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溶胶-凝胶法制备掺镧钛酸钡薄膜及其光学性质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以硝酸镧、醋酸钡、钛酸四丁酯为原料,采用溶胶一凝胶旋涂法制备掺La的钛酸钡薄膜,研究薄膜的晶体结构、表面形貌、紫外-可见光吸收性能及光学带隙。研究结果表明,纯钛酸钡和掺La钛酸钡薄膜均为单一四方钙钛矿结构,La3+的引入可以使钛酸钡薄膜在可见光区的透过率和光学带隙有一定程度下降,而退火温度对掺镧钛酸钡薄膜光学带隙基本无... 相似文献
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采用溶胶-凝胶法制备钛酸钡粉体作为原料,分别采用常规马弗炉和家用微波炉烧结成陶瓷,研究其晶体结构,比较了两种烧结方式制备的钛酸钡陶瓷的介电和铁电性。结果表明:溶胶-凝胶法制备的钛酸钡粉体为单一赝立方相;采用家用微波炉可烧结得到致密的、单一四方相的钛酸钡陶瓷;微波烧结制备的钛酸钡陶瓷在居里点处的介电峰值远低于常规烧结的钛酸钡陶瓷;微波烧结工艺可使钛酸钡陶瓷在低频下(<800 Hz)的介质损耗有一定程度的降低;微波烧结的钛酸钡陶瓷的剩余极化强度和矫顽场强较常规烧结小。 相似文献
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研究了不同成分的BiYbO_3-BaTiO_3-LiNbO_3陶瓷的晶体结构、表面形貌与介电、铁电性能。研究结果表明,BiYbO_3-BaTiO_3-LiNbO_3预烧粉体均为纯相,烧结后试样中存在少量的Bi2O_3和Yb_2TiO_5第二相,其组织致密、多边形状晶粒中有少量细小的球状晶粒存在。0.25BY-0.7BT-0.05LN陶瓷的介电常数最大(ε_(rmax)=280),剩余极化强度相对较大,P_r=0.47μC/cm2,矫顽场强E_c=19.04kV/cm。0.1BY-0.8BT-0.1LN陶瓷的剩余极化强度最大(P_(rmax)=0.83μC/cm~2),矫顽场强E_c=17.86kV/cm。 相似文献
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退火工艺对钛酸锶钡薄膜结构的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜,在500~750℃之间对薄膜快速退火。XRD分析表明:500℃时BST薄膜开始晶化为ABO3型钙钛矿结构,温度越高结晶越完整,晶粒越大。理论计算表明,薄膜在低温退火后无择优取向,高温退火后在(111)、(210)晶面有择优取向。退火气氛、保温时间、循环次数等因素对薄膜晶粒大小无明显影响,但对表面粗糙度和结晶程度影响较大。 相似文献
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将氧化物固相反应法用于制备BaZr0.2Ti0.8O3(简称BZT)陶瓷,所制备的陶瓷实际密度为理论密度的96.1%。利用光学显微镜观察到样品中的晶粒大小为几微米至十余微米,形状大多为球形或接近于球形。 相似文献
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铁电材料是一类重要的功能材料,是近年来高新技术研究的前沿和热点之一。通过罗息盐时期—发现铁电性、KDP时期—铁电热力学理论、钙钛矿时期—铁电软模理论、铁电薄膜及器件时期—小型化四个阶段阐述了铁电材料的发展历史,提出了研究中需要解决的一些问题。 相似文献
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氧化铝陶瓷基板化学镀铜工艺优化 总被引:1,自引:1,他引:0
目的化学镀铜是氧化铝陶瓷基板金属化的一种重要手段,为了进一步优化氧化铝陶瓷基板化学镀铜工艺,研究了化学镀铜液配比(尤其是镀液中铜离子和甲醛含量)对氧化铝陶瓷覆铜板微结构和导电性的影响。方法在对氧化铝陶瓷基板经过前期处理后,采用化学镀铜法在基板上镀铜。采用X射线衍射仪、光学显微镜对氧化铝基板上的化学镀铜层物相和形貌进行观察。采用覆层测厚仪、四探针测试仪对化学铜镀层的膜厚和方阻进行测量。结果 XRD结果表明,不同配比镀液得到的化学镀铜层均具有较好的晶化程度,镀液中甲醛和铜含量较低的镀液可制备出晶粒更为细小的化学镀铜层。甲醛和铜离子含量均较高时,沉积速度过快,使镀铜层的均匀性和致密性不佳。但当甲醛含量较高、铜离子含量较低时,沉积速度适中,从而获得了均匀性和致密性较好的镀铜层,同时这种镀层具有良好的导电性。结论采用表面活性化学镀铜工艺,当镀液中甲醛浓度为0.25 mol/L和硫酸铜质量浓度为1.2 g/L时,无需高温热处理,即获得了均匀性和致密性俱佳的铜镀层,可满足覆铜板的使用要求。 相似文献
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本科生毕业设计质量的影响因素及改革措施 总被引:2,自引:0,他引:2
毕业设计(论文)要求学生综合运用所学理论知识分析和解决实际问题。联系毕业设计(论文)教学环节中存在的问题,分析了影响工艺性专业本科学生毕业设计(论文)质量的主要因素,提出了改进毕业设计教学,提高学生毕业设计(论文)质量的措施。 相似文献