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1.
用于高频谐振器的PbTiO_3基压电陶瓷   总被引:1,自引:1,他引:0  
传统的PZT压电陶瓷的相对介电常数较大,一般为1 000以上,用于高频谐振器不易与线路匹配;而PbTiO3基压电陶瓷的相对介电常数较小,一般仅为200左右,对于10 MHz以上频率的谐振器,用PbTiO3基压电陶瓷作为压电振子是最佳的选择。本文主要研究用于高频谐振器的MnO2和Nd2O3改性PbTiO3基压电陶瓷的性质。PbTiO3基压电陶瓷的性质的改善是与此种陶瓷的制备工艺,显微结构和电导机制紧密相关的。  相似文献   
2.
研究了稳定ZrO_2和部份稳定ZrO_2对β″-Al_2O_3陶瓷的强化和韧化作用,观察了不同种类、不同含量的ZrO_2对β″-Al_2O_3陶瓷的显微结构、力学性能和电导率的影响,探讨了β″-Al_2O_3的韧化机理。  相似文献   
3.
研究添加不同含量的Ag对CP276合金的拉伸性能和时效组织的影响。对拉伸强度、延伸率测试及透射电镜观察表明:0.11wt%加入可促进T1相析出,使合金强度值升高;0.35wt%Ag的加入可在时效前期生成富Ag、Mg的稳定的GP区,从而降低合金中Cu的固溶度,阻碍T1相析出,时效后期,GP区分解,生成大量T1相,使合金强度值显著升高。  相似文献   
4.
By laser multi-layer cladding using a pulsed Nd-YAG irradiation the thickness of the cladding zone Mgbased alloys(ZM2 and ZM5)can reach about 1.0mm.The microstructure of the substrate and the classing zone was studied using optical microscope.scanning electron microscopy(SEM),X-ray diffractometry(XRD0and micro hardness analysis.It is observed that constituent of ZM5 alloy is δ Mg17Al12,that of ZM2 alloy is α MgZn Mg9Ce.That of cladding layer ZM2 alloy(L-ZM2)is Mg Mg2 Zn11 MgCe;while that of the cladding layer ZM5 alloy(LZM5)is Mg Mg32(Al,Zn)49,The hardness of the cladding area can be increased to values above HV127.Very fine uniform microstructure and the produced new phases of nanometer/sub-micrometer order were obtained.Now,many repaired Mg-based alloy components have been passed by flying test in outside field.  相似文献   
5.
The amorphous/polycrystalline Si3N4/CrN nancrstructured multilayer films have been prepared by radio frequency (RF) reactive magnetron sputtering. The composition, microstructure and mechanical properties of these films were characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray diffraction (XRD), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and nano-indentation. The CrN and Si3N4 single layer films are polycrystalline face centered-cubic and amorphous structures, respectively. The CrN and Si3N4 layers are nearly stoichiometric. The HRTEM image indicates that the interfaces are planar and modulation structure is clear in multilayers. The hardness values of Si3N4/CrN multilayers are between those of the constituent CrN and Si3N4 films at a substrate temperature of 20℃, and are somewhat higher than those of Si3N4 films at a deposition temperature of 500℃. There is no superhardness effect in the Si3N4/CrN multilayers. Based on the experimental results, the hardening mechanisms in the multilayers have been discussed.  相似文献   
6.
7.
利用XRD和SEM观察了在不同衬底材料上用So1-Gel法制备的PZT铁电陶瓷薄膜的显微结构。发现PZT薄膜的结晶性能受衬底材料的影响极大。PZT薄膜在金属铂片上能够很好地结晶,而在单晶硅片上则很难结晶,其在镀铂硅片上的结晶难易程度介于金属铂片与单晶硅片之间。在衬底上制备PT过渡层可以促进PZT薄膜的结晶。  相似文献   
8.
自韧Si3N4陶瓷的显微结构及其性能研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
利用热压的方法制得室温断裂韧性和抗弯强度分别为11.2MPa·m ̄(1/2)、823MPa,高温(1350℃)断裂韧性和抗弯强度分别为23.9MPa·m ̄(1/2)、630MPa的自韧Si_3N_4陶瓷。研究了显微结构和力学性能之间的关系。结果表明:玻璃相的含量、β-Si_3N_4的长径比等对性能有重要影响。分析了自韧Si_3N_4陶瓷的增韧机理,通过SEM明显观察到Si_3N_4中存在裂纹偏转、分支和β-Si_3N_4拔出现象。  相似文献   
9.
研究了氧化锆添加剂对β”-Al2O3陶瓷的显微结构和性能的影响。实验结果表明,添加10%(按体积计)ZrO2可以大大改善β”-Al2O3陶瓷的显微结构,并使其强度有显著提高,与此同时,β”-Al2O3的电导率下降不多。  相似文献   
10.
掺杂对低压ZnO压敏陶瓷材料显微结构及性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文探讨了多种金属氧化物对ZnO-Bi_2O_3-TiO_2系材料的改性作用和对其微结构的影响,为得到预定性能的材料提供了掺杂方面的实验依据。  相似文献   
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