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2.
分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。 相似文献
3.
通过电镀法制备片状磁性吸收剂,用SEM、XRD等手段对其进行表征。用网络分析仪测试了不同工艺条件下吸收剂样品2~18GHz的电磁参数,并结合晶粒尺寸因素研究了不同工艺条件下对吸收剂电磁参数的影响.结果表明,不同的工艺条件对吸收剂电磁参数的影响具有规律性,可通过合理配置工艺参数来提高吸收剂的吸波性能。 相似文献
4.
5.
添加抑制剂的浮选脱硫试验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
论述了浮选脱硫的原理,通过对西曲8号煤泥性质的分析,进行了浮选过程中加入XW抑制剂与不加抑制剂硫分的试验比较,结果表明,XW抑制剂可以通过控制浮选过程,有效降低8号浮选精煤的硫分。 相似文献
6.
机械合金化过程中Fe70B30粉末晶粒尺寸和微观应变的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用X射线和电镜研究了Fe_(70)B_(30)粉末经不同时间高能球磨后晶粒尺寸和微观应力的变化。在机械合金化过程中,粉末的X射线衍射谱的宽度随球磨时间的增加逐渐加宽,这是晶粒细化和内部微观应力共同作用的结果。X射线衍射结果表明:随着机械合金化的进行,粉末的晶粒尺寸逐渐减小,球磨初期晶粒尺寸下降较快,经15h球磨,晶粒尺寸为25nm,机械合金化进行到一定时间后晶粒尺寸下降缓慢,80h球磨后晶粒尺寸可达5nm。在机械合金化过程中球磨所造成的微观应变不大,球磨初期粉末的内应力随球磨时间增加而增加,当粉末粒子尺寸很小时,随球磨的进行粉末中的微观应变显著下降。 相似文献
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