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1.
用闭合场非平衡磁控溅射技术制备了高硬度含Cr碳膜。分别用压入法和划痕法测定了薄膜的结合强度。薄膜厚度用球坑法表征。用显微硬度计测定了薄膜的努氏硬度。在不同载荷条件下,用Ball-on-disc球盘磨损试验机研究了薄膜的摩擦系数、比磨损率的变化规律。分析讨论了载荷对含Cr碳膜摩擦磨损性能的影响。结果发现:随着载荷的提高,对磨钢球时薄膜的摩擦系数呈下降趋势.对磨损轨迹和对磨球磨损表面的扫描电镜(SEM)观察发现存在转移膜现象。对磨球磨损表面的EDX分析结果进一步证明了转移膜的存在。文中还对含Cr碳膜磨损机理进行了分析和讨论。用闭合场非平衡磁控溅射技术制备了高硬度含Cr碳膜。分别用压入法和划痕法测定了薄膜的结合强度。薄膜厚度用球坑法表征。用显微硬度计测定了薄膜的努氏硬度。在不同载荷条件下,用Ball-on-disc球盘磨损试验机研究了薄膜的摩擦系数、比磨损率的变化规律。分析讨论了载荷对含Cr碳膜摩擦磨损性能的影响。结果发现:随着载荷的提高,对磨钢球时薄膜的摩擦系数呈下降趋势.对磨损轨迹和对磨球磨损表面的扫描电镜(SEM)观察发现存在转移膜现象。对磨球磨损表面的EDX分析结果进一步证明了转移膜的存在。文中还对含Cr碳膜磨损机理进行了分析和讨论。  相似文献   
2.
将制革工艺中的削匀革屑(LS)与丁腈橡胶(NBR)混炼并压板制备成复合材料(NBR/LS),通过测定复合材料物理力学性能考察工艺条件对材料性能的影响。分别对NBR纯胶和NBR/LS复合材料的热性能进行了表征。测试结果表明:NBR/LS复合材料制备中压板时间、温度和革屑含量均对NBR/LS复合材料有较大影响;最佳力学性能出现在压板时间为30 min,温度为150℃,革屑用量为15份的工艺条件下;革屑的加入使得NBR的玻璃化转变温度(Tg)从-33.6℃升高至-31.0℃,复合材料的tanδ峰值和损耗模量明显降低;NBR/LS复合材料比NBR纯胶有较好的热稳定性能。  相似文献   
3.
在工业生产线上,选择不同条件下制备的Nd-Fe-B合金铸片,分析了成分设计、浇注工艺以及铸片厚度对Nd-Fe-B合金铸片显微组织的影响.成分设计中较高的重稀土元素含量增大熔液结晶时的过冷度,使铸片显微组织中产生较多细小等轴晶.当平均厚度为0.3~0.4mm时,铸片具有较好的显微组织,即主相以片状晶方式沿垂直贴辊面的方向生长,富Nd相呈薄层状均匀分布在主相内部及晶界处,薄层间距约为3~5μm;厚度偏大时,在铸片自由面附近存在少量α-Fe相,而厚度偏小时,其显微组织中富Nd相薄层间距偏小,仅为2μm左右.合适的浇注工艺可以获得理想的铸片显微组织,浇注温度偏低导致细小等轴晶出现,而且浇注温度偏低和熔液浇注速度偏慢均不利于片状晶生长.  相似文献   
4.
元素成分对磁控溅射TiNi薄膜结构性能的影响及其控制   总被引:1,自引:0,他引:1  
描述了TiNi形状记忆合金薄膜的一般特性及成分对其组织及性能的重要影响.磁控溅射法是应用最为广泛的制备TiNi基形状记忆薄膜的方法之一,但由于Ti与Ni的溅射产额不同,很难得到理想成分的TiNi薄膜.目前主要采用改变工艺参数或靶材成分补偿的方法控制薄膜的成分.借鉴反应磁控溅射沉积薄膜时成分控制方法,提出了一种利用溅射靶表面光发射谱的控制技术,理论上可以达到精确检测或控制TiNi形状记忆合金薄膜成分的目的.  相似文献   
5.
离子氮化对H13钢表面CrTiAlN镀层结合强度的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
在经过离子氮化处理的H13钢基体上,采用闭合场非平衡磁控溅射法制备了CrTiAlN硬质涂层,并与未氮化的镀膜试样进行了膜基结合强度、膜层微观结构形貌及相组成的对比。结果表明:离子氮化处理可提高基体硬度,形成硬度梯度过渡;氮化+镀膜复合处理可以显著提高膜基结合强度。  相似文献   
6.
用闭合场非平衡磁控溅射离子镀(CFUBMIP)系统沉积制备CrN硬质薄膜,通过调节偏压改变薄膜沉积过程中离子轰击能量。采用XRD分析薄膜的相结构,结合SEM和AFM对薄膜表面形貌和截面结构的观察,探讨离子轰击能量对CrN硬质薄膜生长方式以及取向的影响规律。结果表明,随着偏压从-60 V增大到-90 V,薄膜始终由CrN单相组成,且均呈柱状生长,但生长择优取向从(200)向(111)转变。偏压的变化主要通过改变离子轰击能量影响薄膜的生长机制,低偏压时以表面能主导,因此呈(200)择优取向生长,而高偏压时以应变诱导生长机制为主,呈(111)择优取向生长。  相似文献   
7.
利用放电等离子烧结技术(SPS)实现了M42粉末高速钢的制备及与45钢的连接,对其界面的显微组织形貌、元素分布、显微硬度及相界面形成过程进行了测试分析。结果表明,接头过渡层的成分、显微硬度都呈现梯度变化,连接界面没有裂纹及大孔洞出现,界面结合紧密,其过渡层厚度可达10.2μm;界面连接为熔合连接与扩散连接的共同作用,其中烧结初期以熔合连接为主,烧结中后期,扩散连接逐渐成为主导。  相似文献   
8.
尚魁平  冶艳  葛培林  江利  鲍明东 《表面技术》2011,40(4):34-37,54
在单晶Si (100)基体上,采用闭合场非平衡磁控溅射方法沉积制备了导电非晶碳膜.X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈明显的非晶结构;用XPS分析了薄膜中的碳键结构,碳膜的C1s峰位于284~285 eV之间,Cls峰分峰拟舍得出sp2C的原子数分数为59%左右,碳键以sp2结构为主;四探针法测得薄膜的电阻率为1.32×...  相似文献   
9.
用常规工艺制备烧结( Pr-Nd )33.0-xHoxFebalCu0.20Al0.75B1.15(x=0,1,3,5)永磁材料.研究了Ho元素添加对材料磁性能和温度稳定性的影响.适量添加Ho有利于抑制合金铸锭中α-Fe的形成;制作的烧结磁体,其主相晶粒一定程度上细化、尺寸分布比较均匀;内禀矫顽力明显提高,剩磁有所下降...  相似文献   
10.
用M42和YG20C质量比为2∶1的混合粉末,利用放电等离子烧结技术制备了YG20C/Cr12MoV双金属复合材料,并对过渡层与Cr12MoV、YG20C两侧界面的微观组织、元素扩散及显微硬度进行了分析.结果表明,Cr12MoV钢内表面有一层宽度约为60 μm的晶粒异常长大区,其硬度较低,对复合材料的连接性能产生不利影响;SPS烧结过程中,粉末颗粒之间的火花放电使Cr12MoV钢表层产生高温是造成晶粒异常长大、脱碳和贫Cr的主要原因;过渡层与Cr12MoV、YG20C界面过渡区宽度分别约为60 μm和40μm,两界面处元素发生扩散,显微硬度呈梯度增加,连接性能良好.  相似文献   
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