PbTiO_3-CoFe_2O_4磁电复合材料的结构和电性能

采用传统固相烧结法制备不同组分的PbTiO3-CoFe2O4磁电复合材料,采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等手段进行分析表征。结果表明:PbTiO3-CoFe2O4复合材料的复合形式为0-3型。1 100℃烧结的PbTiO3-CoFe2O4复合材料具有良好的相结构,同时具有明显的铁电性和铁磁性。PbTiO3-CoFe2O4复合材料的磁性能呈现规律的变化,介电常数却由于元素扩散和铁磁相的约束及稀释作用等原因产生了异常的变化。     

Bi0.75Sr0.25MnO3的多铁性

采用溶胶-凝胶的方法制备了Bi0.75Sr0.25MnO3化合物,并对其结构、磁性质、铁电性进行了研究。X射线衍射结果显示样品为单相钙钛矿结构,电阻率和差热实验证实了样品在590K的温度附近发生了电荷有序相变。磁性质测量表明样品在低温下（5K）为铁磁性。电滞回线测量显示样品在室温下最大的剩余极化强度Pr为4．47×10^-3／μC／cm^2分析表明：样品中的多铁性来源于Bi^3＋的缸。孤对电子和电荷有序相变导致的晶格畸变效应。     

组合法制备Pb(ZrxTi1-x)O3铁电薄膜及性能研究

为了系统地探讨Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT)薄膜组成-结构-性能之间的规律,在室温和无蒸馏回流条件下,利用配制的前驱溶液PT(Pb和Ti的金属有机物溶液)和PZ(Pb和Zr的金属有机物溶液)及组合化学法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上简单快捷地制备了一系列Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜.XRD分析表明,薄膜具有钙钛矿结构,择优取向为(111),晶格参数变化规律与传统方法制备的PZT薄膜的结果一致.x=0.3的前驱体在200℃附近出现特殊的热分解现象.XPS测试结果证实薄膜成分基本符合理论值,SEM结果显示薄膜界面清晰,与基片接触良好,厚度在450 nm左右.电滞回线测试表明,富钛区样品剩余极化与矫顽场都较大;近准同型相界附近样品具有良好的铁电性,剩余极化较大且矫顽场较小;富锆区样品剩余极化与矫顽场较小,出现反铁电特征.     

YMnO_3掺杂对BCZT无铅压电陶瓷性能的影响

采用传统固相法成功制备了(1-x)(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.05Ti0.95)O3-xYMnO3(BCZT-YMn)无铅压电陶瓷,研究了YMnO3掺杂对BCZT陶瓷相结构及电性能的影响。结果表明,陶瓷在相变中出现了铁电性优化的现象,当x=0.060时,获得了较佳的铁电性能,外加电场强度为4kV/mm时,其剩余极化强度为18.03μC/cm2,矫顽电场强度为0.9kV/mm,室温下介电常数为3 375,最大介电常数为3 507。当x>0.060时,铁电性突变消失,介电性出现居里峰展宽的现象,同时居里温度亦随之变化。     

(Bi,Yb)4Ti3O12薄膜退火研究

采用溶胶-凝胶旋涂法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地沉积出(Bi,Yb)4Ti3O12[Bi3.4Ybo.6Ti3O12,BYT]铁电薄膜.系统地研究了退火温度对BYT铁电薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能(剩余极化强度)的影响.揭示了退火温度对BYT薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能有着明显的影响,给出了最佳退火温度为700℃左右.     

KH570对PZN-PZT/PVDF压电复合材料性能的影响

采用丙烯酰氧基的硅烷偶联剂(KH570)对压电陶瓷锌铌锆钛酸铅(PZN-PZT)进行表面改性.然后将改性后的PZN-PZT陶瓷粉体与聚偏二氟乙烯(PVDF)复合,制备出PZN-PZT/PVDF 0-3型压电复合材料,研究了KH570含量对压电复合材料铁电性、介电性及压电性能的影响.结果表明:KH570的加入有效地改善了复合材料的压电性,当KH570含量为1.2%时压电复合材料的d33达到29.8pC/N.     

钛酸铅微晶玻璃介电性能研究

主要对钛酸铅系铁电性微晶玻璃的介电性能做了研究,研制的微晶玻璃初始组成由形成主晶相的氧化物和形成玻璃相的氧化物构成,经过熔融、热处理可以得到以钛酸铅为主晶相的微晶玻璃,分析了不同组成情况下微晶玻璃的介电性能.     

钛酸钡陶瓷铁电临界尺寸的研究进展

钛酸钡是应用和研究最多的铁电体之一。本文从实验和理论上对钛酸钡铁电临界尺寸的研究进展进行了综述。     

ATaO_3（A=K,Na）电子结构和光学性质的第一性原理研究

采用第一性原理广义梯度近似（GGA）下的全电势线性缀加平面波（FP-LAPW）方法计算出立方相ATaO3（A=K,Na）的电子能带结构、态密度,发现了其光学性质.通过对两种材料的对比分析发现,KTaO3和NaTaO3价带顶均出现在0.15089eV处,KTaO3的导带底在2.02849eV处,NaTaO3的导带底在2.27339eV处,NaTaO3比KTaO3的导带底高,因而禁带宽度较大;NaTaO3中Ta5d电子和O2p电子之间的轨道杂化比KTaO3中的轨道杂化弱,Na的粒子性较K更强,因此,NaTaO3的光催化活性明显大于KTaO3.     

室温下Sol-Gel法制备BiFeO3薄膜的铁电和介电性

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,在LaNiO3包覆的SiO2/Si衬底上采用不同退火工艺制备了BiFeO3薄膜。原子力显微镜研究表明,薄膜表面光滑,并由不同大小的晶粒组成。X-射线表明不同样品结晶程度不同,并根据不同的退火工艺分别呈(010)择优取向和随机取向。2种取向的薄膜的双剩余极化强度分别为2.84μC/cm2和2.56μC/cm2。择优取向的薄膜在低频下的介电常数和介电损耗较大,且其薄膜中观察到大漏电流。并对两薄膜的导电机制用空间电荷限制的电导理论进行了分析。