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512×512元PtSi肖特基势垒IR CCD图像传感器 总被引:2,自引:0,他引:2
研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为36μm(H)×34μm(V),填充系数为40%。器件工作在80K温度下。在阵列帧频为30帧每秒及镜头为 F/1条件下,器件噪声等效温差为0.15K。用1000K黑体测得其探测率D~*为1×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W。对器件设计及性能测试结果进行了介绍。 相似文献
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金属镀金外壳抗盐雾腐蚀工艺的改进 总被引:3,自引:2,他引:1
目的解决金属镀金外壳在Na Cl盐溶液中表面出现锈蚀、外壳引线根部断裂的问题,提高外壳的抗盐雾腐蚀能力,解决外壳镀层抗蚀性差的问题。方法以盐雾腐蚀机理为依据,利用扫描电镜对镀金外壳在盐雾环境中的腐蚀形貌进行观测,分析镀层腐蚀形貌和金属基座(可伐合金)-玻璃绝缘子(电真空玻璃)-金属引线(可伐合金)封接形貌。从4个方面对工艺进行改进:控制金属镀层与基体材料的电位差,消除腐蚀原动力;提高镀层致密性,减少镀层孔隙率;控制外壳高温封接温度,抑制缝隙腐蚀;控制金属表面镀层厚度,防止镀层与基体间形成腐蚀通道。结果针对镀金外壳在盐雾环境中的腐蚀形态以点蚀、缝隙腐蚀为主的情况,通过优化镀镍工艺、镀金工艺,避免腐蚀发生时金属外壳表面形成大面积点蚀;优化高温退火温度为800℃,高温封接温度为900℃,可以抑制金属外壳缝隙腐蚀的发生。结论优化金属外壳退火温度、高温封接温度、电镀镍和金等工艺措施,提高了金属镀金外壳抗48 h盐雾腐蚀性能。 相似文献
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采用独特的结构设计,利用高频熔封工艺制作出了抗冲击管帽,并通过选材、优化工艺、改进模具等手段制作了高绝缘电阻管座.实验结果显示,采用以上方法制作的平面光窗外壳能承受3×9.806 N的机械冲击,绝缘电阻达到1×1012Ω,较常规的外壳提高了2~3个数量级. 相似文献
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目的解决镀镍层可焊性不良的问题,使得光电子器件外壳镀镍层可焊性满足回流焊要求,并且保存半年后可焊性不降低。方法以氨基磺酸镍为体系,考察温度、p H值、电流密度与沉积速率的关系,采用回流焊和浸润法对镀层可焊性进行表征,并考察镀层的质量、结合力及盐雾性能指标。结果镀液体系在比较宽泛的电流密度和温度范围内,都能得到可焊性优良的镀层,其沉积速率随电流密度的增大呈线性增加。浸润法和回流焊接试验表明,镀层可焊性满足要求。在稳态湿热(45℃,RH=95%)环境中48 h或恒温烘烤(150℃,1 h)后,镀层可焊性仍均满足要求。结论在电流密度1~5 A/dm2,p H值3.2~4.4,温度40~55℃的条件下能得到优良的可焊性镀层,满足回流焊对镀层可焊性的要求,并且放置半年后可焊性不降低。 相似文献
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