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按化学计量比并富P2%配料,通过改进的单温区合成法合成出高纯、单相的ZnGeP2多晶原料,在无磁场、6 T匀强磁场和上、下梯度磁场条件下,使用坩埚下降法成功生长出ZnGeP2单晶。研究表明,施加6 T匀强磁场和上、下梯度磁场后,ZnGeP2晶体依次沿(116)、(112)和(220)取向,与无磁场下晶体取向不同;ZnGeP2晶体成分沿纵向方向在强磁场中比无磁场中波动明显;红外透过率在匀强和上梯度磁场中均有明显提高,下梯度磁场中变化不明显;电阻率在匀强和上梯度磁场中有所下降,而下梯度磁场中则有所升高。 相似文献
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借助高温激光共聚焦显微镜,在线观察了不同Mn含量下无取向硅钢试样中的夹杂物析出、变化情况。结果表明,Mn含量为0.77%、0.32%时,对应试样的夹杂物数量分别为1 000万个/mm3、1 600万个/mm3。其中,0.77%Mn含量试样,夹杂物在1 115~1 098℃、1 068~1 032℃析出;0.32%Mn含量试样,夹杂物在1 086~1 068℃析出。0.77%Mn含量试样,优先析出球形、椭球形Mn S夹杂,其析出夹杂数量较少,尺寸较大,能有效抑制Al N、CuxS夹杂析出;0.32%Mn含量试样,优先析出相当数量Mn S夹杂,并作为Al N夹杂析出核心,形成Mn S+Al N复合夹杂。这种复合夹杂物数量较多,尺寸也较大。 相似文献
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以石英玻璃粉为基体,热固性硅树脂为增塑剂,利用压注方法制备了多孔硅基陶瓷型芯,研究了烧结温度和保温时间对样品性能的影响。研究结果表明:随着烧结温度的升高,反玻璃化进程加快,在烧结温度1250℃,随着保温时间的延长,玻璃相发生了转变,逐渐析出方石英,且含量不断增加;样品的线收缩率和失重随烧结温度的升高略微增加,但烧结时间的影响较小。样品的失重主要是由于硅树脂的分解引起的。在1250℃烧结10 h后,得到样品的收缩率为0.93%,显气孔率为32.8%,抗弯强度为9.08 MPa。 相似文献
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目的探究奥氏体化工艺对铝硅镀层氧化层厚度和微观组织的影响规律及其演变机理。方法以热浸镀Al-10%Si的22MnB5为研究对象,采用扫描电子显微镜(SEM)、辉光放电光谱仪(GD-OES)和X射线衍射仪(XRD)等仪器,观察镀层在奥氏体化过程中氧化层厚度的变化和微观组织的演变规律。结果当试样以15℃/s的速率升温到900℃后立即水淬,镀层氧化层最薄,当试样升温到900℃保温5 min后水淬,镀层氧化层出现了不同程度的开裂,镀层表面出现孔洞和脱落的现象,氧化层厚度明显增加。结论奥氏体化保温时间比奥氏体化升温速率对镀层氧化层厚度的影响更大,保温时间越长,氧渗入镀层的深度越深,氧化层越厚,奥氏体化时间的延长不利于镀层氧化层保持完整性,影响镀层对钢基体的保护功能。镀层及其氧化层的微观组织演变规律为:镀层中首先形成Al2Fe3Si3(τ1)和Fe2Al5相,随后Fe2Al5相生长并伴随FeAl2相形成,而后FeAl2+Fe2Al5相生长且有FeAl析出,随后FeAl相生长,氧化层出现孔洞,最后氧化层破裂,镀层表面孔洞增加,最终组织为FeAl2+Fe2Al5+FeAl。 相似文献
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使用工业级的SrCO3和ZrO2为原料,采用固相合成法在1350℃保温12h合成了SrZrO3材料,将合成的SrZrO3粉体用等静压法成型成片状并在1650℃保温不同的时间,观察其显微组织结构,测定在不同保温时间下的烧成密度。将自合成SrZrO3粉料等静压成型成SrZrO3坩埚。将SrZrO3坩埚在900℃素烧,并在1650℃保温8h烧成,在此坩埚中进行TiNi合金真空感应熔炼实验。采用XRD、SEM和EDS等观察钛合金与材料界面反应层的微观形貌。结果表明,在1350℃可以固相合成锆酸锶粉体。粉料成型后在1650℃保温8h烧结的坩埚密度达到理论值的97%以上。SrZrO3坩埚与TiNi合金的反应层厚度约为40μm,未发现坩埚材料渗透进合金熔体。 相似文献
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铁矾法从富铟高铁硫化锌精矿加压浸出液中沉铟研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究利用黄钾铁矾法从富铟高铁加压浸出液中沉铟的影响因素,并与黄铵铁矾法沉铟做比较。结果表明,在相同条件下,黄钾铁矾法具有更大的沉铟能力,且所需要的时间为3 h,远少于黄铵铁矾法沉铟所需要的时间。黄钾铁矾法沉铟最佳工艺条件:pH=1.73~1.75,温度96~98℃,铁铟摩尔比大于200,反应时间3 h,添加晶种,晶种添加量为理论生成铁矾量的1.5倍时,黄钾铁矾法沉铟率高达97%以上,铁的沉淀率也达到98%左右,为后续电积Zn提供了合格的浸出液。 相似文献