GaN中质子辐照损伤的分子动力学模拟研究

本文利用分子动力学方法研究了GaN在质子辐照下的损伤。对不同能量（1~10 keV）初级离位原子（PKA）引起的级联碰撞进行了研究，分析了点缺陷与PKA能量的关系、点缺陷随时间的演化规律、点缺陷的空间分布及点缺陷团簇的尺寸特征。研究结果表明，点缺陷的产生与PKA能量呈线性关系，不同类型的点缺陷随时间演化规律相似，点缺陷多产生在PKA径迹旁，点缺陷团簇多为孤立的点缺陷和小团簇。     

基于PDM的304不锈钢钝化膜生长动力学研究

研究了304不锈钢在不同pH溶液中钝化膜生长规律。结果表明,304不锈钢表面生长的钝化膜为n型半导体,钝化膜内施主密度与施加的电位成反比(除pH=13.4溶液);在钝化区内,稳态电流密度与施加的电位无关,而阻挡层的厚度随施加电位增加而增厚。采用点缺陷模型(PDM)对钝化区的电化学阻抗谱(EIS)数据进行分析计算,拟合出的参数可以用来预测样品随时间的腐蚀进程。计算结果表明,间隙阳离子是阻挡层的主要缺陷,缺陷的扩散系数约为10^-19 cm²·s^-1。     

碱土金属钛酸锶的缺陷化学

本文通过研究铁酸锶的缺陷化学和电性能，开发了一款缺陷化学计算软件，用于计算掺杂钛酸锶材料的缺陷浓度和电性能。     

机器视觉在TFT-LCD点缺陷检测系统中的应用

针对TFT-LCD点缺陷的特征和检测方法,介绍了机器视觉系统的基本构成,提出了一种基于Visual C＋＋6.0集成开发环境,以EURESYS的eVision作为机器视觉和图像处理核心软件的TFT-LCD点缺陷检测方法。实验结果表明,该方法能够快速高效地实现点缺陷的自动检测功能,具有良好的鲁棒性,并为后续复杂缺陷的检测应用提供了一条参考思路。     

Lu2SiO5晶体电子结构的模拟研究

基于密度泛函理论,GGA-PBE交换相关势研究了含氧空位和氧填隙的Lu2SiO5(LSO)晶体的电子结构。详细讨论电子态密度,分析了含氧空位的LGO晶体的电子态密度,结果显示,在禁带中出现了一个新的态密度分布,VO5能产生一个吸收带,该吸收带位于400~500nm之间。     

35t/h冲天炉冷却器大修工艺流程优化及改造

介绍了本公司EC&S 35t/h冲天炉冷却器的使用概况，指出该设备运行多年来目前存在的主要问题，并针对存在的问题进行分析，制定有效可行的设备优化改造方案。通过对角安装法以及增加导流装置等一系列优化改造，解决了EC&S冲天炉存在的问题，保障了设备性能。改造实施后，降低了维修成本，提高了设备可动率，减轻了维修人员的劳动强度，达到了理想的应用效果。     

富碳β-SiC的燃烧法合成及微波介电性能

以硅粉和炭黑为原料,利用燃烧合成法,在0.1MPa 的N_2气氛下合成了β-SiC粉体.对其进行拉曼光谱和SEM表征,结果表明:合成的SiC为含有C反位缺陷C_(si)和石墨态sp~2C的富C β-SiC固溶体.添加剂聚四氟乙烯(PTFE)含量为10%时合成的SiC粉体为等轴状团聚颗粒,粒径约为0.2μm,随着PTFE添加量的增加,SiC粉体颗粒的平均粒径增大.在8.2～12.4 GHz频率范围对所合成SiC的介电常数进行测试,发现15%PTFE时合成的SiC粉体具有较好的介电常数实部ε'、虚部ε"和介电损耗tanδ,对其微波损耗机理进行了讨论.     

声子晶体滤波器中点缺陷位置和大小对透射率的影响

基于二维正方晶格声子晶体滤波器的直接耦合结构,研究了点缺陷的位置和大小对透射率的影响,从而设计出性能最佳的声子晶体滤波器。利用时域有限差分方法,使用COMSOL软件进行仿真,讨论了点缺陷对声子晶体滤波器性能的影响。仿真结果表明:当直接耦合声子晶体滤波器的点缺陷位于线缺陷中间位置、点缺陷处介质柱的填充率为0.022 8时,滤波器的透射率高达92%,符合设计要求。     

点缺陷和Nb掺杂对α-Zr弹性模量各向异性影响的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了点缺陷和Nb原子掺杂对α-Zr力学性质的影响。结果表明,单空位引入使得α-Zr的剪切模量增大,Nb原子掺杂使得α-Zr的剪切模量下降。通过计算含不同点缺陷的α-Zr三维杨氏模量,得到点缺陷引入和Nb掺杂均会使α-Zr结构的各向异性减弱,从而可以在一定程度上缓解因各向异性导致的锆合金辐照效应。