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1.
高面板坝的变形对面板的安全运行有着特别重要的影响,国内外已建的高面板坝工程中,因坝体变形大导致防渗面板挤压破损,坝体渗漏量大的实例较多,不得不降低水库水位进行修复处理,造成较大的经济损失乃至给大坝的长期运行留下安全隐患。通过发生挤压破损的实例分析,发现变形控制缺乏系统性是发生面板挤压破损的主要因素,为预防面板破损,系统提出了“控制坝体总变形,转化有害变形,适应纵向变形”的坝体变形控制方法,并在使用软硬岩混合料筑坝的董箐面板堆石坝中得到的应用,取得了良好效果,该工程运行至今达十余年,未见面板有挤压破损迹象,该方法对建设200 m以上乃至300 m级超高面板坝具有重要借鉴意义。 相似文献
3.
评估星载红外高光谱仪器观测资料的质量可以推进其在数值天气预报中的应用。使用2020 年 7 月 FY-4A 红外高光谱干涉式大气垂直探测仪 (Geostationary Interferometric Infrared Sounder, GIIRS)观测数据,分析GIIRS所有通道观测噪声随视场和纬度的变化、偏差 (观测亮温与辐射传输模式模拟亮温的差) 随时间、视场、纬度和天顶角的分布来评估 GIIRS 观测资料质量。研究结果表明:波段727.5~733.8 cm?1、1107.5~1130 cm?1和1650~1776.9 cm?1的观测噪声超出仪器灵敏度设计指标,且这些通道的偏差和偏差标准差明显大于其他通道;除了长波观测噪声大的通道外,其余通道噪声等效温差NEdT在32×4阵列上均呈“中间小,两边大”的特征,且NEdT的分布不随纬度带和FOR阵列而改变,在进行GIIRS资料同化或变分反演时,其观测误差只用考虑不同通道在32×4阵列内的NEdT分布;由于数值预报模式的地表温度在白天时值偏低,使得模拟辐射量偏低,造成偏差绝对值减小,使偏差有明显的日变化;中波通道偏差特征基本不随32×4面阵的列而改变,主要与阵列中的行有关,在中波通道进行偏差订正时可以针对32×4面阵中行开展,基本不需要纬度带和卫星天顶角的订正。 相似文献
4.
针对高帧频、全局曝光和光谱平坦等成像应用需求,设计了一款高光谱成像用CMOS图像传感器。其光敏元采用PN型光电二极管,读出电路采用5T像素结构。采用列读出电路以及高速多通道模拟信号并行读出的设计方案来获得低像素固定图像噪声(FPN)和非均匀性抑制。芯片采用ASMC 0.35μm三层金属两层多晶硅标准CMOS工艺流片,为了抑制光电二极管的光谱干涉效应,后续进行了光谱平坦化VAE特殊工艺,并对器件的光电性能进行了测试评估。电路测试结果符合理论设计预期,成像效果良好,像素具备积分可调和全局快门功能,最终实现的像素规模为512×256,像元尺寸为30μm×30μm,最大满阱电子为400 ke^(-),FPN小于0.2%,动态范围为72 dB,帧频为450 f/s,相邻10 nm波段范围内量子效率相差小于10%,可满足高光谱成像系统对CMOS成像器件的要求。 相似文献
6.
J. Thomas BRENNA 《粮油食品科技》2022,30(3):7-15
人体大脑和身体的发育,需要从食物中摄取均衡的营养物质。人类大脑是区分人类和其他动物的特征。食物中的必需脂肪酸是机体组织结构和功能的必要组成部分。Omega-6(O6)亚油酸(LA6)是皮肤组织的组成成分,且是炎症、血栓形成、免疫和其他信号分子的前体;Omega-3(O3)α-亚麻酸(ALA3),特别是其长链代谢产物——二十二碳六烯酸(DHA3),是大脑、视网膜和部分神经组织中的关键组分。从富含LA6脂肪酸(缺乏O3脂肪酸)的植物籽中提取出的廉价而优质油脂,是20世纪的西方国家食品工业生产的主要脂肪来源。在代谢通路中,高浓度的LA6脂肪酸可拮抗O3脂肪酸代谢,造成O3脂肪酸不足,因此,在给怀孕动物的饲料中,只提供富含LA6但缺乏O3脂肪酸的油脂作为唯一的脂肪来源,会导致幼崽大脑发育不良。过去20~30年的研究表明,低含量LA6且含DHA3的油脂可改善大脑的功能。近年来的研究较多集中在营养因素对大脑发育的影响,最新研究数据表明,脂肪酸平衡对营养不良儿童的大脑发育尤为重要。世界卫生组织(WHO)越来越重视大脑的营养健康,通过其下属的食品法典委员会,建议用于治疗严重急性营养不良儿童的即食治疗食品中,使用含有均衡脂肪酸组成/构成的脂肪。同样,脂肪酸均衡对老年人可能也很重要。目前,业界已经有了调整油脂成分的方法,以确保脂肪酸均衡,从而维持人体整个生命周期的大脑健康。 相似文献
7.
8.
9.
10.
研究了镍基高温合金GH202在800~1100 ℃高温氧化后晶粒、碳化物和强化相的演变过程。采用透射电子显微镜、扫描电子显微镜和电子背散射衍射对其微观结构进行了表征。结果表明:镍基高温合金的硬度随氧化温度的升高而降低,1100 ℃氧化100 h后,硬度降低了43.5%。800和900 ℃氧化后晶粒生长速度较慢,而经900 ℃氧化后晶界碳化物析出显著增加。在1000和1100 ℃氧化后,晶粒尺寸明显增大。氧化过程中晶界迁移是由晶界两侧自由能差决定,温度越高,晶界向曲率中心迁移越快,大量细小晶粒被吞并形成了大晶粒。大块状碳化物(MC)分解成大量的碳原子,与Cr原子结合形成少量的富Cr颗粒状M23C6。在900 ℃氧化150 h后,M23C6演化为富Ti的M6C。随着氧化温度的升高,碳化物在γ相中回熔。在800、900和1000 ℃氧化后,γ′相逐渐长大,在1100 ℃氧化100 h后,完全溶解于γ相。 相似文献