“碳化硅功率半导体技术”专题前言

半导体功率器件(即电力电子器件)是电力电子技术的三大核心基础之一,被比作电力电子装置的“CPU”。现有功率器件多采用Si基或SOI基,但是受限于自身材料特性的影响,在节能与转换效率方面越来越显示出他们的局限性。为解决上述问题,半导体功率器件除了继续对传统器件进行新理论和新结构的创新研究外,也正在遵循“一代材料、一代器件、一代装置、一代应用”的发展趋势,从传统的Si基和SOI基向宽禁带半导体SiC和GaN基进行扩展和延伸。     

VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。     

比亚迪半导体获国家高新技术企业认定

根据国家《高新技术企业认定管理办法》相关规定,比亚迪半导体股份有限公司春节前已通过国家高新技术企业认证,并正式收到了《高新技术企业证书》,这将进一步推动公司自主创新、自主研发的进程。荣誉之下砥砺奋进逐梦前行每一份荣誉和认可的背后,离不开比亚迪半导体将近二十年的技术支撑和沉淀,以及对产品的不断优化和持续创新。     

第三代半导体碳化硅单晶衬底企业同光晶体完成A轮融资

近日,第三代半导体碳化硅单晶衬底企业河北同光晶体有限公司(同光晶体)完成A轮融资,投资方之一为国投创业。本轮融资助力同光晶体实现涞源基地6英寸碳化硅衬底项目快速扩产和现有产品优化提升。目前,同光晶体的4英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底主要用于制造高端射频芯片,其各项技术指标均达到国际先进水平;在导电型衬底方面,同光晶体6英寸产品满足电力电子器件的各方面技术要求,已具备批量生产条件,并在知名客户处形成应用。     

半导体侧面抽运板条激光器光束质量优化

为了优化高功率板条激光器的光束质量, 采用提高单侧基模光束的尺寸来限制腔内部分高阶模式振荡的方法, 针对半导体侧面抽运板条激光器, 测量了激光器在抽运状态下水平和竖直方向热焦距, 建立了热透镜等效模型, 并以平-平腔为参考, 设计了水平和竖直方向单侧基模尺寸均会扩大的平-凹腔。验证了对于激光介质截面尺寸固定的板条激光器, 扩大单侧基模尺寸可以限制高阶模式从而优化光束质量, 并提出了进一步优化板条激光器性能的研究方法。结果表明, 当平-凹腔的腔长为370mm时, 输出功率为59.9W, 水平方向M2因子由平-平腔的115.6显著优化至32.9, 竖直方向M2因子由116.4显著优化为60.9。该研究对于板条激光器获得高质量输出及相关应用有实际意义。