全文获取类型
收费全文 | 16379篇 |
免费 | 906篇 |
国内免费 | 1546篇 |
专业分类
电工技术 | 593篇 |
综合类 | 1263篇 |
化学工业 | 4160篇 |
金属工艺 | 2337篇 |
机械仪表 | 413篇 |
建筑科学 | 240篇 |
矿业工程 | 380篇 |
能源动力 | 139篇 |
轻工业 | 385篇 |
水利工程 | 23篇 |
石油天然气 | 357篇 |
武器工业 | 170篇 |
无线电 | 2585篇 |
一般工业技术 | 3815篇 |
冶金工业 | 1384篇 |
原子能技术 | 395篇 |
自动化技术 | 192篇 |
出版年
2024年 | 4篇 |
2023年 | 478篇 |
2022年 | 482篇 |
2021年 | 397篇 |
2020年 | 436篇 |
2019年 | 572篇 |
2018年 | 303篇 |
2017年 | 370篇 |
2016年 | 329篇 |
2015年 | 539篇 |
2014年 | 977篇 |
2013年 | 773篇 |
2012年 | 897篇 |
2011年 | 1039篇 |
2010年 | 878篇 |
2009年 | 941篇 |
2008年 | 1105篇 |
2007年 | 1035篇 |
2006年 | 859篇 |
2005年 | 691篇 |
2004年 | 688篇 |
2003年 | 515篇 |
2002年 | 526篇 |
2001年 | 483篇 |
2000年 | 362篇 |
1999年 | 288篇 |
1998年 | 304篇 |
1997年 | 266篇 |
1996年 | 372篇 |
1995年 | 320篇 |
1994年 | 280篇 |
1993年 | 227篇 |
1992年 | 253篇 |
1991年 | 271篇 |
1990年 | 225篇 |
1989年 | 238篇 |
1988年 | 28篇 |
1987年 | 30篇 |
1986年 | 9篇 |
1985年 | 8篇 |
1984年 | 11篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 10篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 1篇 |
1959年 | 2篇 |
1957年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
采用固相反应法制备了四方Sr3YCo4-xCuxO10.5+δ(x=0~1.0)多晶。用热重-差示扫描量热分析,X射线衍射研究了多晶的有序化相变及结构。在固溶范围内(x=0~0.4),观察到有序峰(103)和(215),说明四方Sr3YCo4-xCuxO10.5+δ多晶为超结构,这是由于合成时在1000℃以上发生了吸氧(δ)有序化相变;当x=0.6~1.0时,978℃时在晶界处形成了单斜杂相,破坏了Sr3YCo4-xCuxO10.5+δ多晶的有序。当x=0~0.4时,多晶呈半导体输运行为。随着Cu掺杂量的增加,Co4+提供的空穴载流子浓度增大,电阻率明显下降;由于Cu的固溶,自旋熵增加,载流子浓度和自旋熵的共同作用使x=0~0.2多晶的热电势不变,x=0.4的热电势降低。并且Cu掺杂导致的晶格畸变使Co3+离子由高自旋态转变为高/低自旋混合态,磁化强度和铁磁转变温度(Tc)降低,磁结构由G-型反铁磁转变为铁磁。在进行二次烧结后,300K时电阻率明显降低,热电势为一次烧结的2倍,可能是二次烧结使多晶的有序化程度增大,提高了铁磁有序排列。 相似文献
2.
应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P型半导体层以降低基区与发射区之间的电子势垒,并通过引入梯度渐变材料及优化掺杂分布提高基区电场、增强集电区中易趋近于零区域的电场,器件的电流增益截止频率得到显著提升。此外,还列出了InGaP和InGaAsSb材料的禁带宽度和电子亲合势、P型GaAs_(0.51)Sb_(0.49)和InGaAsSb材料的电子迁移率的近似计算公式。 相似文献
3.
采用快速液相烧结法制备Bi1-xPrxFe1-xTixO3(x=0.00、0.03、0.06、0.12)系列多铁陶瓷样品,研究Pr-Ti共掺杂对BiFe O3结构、缺陷、电学和磁学特性的影响。XRD分析结果表明:所有样品均为菱方钙钛矿结构,Pr-Ti共掺杂可有效抑制杂相生成,当掺杂量高于0.06时杂相基本消失,共掺杂引起结构畸变。正电子湮没寿命谱测试结果表明:所有样品中均存在阳离子空位型缺陷,空位尺寸和浓度均随Pr-Ti掺杂量增加而增大。电学和磁学性能测试结果表明:适量Pr-Ti共掺杂可有效提高Bi Fe O3的介电、铁电和磁学性能。综合上述结果,认为BiFeO3多铁性能的改善可能是由于Pr-Ti共掺杂引起晶格畸变、减少氧空位浓度、改变阳离子空位浓度等多种原因引起。 相似文献
4.
辽宁首钢硼铁有限责任公司选矿厂原一、二系列细筛再磨工艺中,筛分作业为“预先+检查筛分”合一,总筛分质效率仅为27.18%,为了降低筛分设备的循环负荷,减少大量细颗粒在二段磨矿中的过磨现象,选矿厂对现场二系列细筛再磨的筛分工艺进行了改造,将预先筛分与检查筛分分开,预先筛分仍使用原有陆凯高频细筛,检查筛分使用振动力7.3 G的德瑞克高频细筛。改造完成后,对二系列的筛分质效率、筛下产物的粒度和TFe品位进行了考查,并与一系列进行对比。结果表明,通过流程改造,二系列的总筛分质效率为38.29%,比一系列的筛分质效率高11.11个百分点,最终筛下产物―0.074 mm粒级含量提高了4.01个百分点,TFe品位由43.33%提高到44.78%,原矿处理能力增加了1.87 t/h。将预先筛分与检查筛分分开后,总筛分质效率、选厂生产效率和精矿TFe品位均得到了提高,选矿厂每年约多增加经济效益752万元,可为其他类似选厂的细筛工艺优化提供参考。 相似文献
6.
以盐酸胍为前驱体,硝酸锆为锆源,通过热聚合法制备了Zr掺杂的Zr/g-C3N4光催化剂。运用XRD、SEM、UV-Vis DRS、PL、XPS、BET等手段对催化剂的结构、形貌、光学性能进行了表征分析。结果表明:Zr掺杂改性的Zr/g-C3N4光催化剂拓宽了可见光的吸收,增大了比表面积,且降低了光生电子-空穴的复合率,具有较好的光催化活性。可见光照射下,在60 min内,5Zr/g-C3N4对罗丹明B(RhB)的光催化降解率达99.29%,光催化降解过程符合一级动力学方程,其速率常数k= 0.08647 min-1,是纯g-C3N4的8.3倍。捕获剂实验发现降解RhB的主要活性物种为超氧自由基,并推测了可能的反应机理。 相似文献
7.
以无水SnCl4为主要原料,采用溶胶-凝胶法直接制备出了(Zn, La)共掺杂的SnO2气敏元件,并采用X射线衍射、透射电子显微镜、拉曼光谱和气敏性能测试仪等对样品进行了表征。结果表明,(Zn, La)共掺杂SnO2的物相仍为正方金红石型结构,共掺杂有效地抑制了制备过程中SnO2晶粒的长大。共掺杂SnO2样品的最佳操作电流为110 mA,共掺杂样品SL-5对100 mg/L乙醇气体的选择性最好(灵敏度为100),远远优于未掺杂SnO2(灵敏度为48)的,且样品SL-5的响应时间和恢复时间都比较短,分别为9和7 s,而未掺杂SnO2相应的响应时间和恢复时间分别为15和11 s。 相似文献
8.
为提高催化剂抗砷能力,采用密度泛函理论(DFT)方法研究As2O3在α-Fe2O3(001)表面的吸附行为以及掺杂Mo、Mn、Ni对α-Fe2O3(001)表面As2O3吸附行为的影响。建立As2O3在α-Fe2O3(001)表面吸附模型和Mo、Mn、Ni掺杂的吸附模型,计算As2O3在催化剂表面的吸附能,分析成键态密度以及掺杂前后的As2O3在α-Fe2O3(001)表面的电荷布局。结果表明:这4种体系均发生电子转移,Mo掺杂活化了As2O3分子,使得As2O3倾向于吸附在Mo活性位点上,保护了Fe活性位点,... 相似文献
9.