聚硅烷的电子特性及非线性光学材料

综述了聚硅烷的电子结构、光吸收特性。重点介绍了聚硅烷在非线性光学材料中的研究与应用。     

光学材料

聚合物光波导=ボリマ光导波路[日]／今村三郎／/し-ザ-研究．-2004，32(9)．-581～590     

用迁移率和载流子浓度研究碲镉汞中的深能级

获得了一种研究碲镉汞深能级的方法。通过分析迁移率 载子浓度与温度的关系，可以得到关于深能级的重要依据。     

一种新型有机非线性光学材料的Z扫描研究

ＰＤＡＢＳ－１［５－（２－硫甲基－４－甲基）－嘧啶基－戊二炔－１－醇－４－Ｎ，Ｎ二甲氨基偶氮苯－４＇－磺酸酯］ＴＨＦ溶液的三阶光学非线性极化率χ＾（３）的Ｚ－扫描测试显示在单光子吸收区附近该材料的非线性由饱和吸收所支配。在波长为５３２ｎｍ，脉宽为１００ｐｓ的激光作用下，其非线性极化率实部Ｒｅχ＾（３）为－４．２００×１０＾－９ｅｓｕ，对应的非线性折射率值ｎ２为－１．２９９×１０＾－１１ｅｓｕ〈０，     

Ce,Eu双掺BSO晶体光折变效应研究

在ＢＳＯ晶体中同时掺入Ｃｅ和Ｅｕ离子，生长了Ｃｅ：Ｅｕ：ＢＳＯ晶体，对晶体的二波耦合和四波混频性能了测试。结果表明，Ｃｅ和Ｅｕ离子对晶体的光折变效应起到了增强的作用。     

碲镉汞外延晶膜的不稳定性

利用变温和变磁场霍尔测试对在空气室温环境长期存放的碲镉汞液相处延晶膜作了定期的检测，结果表明，晶膜的电学性质随时间有明显的改变，本文采用非均匀晶膜的层状模型对晶膜的不稳定性作了详细的分析。     

影响碲镉汞晶体电子迁移率的主要因素

通过把迁移率的实测值与影响ＨｇＣｄＴｅ晶体电子迁移率的主要散射机构进行对比，得出结论：位错是ＨｇＣｄＴｅ晶体低温电子迁移率降低的主要原因。     

共轭高分子三阶非线性光学材料

概述了ｎ－共轭高分子材料的三阶非线性光学性质，着重讨论了化学结构对其光学非线性的影响，说明了ｎ－共轭聚合物的三阶非线性极化率主要取决于共轭主链的结构，侧链取代基的变化对其非线性影响不大，文中展望了共轭高分子材料在集成光学中的应用前景。     

一种新型有机非线性光学材料的光折效应及其产生机理

本文介绍了一种新近研制的光折聚合物。实验表明，除去吸收和反射，入射光束经聚合物后的第一布拉格衍射效率高达８６％，材料也显示出双光束耦合的净增益高于２４０ｃｍ＾－１。这些结果表明，这种新型研制的光折聚合物材料是替代无机光折晶体的实用材料。