晶体生长炉控制柜和中频加热电源的开发

介绍JTL-400A型晶体生长炉电气控制柜、KGPF25-0.3-2.5型中频加热电源的开发设计及应用，特别是PLC控制的PWM直流伺服系统及专用移相触发芯片TC787在设计开发中的应用。     

布里奇曼法生长碲镉汞晶体的固液界面形态研究

文中综述了布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法生工碲镉汞晶体过程中固液界面形态的研究结果，简单讨论了固液界面形态对组分分布的影响，并将两种技术所得的组分分布结果进行了比较，在分析影响固液界面形态因素的基础上，认为加速坩埚旋转技术是目前改善固液界面形态的有效方法。     

360mm直径的锗晶体生长成功

2005年12月30日，德国的CGS公司和Photonic Sense公司宣布他们已绎成功生长出了世界上最大直径的锗晶体棒。Photonic Sense公司负责晶体的生长，CGS公司提供该晶体生长工艺学的专门技术支持，两个公司合作生长出的锗晶体棒的直径超过了360mm。这种可生长大直径锗晶体的能力事实上提高了该类晶体生长的效率。     

布里兹曼法碲镉汞（Hg1—xCdxTe）晶体生长过程热场的数值分析

用控制容积法对布里兹曼碲镉汞（Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ）晶体生长过程热场分布进行了计算。介绍了控制容积公式的推导和边界条件的处理，并对所得结果进行了分析。虽然碲镉汞晶体生长时热场受系统的影响情况错综复杂，但从本文的研究结果中仍可看出一些明显的规律，可供从事该方面研究工作时参考。     

In－BiCaVIG的晶体生长与性能

本文报导了用助熔剂法成功地生长大尺寸掺铟ＢｉＣａＶＩＧ晶体的方法以及实验结果，介绍了该单晶在近红外区的磁光器件中的重要应用。     

纤维共晶生长界面前沿三维扩散场解析

修正Ｊａｃｋｓｏｎ和Ｈｕｎｔ关于在垂直生长方向截面上溶质扩散各向同性假设，求解三维Ｌａｐｏｌａｃｅ方程，获得纤维共晶生长界面前沿三维稳态扩散场，并证明Ｊａｃｋｓｏｎ和Ｈｕｎｔ的二维模型是实际生长的二维简化和一阶近似，并用丁二腈（ＳＣＮ）一梓脑（ＣＡＭ）纤维共晶系统计算生长界面前沿溶质分布。     

大尺寸氟化铅晶体的生长

描述了不用高真空条件，在通常的Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｓｔｏｃｋｂａｒｇｅｒ炉中，用高温下的反应方法，消除了原料及生长炉内残存的Ｏ＾２－及ＯＨ＾－，生长出优质，大尺寸的β－ＰｂＦ２晶体。在晶体生长时，出现的主要问题是在晶体中的针状结构及开裂，但可通过控制条件来解决。     

晶体生长控制中的高辨力称重系统

论述了晶体生长控制中高分辨力称重系统的实现技术，重点介绍了传感器的选型方法和信号调理电路的设计技术。系统达到了二十万分之一的有效分辨力。     

膜控晶体生长及纳米微粒的形成

膜控晶体生长不同于一般在溶液中的沉淀与结晶，由膜形成的有机界面具有空间定位和空间约束、定域化学控制及成核过程和晶体生长的立体化学专一的特性，使得晶体的结构、形状和尺寸上得到控制，并具有良好的重现性，由此可获得具有光、电以及磁特性的纳米功能材料。研究膜控晶体生长不仅可以模拟生物体系内的生物矿化作用，而且对于材料科学也有着特别重要的意义和应用前景。