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1.
2.
The application of irradiation in silicon crystal is introduced.The defects caused by irradiation are reviewed and some major ways of studying defects in irradiated silicon are summarized.Furthermore the problems in the investigation of irradiated silicon are discussed as well as its properties. 相似文献
3.
FeS2薄膜是极具研究价值的光电转换材料,改善光电转换效率是主要研究方向,而进一步阐明电传导规律和机制是探索改善FeS2薄膜光电转换效率有效途径的前提之一。本文概述了FeS2薄膜电学性能的研究进展,分析了硫化制备工艺及掺杂效应对FeS2薄膜电学性能的影响,介绍了晶界势垒模型、跳跃传导模型及晶体点缺陷理论等FeS2薄膜电传导相关机制,讨论了FeS2薄膜存在的问题及发展方向。 相似文献
4.
利用正电子湮没方法对CdSe单晶中的缺陷进行了研究,通过对不同温度下退火样品正电子湮没寿命的测试分析,表明:在CdSe晶体中存在的点缺陷主要是占优势的镉空位。由正电子湮没寿命和退火温度的关系,研究了硒化镉单晶退火时空位的迁移、合并及消失情况,确定出能减小生长中形成的空位性缺陷浓度并获得较为完整的晶格的最佳退火温度范围为650~800℃。 相似文献
5.
为提高钙钛矿太阳能电池稳定性和转换效率,利用Keithley装置、X射线衍射仪(XRD)、Horiba-Jobin-Yvon系统、扫描电子显微镜(SEM)进行测试分析,采用相同参数对掺入GA的钙钛矿光伏材料MA86GA14PbI3和掺入MA的钙钛矿光伏材料MAPBI3组合进行比较分析,通过光学、结构和形态效应分析,发现GA可以成功地融入到PVSK晶格中,通过GA的使用,结晶度提高,证实了钙钛矿晶胞有轻微的晶格膨胀。经过PL光谱分析,GA显示SSPL强度比MA有显著提高,采用ITO/TIO2/PVSK/Spiro-Ometad/AU平面器件结构改变GA含量,结果表明GA掺入对VOC有明显的增强作用。 相似文献
6.
急冷Cu—Cr—0.05Zr合金强化机理探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
用SEM与TEM考察了急冷Cu-Cr-0.05Zr合金中的晶体缺陷,结果表明,急冷Cu-Cr-0.05Zr合金中的高密度位错与高浓度空位是合金强化的重要因素,固溶铬含量提高,导致形成空位集团,蜷线位错及扩展位错是强化效应进一步提高的另一重要因素。 相似文献
7.
用透射电镜研究了稀土催渗渗离子渗氮层中的晶体缺陷。结果表明,稀土催渗使γ′-Fe4N晶粒显著细化,晶界面缺陷的增加有利于氮原子的扩散。在γ′-Fe4N晶粒内有许多尺寸较小的空位型Frank位错环及其蜷线位错和堆垛层错等晶体缺陷;扩散层铁素体中存在的高密度位错及位错环。大量空位的存在,以及位错吸引空位运动,是加速渗氮的主要原因。 相似文献
8.
9.
用Ti-37.5Zr-15Cu-10Ni钛基非晶钎料真空钎焊纯钛TA1后,研究了钎焊接头界面的显微组织和钎料元素扩散行为。结果表明:钎焊接头由钎焊缝、钎焊缝与母材界面区、细小针条状物扩散区、密集条片状物扩散区和粗大条片状物扩散区组成,对应的组织分别为β相、β相+细小条状α相、魏氏体、粗大魏氏体+(Ti,Zr)2(Cu,Ni)金属间化合物、α相+Ti2(Cu,Ni)+Ti Ni Fe金属间化合物;镍元素向钛基体中扩散的距离最长,铜元素的扩散距离居中,而锆元素的扩散距离最短;锆元素均能与α-Ti和β-Ti形成连续固溶体,但β相固溶锆原子的能力强于α相固溶锆原子的能力,铜元素和镍元素均主要固溶在β相中。 相似文献
10.