用于雷达的新型真空电子器件

真空电子器件在雷达的发展历程中发挥了重要作用,是雷达系统的核心器件,两者相辅相成、相互促进。随着设计仿真能力的不断提升,以及新材料新工艺的出现,真空电子器件出现了一些新的发展动向。器件性能不断提升,也出现了一些新型真空电子器件,这都为新型雷达探测技术的发展提供了很好的器件支撑。该文从微波毫米波器件及功率模块、集成真空电子器件、太赫兹、大功率和高功率5个方面介绍了真空电子器件新的发展趋势以及所取得的最新研究成果。     

真空电子器件工作和非工作可靠性的探讨

论述了几个军用真空电子器件在不同应用条件下的工作和非工作的可靠性情况 ,提出器件在非工作贮存期内的预计失效率模型 ,并讨论在长期非工作贮存期内出现的失效机理及定性得出存放寿命与时间相关的结论。     

微波真空电子器件的发展与应用

根据真空电子器件的工作原理,其百年发展史可分为三个阶段:以静电控制的普通电子管阶段、以动态控制原理工作的微波真空电子器件阶段、基于相对论效应的新型器件阶段,每个阶段的代表管型在各自的应用领域都发挥了重要的作用。随着电磁波谱的开发利用,微波真空电子器件的技术水平向高频率、高功率、高效率方向发展,推动着军用装备和工业应用的不断拓展,特别在航天领域有长足发展。本文综述微波真空电子器件在厘米波段、毫米波段和太赫兹波段技术发展和装备应用概况,探讨未来的发展方向。     

真空电子器件用Ga基堵漏钎料的研究

研制成功三种无氧铜真空电子器件堵漏钎料。应用扫描电镜、能谱分析仪、微观硬度仪,研究了三种钎料形成的扩散接头界面连接情况,进行了不同扩散温度下的对比试验。结果表明：三种钎料都能与无氧铜形成良好的相互扩散效果;在三种钎料中,Ga-15In钎料与无氧铜形成的相互扩散效果最好;在不同扩散温度下进行试验,Ga-15In钎料在650℃达到与无氧铜形成的相互扩散效果最佳。     

折叠波导慢波结构太赫兹真空器件研究

简要介绍了利用折叠波导慢波结构的太赫兹真空辐射源的发展现状，重点对折叠波导慢波结构的特点进行了研究，并利用这种慢波结构开展了W、D波段行波管，W波段和650GHz返波振荡器，560GHz反馈振荡放大器的设计、计算和模拟优化，分别得到了较好的结果，并实际研制出W波段连续波行波管，输出功率达到8W。对太赫兹真空辐射源的部件技术、微细加工技术进行了研究和分析。     

场发射技术在强流真空电子器件中的应用

阴极电子源是强流真空电子器件的核心部件,热阴极存在热辐射能耗大、开启时间偏长、高温下材料蒸发等缺陷。以碳纳米管(CNT)为代表的场发射技术在克服热阴极缺陷、提高器件性能上显示了卓越的潜力。本文回顾了基于CNT、场发射阵列等场发射阴极的强流器件(微波管、X射线管等)的发展现状,并对场发射技术存在的不足和可能的解决途径进行了讨论。     

太赫兹真空电子器件用场发射阴极技术分析

本文阐述了太赫兹真空电子器件对阴极电子源的需求条件,分析了在该器件中应用场发射阴极的可能性。介绍了当前两种主要场发射阴极,即金属薄膜场发射阴极和碳纳米管场发射阴极的国内外发展情况,指出了它们各自的优势以及实际应用中存在的障碍,并提出了相应的解决途径。试验和分析结果表明,场发射阴极具有很好的太赫兹真空电子器件应用前景。     

第十六届国际真空电子学会议(IVEC-2015)征文通知

正2015年4月27-29日,北京IEEE第十六届国际真空电子学会议(IVEC-2015)将于2015年4月27日至29日在北京国际会议中心举行。国际真空电子学会议起源于2000年,现在已经成为国际上真空电子器件和系统研究领域的盛会,每年都有来自世界各地的知名专家参会。第十六届国际真空电子学会议由IEEE Beijing Section、中国电子科技集团公司第十二研究所和大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室联合主办。     

第十六届国际真空电子学会议(IVEC-2015)征文通知

正2015年4月27-29日,北京http://cie-china.org/icec2015IEEE第十六届国际真空电子学会议(IVEC-2015)将于2015年4月27日至29日在北京国际会议中心举行。国际真空电子学会议起源于2000年,现在已经成为国际上真空电子器件和系统研究领域的盛会,每年都有来自世界各地的知名专家参会。第十六届国际真空电子学会议由IEEE Beijing Section、中国电子科技集团公司第十二研究所和大功率     

真空电子器件输出窗次级电子倍增效应研究进展

真空电子器件在毫米波和太赫兹波频段具有大功率的天然优势，可用于构建高效率、大功率的毫米波和太赫兹辐射源，对高功率微波技术及太赫兹技术的发展具有十分重要的意义。输出窗是真空电子器件的关键部件，输出窗击穿是器件失效的主要原因之一，而次级电子倍增效应被认为是输出窗击穿的主要原因。本文梳理了目前分米波及厘米波波段真空电子器件输出窗的研究现状，在此基础上梳理了这一领域未来研究的主要发展方向，以期为未来真空电子器件向更高功率和更高频率等级发展提供参考。