不同工艺对TaN薄膜组织与性能的影响

用磁控溅射法在硅基材料上制备TaN薄膜,用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)研究不同工艺下磁控溅射TaN薄膜的表面形貌和组织,用纳米压痕仪和CHI电化学分析仪测试薄膜的力学性能和耐腐蚀性能。结果表明,基底加热和退火处理均导致TaN薄膜组织发生六方结构TaN(110)向面心立方结构TaN(111)和TaN(331)的转变。另外,基底加热和退火处理工艺均改善了TaN薄膜的显微硬度和膜基结合力等力学性能,其断裂韧性和耐腐蚀性能有所降低。     

薄膜材料的制备与表征方法研究进展

材料的表面与基体内部在结构和性能上都会存在差异,这就要求对薄膜材料的制备及其表征方法有基本的了解.分析了薄膜材料的分类、常见制备方法及其原理,对材料表面的组分、结构、形貌等分析方法进行了归纳总结,并利用XRD,SEM,EDAX等进行逐项表征,获得了完整的材料表面信息,得出了薄膜材料的工艺制备,采用磁控溅射的方法较好.     

柔性基底上直流磁控溅射沉积金属铝膜的研究

采用直流磁控溅射法在棉布、涤纶、芳纶织物上制备金属铝膜,研究了铝膜的沉积速率、组织结构和表面形貌。结果表明:在一定的范围内,沉积速率随溅射功率的增大近似呈线性增加,随溅射气压的增加先升后降;基底材料对铝膜的组织结构有较大影响,在涤纶和棉布上沉积的铝膜才呈现出典型的多晶态面心立方结构,在芳纶和涤纶上获得的铝膜较棉布上的铝膜更为均匀、致密;在一定范围内,溅射功率的增大有助于提高铝膜质量。     

气相沉积法的薄膜制备研究

对薄膜的应用现状、气相沉积法制备薄膜的常规方法及高能精密薄膜制备方法作了综述.认为开发薄膜复合处理工艺,实现制膜过程精密控制,以及节能环保的绿色镀膜将会成为薄膜制备新的趋势.     

靶基距对柔性基底上脉冲激光沉积透明导电薄膜的影响

采用脉冲激光沉积法,控制靶基距分别为4,6,8 cm,在聚乙烯对苯二甲酸酯基底上沉积铟锌氧化物、铟锡氧化物和铝掺杂氧化锌薄膜,研究了靶基距对薄膜电学、光学、形态和结构特性的影响.结果表明:采用6～8 cm靶基距制备的TCO薄膜,在可见光范围内的光学透光率超过90％,电阻率约为5×10-4 Ω·cm;除了这些优良的电学和光学特性外,靶基距8 cm制备的薄膜均匀、光滑、附着好,且无裂缝或任何其它扩展的缺陷,适用于光电设备.     

第三组元氮元素对TaMo高温合金涂层组织和性能的影响

通过磁控溅射法在硅基材上制备了不同基底温度的TaMo和TaMoN涂层,采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)研究了在第三组元N加入的情况下TaMo涂层的表面形貌和组织结构,采用CHI电化学分析仪分析了涂层的耐腐蚀性能,并分别对涂层进行了1000℃+300h高温氧化性能试验.实验结果表明,两种基底温度工艺下氮元素的加入对TaMo涂层的组织结构和表面形貌均有显著影响.另外,氮元素的加入可以提高TaMo涂层的耐腐蚀性能,但对TaMo涂层的耐高温性能没有改善.     

DOE技术在低电压CMOS晶体管中的质量控制

采用DOE(Design of Experiment)试验方法进行了CMOS晶体管工艺流片的分卡操作,研究18个样品的Vt区注入Dvt、N场注入DNF、TEMP注入DP这3种注入剂量变化的情形下阈值电压Vtn和Vtp的调控优化值。通过最大跨导法测试阈值电压Vtn和Vtp,考查3种注入剂量对Vtn和Vtp的影响趋势,发现Dvt和DNF直接决定Vtn,Dvt和DP直接决定Vtp。结果表明,Vtn为0.082 V~0.600 V,关系式为Vtn=0.15791Dvt+0.12320DNF+0.11433;Vtp为0.0535 V~0.6300 V,关系式为V2tp=-0.03077D2vt-0.01688D2P+0.71899。     

钎缝间隙对316L不锈钢真空钎焊接头组织的影响

采用镍基钎料BNi2+40%BNi5对316L不锈钢进行真空钎焊。主要通过光学显微镜、电子探针显微分析仪、硬度计等研究了3种钎缝间隙下钎焊接头的显微组织、钎缝成分分布以及钎缝显微硬度。结果表明316L不锈钢的钎焊接头主要由固溶体、共晶组织及网状化合物组成,硼、硅是导致化合物相产生的主要合金元素;随着钎缝间隙的减小,钎焊接头中金属间化合物相的含量逐渐减小,当钎缝间隙为30μm时,接头组织基本为固溶体。     

在不同柔性衬底上制备太阳电池的研究

简单介绍柔性太阳电池的优点及其应用前景,在室温下采用磁控溅射的方法在不同柔性衬底上制备太阳电池薄膜,主要研究聚酰亚胺(Pi)、不锈钢(SS)、铝(AI)三种基底材料对太阳电池薄膜的影响.通过对其结构进行表征,分析得出其结构的变化,综合分析得出柔性电池的发展前景非常好.另外柔性衬底在柔性显示屏方面的应用前景也很好.     

锗系相变材料的晶体结构

介绍了锗系相变材料的应用用原位变温XRD对锗系相变材料相变过程中的晶体结构变化进行实时检测发现,在不同温度会出现不同的晶向论述了锗系相变材料的相变过程即非晶态到面心立方晶态的变化,面心立方晶态到六方晶态的变化,以及掺杂元素对锗系相变材料结构的影响。