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1.
成型砂轮截面曲线光顺处理的近似双圆弧插补法及误差估算 总被引:1,自引:0,他引:1
在解决成型砂轮截面曲线的光顺处理问题时,作者提出了一种新的曲线数字化处理方法——近似双圆弧插补法,简化了计算过程。为了估算该方法的误差,本文模拟曲线反求的过程进行了仿真计算,计算结果表明:若曲线反求时测量点的间距取为0.1mm左右,则对所讨论的实例而言,处理结果对原曲线的最大偏离为0.552μm,这样的误差对数控加工影响很小,而且整个处理过程所花费的时间不足1分钟,因此,该方法能满足数控加工的要求。 相似文献
2.
为获得抛光均匀的铝合金阳极氧化膜表面,采用集群磁流变平面抛光技术对铝合金阳极氧化膜进行抛光试验,探讨加工间隙、工件转速、抛光盘转速、偏摆幅度、加工时间等加工参数对其表面粗糙度和材料去除率的影响规律。结果表明:随着加工间隙的增大,工件表面粗糙度先减小后增大,材料去除率则递减;随着工件转速或偏摆幅度的增加,工件的表面粗糙度均先迅速减小后缓慢增大,材料去除率则先增加后减小;随着抛光盘转速的增加,工件的表面粗糙度和材料去除率均先减小后增加;随着加工时间的延长,表面粗糙度迅速减小之后趋于稳定。在文中试验条件下,在加工间隙1. 1 mm、工件转速350 r/min、抛光盘转速60 r/min、偏摆幅度10 mm、加工10 min左右时工件表面粗糙度从原始的332. 9 nm下降至5. 2 nm,达到了镜面效果。 相似文献
3.
为提高蓝宝石基片的研磨效率和质量,研制2种不同硬度的陶瓷结合剂固结金刚石研磨丸片并制作了相应的研磨盘,对蓝宝石基片进行研磨工艺试验以评估其研磨性能.结果表明:研磨时间延长,蓝宝石的材料去除率(R MRR)和表面粗糙度(R a)均逐渐降低最后趋于稳定;研磨盘转速提高,2种研磨盘获得的工件材料去除率均先升高后降低,在研磨盘... 相似文献
4.
5.
合理的磁路结构及均匀的磁场强度是影响磁流变抛光效果的关键因素,基于电磁铁的特性并结合实验室提出的集群磁流变技术,设计了一种电磁式集群磁流变电磁铁。详细分析了集群磁流变电磁铁的结构设计,通过Ansoft有限元仿真对磁指长度、集群点阵的结构、集群点阵的间隙和集群点阵的深度进行仿真及优化。优化结果显示:磁指长度l=26mm,磁场区域可以实现由线域到面域;集群点阵为方形下凹,磁极表面磁场强度较大;集群点阵间隙为1mm、深度为2mm时,磁极表面可以获得比较均匀的面域磁场。 相似文献
6.
对传统的电流变效应抛光装置,提出了一种新的隔离电极电流变效应发生方法,将高压电源的正负极通过绝缘材料与电流变液接触,解决了低介电常数的羰基铁粉、水等组成的电流变液无法形成稳定电流变效应的问题,扩大了电流变液的组分,提高了使用稳定性。利用该方法设计了电流变效应抛光加工实验装置,采用羰基铁粉为分散粒子、金刚石微粉为磨料、水和硅油分别为基液制备了两种电流变液,对玻璃工件进行了定点加工实验。实验结果表明:这两种电流变液在隔离电极电流变效应抛光装置中能形成良好的电流变效应,具有较好的加工效果,相比较而言,硅油基电流变液更适宜用于抛光加工。 相似文献
7.
目的为实现陶瓷球表面的高效超光滑抛光,提出一种集群磁流变抛光陶瓷球的新工艺。方法在传统V型槽抛光陶瓷球的基础上增加集群磁极和上盘旋转动力,配制适当的磁流变抛光液,通过在上下抛光盘的集群磁极,形成磁流变抛光垫包覆陶瓷球,进行研磨抛光加工。然后,基于陶瓷球工件几何运动学和动力学分析得到球体各运动参数的影响关系,利用机械系统分析软件ADAMS对成球过程进行动态仿真,可以看出该抛光方法能够主动控制球体的运动,实现球面抛光轨迹的快速均匀全包络。最后,根据仿真结果,通过调整上下抛光盘的转速比、偏心距和加工间隙等参数,控制陶瓷球的自转角,实现球面的快速高效超光滑抛光。结果用自行设计的陶瓷球集群磁流变抛光实验装置,对氮化硅陶瓷球进行抛光2.5 h,表面粗糙度Ra从60 nm左右下降到10 nm左右,球形误差为0.13μm,达到了陶瓷球轴承氮化硅球的国家标准(G5水平)。结论集群磁流变抛光方式可以实现球面抛光轨迹的快速均匀全包络,实现陶瓷球表面的高效超光滑抛光,值得进一步深入探讨研究。 相似文献
8.
为提高集群磁流变平面抛光效率,在抛光盘表面增加微结构,以增强加工过程中的流体动压作用。使用平面抛光盘和表面加工有孔洞、V形槽、U形槽、矩形槽等不同微结构的抛光盘进行抛光试验及抛光压力特性试验,研究了加工间隙和工件转速对加工效果的影响。结果表明:抛光盘表面微结构对工件材料去除率影响较大,不同微结构盘材料去除率从大到小顺序为V形盘>U形盘>平面盘>孔洞盘>矩形盘,其中V形盘的材料去除率比平面盘高25%以上;所有抛光盘均能获得纳米级(Ra在8 nm以内)表面。当加工间隙为0.9~1.0 mm、工件转速为550 r/min时,加工效果较好。 相似文献
9.