首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   38篇
  完全免费   33篇
  金属工艺   71篇
  2022年   6篇
  2021年   1篇
  2020年   5篇
  2019年   3篇
  2018年   6篇
  2017年   4篇
  2016年   2篇
  2015年   3篇
  2014年   4篇
  2013年   8篇
  2012年   6篇
  2011年   3篇
  2010年   4篇
  2009年   1篇
  2008年   2篇
  2007年   1篇
  2006年   5篇
  2005年   4篇
  2004年   1篇
  2001年   1篇
  1996年   1篇
排序方式: 共有71条查询结果,搜索用时 88 毫秒
1.
化学机械抛光中抛光垫的研究   总被引:8,自引:1,他引:7  
抛光垫是化学机械抛光(CMP)系统的重要组成部分。它具有贮存抛光液,并把它均匀运送到工件的整个加工区域等作用。抛光垫的性能主要由抛光垫的材料种类、材料性能、表面结构与状态以及修整参数等决定。本文介绍CMP过程常用的抛光垫材料种类、材料性能、表面结构,总结了抛光垫的性能对CMP过程影响规律,认为:抛光垫的剪切模量或增大抛光垫的可压缩性,CMP过程材料去除率增大;采用表面合理开槽的抛光垫,可提高材料去除率,降低晶片表面的不均匀性;抛光垫粗糙的表面有利于提高材料去除率。对抛光垫进行适当的修整可以增加抛光垫表面粗糙度、使材料去除率趋于一致。与离线修整相比较,在线修整时修整效果比较好。  相似文献
2.
CMP抛光半导体晶片中抛光液的研究   总被引:7,自引:1,他引:6  
本文分析了化学机械抛光(CMP)半导体晶片过程中抛光液的重要作用,总结了抛光液的组成及其化学性能(氧化剂、磨料及pH值等)和物理性能(流速、粘性及温度)对抛光效果的影响规律,研究发现:酸性抛光液常用于抛光金属材料,pH最优值为4,碱性抛光液常用于抛光非金属材料,pH最优值为10~11.5;氧化剂能有效提高金属材料的抛光效率和表面平整度;磨料的种类、浓度及尺寸会影响抛光效果;分散剂有助于保持抛光液的稳定性;抛光初始阶段宜采用较低流速,然后逐渐提高;抛光液的粘性会影响晶片与抛光垫之间的接触模式、抛光液的均布、流动及加工表面的化学反应;抛光液温度的升高有助于提高抛光效率.最后本文指出了抛光液循环使用的重要意义及常用方法.  相似文献
3.
Method of surface treatment on sapphire substrate   总被引:5,自引:0,他引:5  
Sapphire single crystals are widely used in many areas because of the special physic properties and important application value. As an important substrate material, stringent surface quality requirements, i.e. surface finish and flatness, are required. The use of CMP technique can produce high quality surface finishes at low cost and with fast material removal rates. The sapphire substrate surface is treated by using CMP method. According to sapphire substrate and its product properties, SiO2 sol is chosen as abrasive. The particle size is 15-25 nm and the concentration is 40%. According to the experiment results, pH value is 10.5-11.5. After polishing and cleaning the sapphire surface, the surface roughness was measured by using AFM method and the lowest value of Ra 0.1 nm was obtained. From the results, it can be seen that using such method, the optimal sapphire surface can be gotten, which is advantageous for epitaxial growth and device making-up.  相似文献
4.
GaN基LED衬底材料化学机械抛光研究进展   总被引:5,自引:5,他引:0       下载免费PDF全文
概述了化学机械抛光作用机制,着重阐述了3种常见衬底(α-Al2O3,SiC,Si)的化学机械抛光现状,主要从抛光工艺参数和抛光液组成(不同磨料、磨料粒径、氧化剂、络合剂、pH值等)对晶片抛光效果的影响展开研究,并指出了目前化学机械抛光存在的问题,进一步展望了LED衬底化学机械抛光的发展前景。  相似文献
5.
The electrochemical behavior of silicon wafer in alkaline slurry with nano-sized CeO2 abrasive was investigated. The variations of corrosion potential (φcorr) and corrosion current density (Jcorr) of the P-type (100) silicon wafer with the slurry pH value and the concentration of abrasive CeO2 were studied by polarization curve technologies. The dependence of the polishing rate on the pH and the concentration of CeO2 in slurries during chemical mechanical polishing(CMP) were also studied. It is discovered that there is a large change of φcorr and Jcorr when slurry pH is altered and the Jcorr reaches the maximum (1.306 μA/cm^2) at pH 10.5 when the material removal rate(MRR) comes to the fastest value. The Jcorr increases gradually from 0.994 μA/cm^2 with 1% CeO2 to 1.304 μA/cm^2 with 3% CeO2 and reaches a plateau with the further increase of CeO2 concentration. There is a considerable MRR in the slurry with 3% CeO/at pH 10.5. The coherence between Jcorr and MRR elucidates that the research on the electrochemical behavior of silicon wafers in the alkaline slurry could offer theoretic guidance on silicon polishing rate and ensure to adjust optimal components of slurry.  相似文献
6.
铜化学机械抛光材料去除机理研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
本文根据铜CMP过程中表面材料的磨损行为,建立了铜CMP时的材料去除率构成成分模型,并通过材料去除率实验,得出了各机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率及其作用率:当np=nM=200r/min时,有最佳材料去除率,此时单纯的机械作用率为9.2%;单纯的化学作用率为仅为2.1%,抛光垫的机械与化学交互作用率为5.08%;磨粒的机械与化学交互作用率为83.6%。通过对实验结果进行分析,可得如下结论:硅片化学机械抛光中,一定的参数下有一个最优的抛光速度;在最优的速度下,机械与化学之间交互作用达到平衡,这时可获得最高的材料去除率;硅片化学机械抛光过程是一个多变的动态过程,仅仅通过增加机械作用或化学作用不能获得理想的材料去除效果。本文的研究结果可为进一步研究硅片CMP时的材料去除机理提供理论参考依据。  相似文献
7.
弱碱性抛光液中铜化学机械抛光的电化学行为   总被引:2,自引:0,他引:2  
在弱碱性介质里以铁氰化钾为钝化剂,对铜化学机械抛光技术(CMP)过程中的电化学行为进行了在线测试,考察了铜在无铁氰化钾存在下的极化行为及铁氰化钾浓度对腐蚀电位的影响,研究了在不同压力下铜抛光前后的腐蚀电位(φE)和腐蚀电流密度(JC)的变化规律,比较了抛光前及抛光过程中铜极化曲线的变化。定性地通过成膜的快慢及抛光过程中腐蚀电流密度的大小来说明抛光速率的高低,证明了以弱碱性溶液为介质,铁氰化钾为成膜剂,纳米γ-Al2O3为磨粒的CMP配方的可行性。  相似文献
8.
化学机械抛光过程抛光液作用的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
化学机械抛光(CMP)已成为公认的纳米级全局平坦化精密超精密加工技术。抛光液在CMP过程中发挥着重要作用。介绍了CMP过程中抛光液的作用的研究进展,综合归纳了抛光液中各组分的作用,为抛光液的研制和优化原则的制定提供了参考依据。  相似文献
9.
以无皂乳液聚合法制备的不同粒径聚苯乙烯(Ploystrene,PS)微球为内核,以硝酸铈和六亚甲基四胺为原料,采用液相工艺制备具有核壳结构的PS-CeO2复合微球.利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、场发射扫描电镜(FESEM)、傅里叶转换红外光谱仪(FT-IR)和热重分析仪(TGA)等对样品的成分、物相结构、形貌、粒径以及团聚情况进行表征.将所制备的PS-CeO2复合微球作为磨料用于二氧化硅介质层的化学机械抛光,用原子力显微镜(AFM)观察抛光表面的微观形貌,测量表面粗糙度.结果表明:所制备的3种PS微球呈单分散规则球形,粒径分别约为120、170和240 nm;3种PS-CeO2复合微球具有核壳结构,粒径分别约为140、190和260nm,CeO2壳厚约为10 nm.随着PS-CeO2复合磨料粒径的减小,抛光表面粗糙度随之降低,经样品F1抛光后表面在10 μm× 10 μm面积范围内粗糙度的平均值(Ra)及其均方根(Rms)分别为0.372和0.470 nm.  相似文献
10.
包覆结构CeO_2/SiO_2复合磨料的合成及其应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
以正硅酸乙酯水解所得的SiO_2微球为内核,采用均匀沉淀法制备具有草莓状包覆结构的CeO_2/SiO_2复合粉体.利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪(XPS)、动态光散射仪和Zeta电位测定仪等手段,对所制备样品的物相结构、组成、形貌和粒径大小进行表征.将所制备的包覆结构CeO_2/SiO_2复合粉体用于硅晶片热氧化层的化学机械抛光,用原子力显微镜(AFM)观察抛光表面的微观形貌,测量表面粗糙度,并测量材料去除率.结果表明:所制备的CeO_2/SiO_2复合颗粒呈规则球形,平均粒径为150~200 nm,CeO_2纳米颗粒在SiO_2内核表面包覆均匀.CeO_2颗粒的包覆显著地改变复合颗粒表面的电动力学行为,CeO_2/SiO_2复合颗粒的等电点为6.2,且明显地偏向纯CeO_2;CeO_2外壳与SiO_2内核之间形成Si-O-Ce键,两者产生化学键结合;抛光后的硅热氧化层表面在2 μm×2 μm范围内粗糙度为0.281 nm,材料去除率达到454. 6 nm/min.  相似文献
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号