VGG16-Net和单参数VGG16-Net方法准确率提高了8.93%与10.41%,参数量降低了90.68%,时间复杂度降低了17.2%。     

基于小波变换和Teager能量算子浊音段提取

对语音信号浊音段的提取在很多应用中都是重要的一个步骤。在小波域上用Teager能量算子(TEO)提取语音信号的浊音段,并对原始语音信号和加有高斯白噪声的不同信噪比的语音信号进行了仿真实验。实验结果表明,该算法能够准确地提取出浊音段,并具有较强的抗噪声能力。     

发射区硼掺杂浓度对横向PNP晶体管高低剂量率辐射损伤的影响

本文研究了发射区重硼掺杂和轻硼掺杂横向PNP晶体管的高低剂量率辐照损伤特性。实验结果表明,随总剂量的增加,晶体管基极电流增大,电流增益下降,且轻掺杂PNP晶体管的退化更为严重。文中讨论了辐照感生缺陷在发射区重掺杂和轻掺杂晶体管退化中的作用,特别是氧化物正电荷的双重作用。最后,文章详细论述了高低剂量率辐照下,重掺杂PNP晶体管集电极电流IC的辐照响应。     

12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应

对商用BiCMOS模数转换器(ADC)AD678进行不同剂量率下电离辐射效应及室温退火特性的研究.结果表明,ADC的敏感参数在不同剂量率下的响应有差异;模拟电源电流和数字电源电流的辐照响应差别较大,微分非线性误差(DNL)、积分非线性误差(INL)和失码(Misscode)在低剂量率下电离损伤更严重,表现出明显的低剂量...