掺钪AlN材料特性及HBAR器件性能研究

该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e₃₃增加、刚度 下降,导致Al₁-_xSc_xN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al₁-_xSc_xN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。     

n型单晶硅太阳电池中硼离子注入发射极特性研究

离子注入以其掺杂均匀可控、便于图形化掺杂及简化太阳电池生产工艺的特点在光伏界引起广泛的关注,但同时也存在着注入缺陷难以消除的缺点。该文通过对硼注入发射极退火特性进行研究,发现样品的J_(0e)(发射极饱和电流)、少子寿命t_(eff)、Imp_V_(oc)(理论开路电压)均随退火温度的升高得到显著改善。为进一步研究其机理,采用椭圆偏振光光谱对晶格损伤进行表征,并借助TCAD软件模拟分析注入后热处理所产生的硼硅团簇(BIC)等缺陷状态,从损伤修复和杂质激活两方面对硼(B)注入发射极J_(0e)随退火温度变化的机制做出解释。     

蜂窝异构网络中的最优频谱分配算法

异构网络通过在宏基站的覆盖范围内密集地部署低功率的节点,使小区得到分化,提升信道增益。但由于频谱资源有限,资源分配在带有中继节点的蜂窝异构网络中变得较为复杂。为改善信道的频谱效率,研究在带有中继节点异构网络中的最优频谱分配策略以及对应的用户接入策略,提出一个基于乘子法的高效算法,通过在乘子法迭代中寻找一组有限的频谱复用模式,得到最优的频谱分配和用户接入策略,实现最优的比例公平性。数值仿真结果表明,该算法可有效利用有限的频谱资源,相对于传统的频谱分配策略,网络性能明显提升。     

SCVerify:抗功耗侧信道攻击软件实现的验证

功耗侧信道攻击,通过使用统计分析技术推断出加密算法中的密钥,已成为物理网络设备的一个巨大威胁.随机掩码是一种被广泛使用的用来消除密钥数据和侧信道泄露数据之间关联性的对策.尽管现有技术可以验证加密软件代码是否被随机掩码保护,但是它们在准确性和可扩展性方面受到限制.为消除此类限制,提出了一种基于原有技术改进过的验证随机掩码策略的方法,该方法比已有的基于句法类型的推断技术更准确,比使用SAT(SMT)模型计数的方法更具有可扩展性.实际上,该方法使用一系列语义类型推导规则去推导分布类型,这些规则最初保持抽象以允许快速推导,然后具体化那些抽象规则推导解决不了的验证问题.此类细化方法集成在验证工具SCVerify中,并使用包含AES和MAC-Keccak等加密算法的测试用例进行了验证,实验结果表明此方法在准确性和可扩展性方面明显优于当前的技术.     

石墨烯量子点光致发光性能及调控机制研究进展

石墨烯量子点是一类重要的石墨烯衍生物，在量子尺寸效应的作用下，石墨烯量子点显示出与传统石墨烯截然不同的半导体特性。目前，石墨烯量子点以其优异的光致发光特性，高稳定性，低生物毒性，可调制的界面结构，在荧光防伪材料、生物成像、肿瘤诊疗、光/电催化等领域展现出突出的优势。从石墨烯量子点光致发光特性出发，对石墨烯量子点的带隙这一关系到该材料在各应用领域的重要基本物性进行总结，旨在明确当前在石墨烯量子点光致发光机制研究、光致发光性能调制两大领域的研究进展与挑战。     

镁电池研究进展

镁电池具有比能量高(2 202 m Ah/g),电极电位为负(-2.36 V),较锂电池价格便宜,且放电平稳、无毒,结构简单,是21世纪的理想新能源,在综述了镁一次电池、镁二次电池、镁空气电池和双电解液镁电池的工作原理、特点及其应用现状的基础上,讨论了镁电池的发展方向。     

灵敏度可调的光学读出非制冷热像元设计

设计了一种可见光反射型光学读出非制冷热像元结构。理论分析表明热像元的热-机械灵敏度达到0.043deg·K-1,在热像元面积比已有报道减小75%的情况下,热-机械灵敏度反而提高至少79%。通过改变弯折梁底层金膜的面积来调节热像元的灵敏度,使其可在2.36×10-6rad·m2·W-1和9.21×10-6rad·m2·W-1之间变化。ANSYS仿真结果和理论结果吻合较好,验证了设计的正确性。     

一种基于基板缺陷的共面波导电磁带隙结构

提出了一种通过湿法腐蚀实现的基板缺陷共面波导电磁带隙结构,并进行了建模仿真、加工和测试.重点研究了基板缺陷结构与传统金属缺陷结构的差异,以及采用湿法腐蚀工艺的优势.实验结果显示:新结构具有明显的电磁带隙特性;与干法刻蚀工艺相比,采用湿法腐蚀工艺加工可以获得更宽的阻带范围和更强的阻带抑制.该结构完整保留了50 Ω共面波导的信号线和接地板金属,可以与传统的金属缺陷结构结合,以获得性能更好的器件.