聚合物阴极钽电解电容器被膜技术研究

研究了以导电聚合物PEDOT作为阴极材料的高频低ESR有机片式固体钽电解电容器的被膜技术,重点讨论不同的聚合温度、掺杂浓度和驱溶温度对降低片式固体钽电解电容器ESR的影响.研究结果表明当聚合温度为0～10℃、掺杂浓度为3%(W),驱溶温度80℃时,将得到致密的主链掺杂有效的PE-DOT膜层,从而得到较低的ESR,并表现...     

钛酸锶缺隐化学研究进展

综述了未掺杂及掺杂钛酸锶的缺陷，钛锶比的影响以及钛酸锶的缺陷化学热力学等方面的研究进展。     

固体铝电解电容器用导电高分子制备工艺进展

依据近年的相关专利,综述了用于固体铝电解电容器的导电高分子的最新制备工艺,介绍了导电高分子固体铝电解电容器的结构,详细描述了制备导电高分子的两种主要方法——化学聚合和电化学聚合——及其进展历程。介绍了新颖掺杂剂的发现与使用,对各种工艺的特点进行了评述。     

Al2O3,CaO对多元掺杂YSZ电解质材料性能的影响

采用高温固溶法制备了Dy2O3,Sc2O3和Yb2O3多元掺杂YSZ材料,试样高温电导率得到大幅度提高(1000℃,0.18S/cm),但材料烧结性与机械强度有待改善.为此,在多元掺杂YSZ材料中继续掺入少量Al2O3和/或CaO以研究其影响.添加少量Al2O3提高了试样烧结密度( ～4.6%)和机械强度(～30%),而保持电导率变化不大;添加少量CaO虽然使烧结密度略微增大,但却降低了试样电导率(～50%)和机械强度.XRD分析显示试样保持稳定立方萤石结构,且晶格常数发生变化.显微结构分析表明,复合添加剂的掺入促进了晶粒的生长,晶粒尺寸较大.     

掺杂聚对苯搅的导电性能与结构

选用ＦｅＣｌ３．６Ｈ２Ｏ作为掺杂剂对聚对苯撑进行了掺杂，获得导电的聚本撑。讨论了掺杂时间和温度对其电导率的影响，并借助元素分析，红外光谱、电子自旋共振波谱等方法对掺杂前后的聚对苯撑的结构进行了研究，红外光谱分析发现掺杂后有新的吸收峰出现，电子自旋共振波谱分析证实掺杂聚对苯撑中有未成对自由基存在，同时，对掺杂机理进行了初步探讨。     

WO3中的掺杂及其气敏特性

在ＷＯ３微粉料中掺入１ｗｔ％的不同金属氧化物或金属盐，使ＷＯ３的气敏性能明显变化，掺入Ｔｈ＾＝４，Ｃｄ＾＋４，Ｌｉ＾＋１，Ａｇ＾＋１等可提高对Ｈ２Ｓ的灵敏度，掺入Ｒ＾＋３，Ｔｈ＾＋４，Ｃｅ＾＋４等可增加对乙醇等气体的灵敏性，而对Ｈ２，ＣＯ，ＣＨ４，Ｃ４Ｈ１０等不敏感，而且具有良好的响应恢复特性。     

工业还原NS—掺杂蓝钨过程中掺杂剂相的形成和结合

本文叙述了用于生产具有不下垂性能的细钨丝的ＮＳ－掺杂蓝钨工业还原过程中掺杂剂相的形成和结合。在还原过程中结合适量的掺杂剂是钾残留在烧结锭中的基本保证，钾能在丝材制造中形成钾泡串，使在随后的的灯丝工作时形成大晶联锁微结构，而这是不下垂特性的关键所在。本文的第一部分讨论了金属钨粉的工业生产方法。虽然掺杂Ｋ、Ａｌ、Ｓｉ的钨粉的生产方法与末掺杂的钨粉的生产方法基本相同，但仍有一些特别的区别要介绍。本文分析     

离子注入后品圆清洗带来的材料和掺杂剂损失的测量

对45nm及以下技术节点的逻辑器件嗣造来说,经过次数不断增加的高剂量离子注入光阻层的清洗步骤后,仍保持超浅结（USJ）的完整性非常重要。在PMOS区采用SiGe带来了材料方面的又—挑战。一种新型短循环法可精确测量各种去胶储洗工艺造成的非晶硅或SiGe的损失量。     

聚苯胺复合材料的介电性能研究

首先探讨了掺杂剂种类、掺杂剂用量对聚苯胺/聚酰胺纤维复合材料介电常数实部、虚部、损耗角正切、表面电阻的影响;其次研究了其外观形貌。结果表明:掺杂剂种类、掺杂剂用量对聚苯胺/聚酰胺纤维复合材料介电常数实部、虚部、损耗角正切、表面电阻影响较大;制备的聚苯胺复合材料具备良好的介电性能和导电性。     

聚苯胺盐的合成及导电性能研究

用对甲苯磺酸作为掺杂剂对聚苯胺(PANI)进行掺杂，合成了导电聚苯胺盐(ES)。研究了掺杂剂用量、模压压力、模压温度、氧化剂用量对聚苯胺盐电导率的影响。结果表明：随着掺杂剂用量的增加，PANI的电导率也在不断的增大；当ES所受压力较高时，电导率提高；高温使PANI电导率上升；氧化剂与苯胺的最佳配比为1：1。