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1.
Ni-Al2O3纳米复合电镀工艺的初步研究   总被引:21,自引:4,他引:17  
初步研究了复合电镀各工艺条件:电流密度、镀液pH值和温度以及搅拌方式对Al2O3纳米微粒在镍基复合镀层中含量的影响。研究表明:电流密度增大不利于提高镀层中纳米微粒的含量;pH值增大也明显使复合量降低;镀液温度升高,镀层中微粒的复合量随之略有改变;电镀时,加强搅拌或适当改变搅拌方式,可以使复合镀居中的纳米微粒含量提高。还利用扫描电镜及能谱对Ni-Al2O3镀层表面进行了观察与分析。  相似文献   
2.
声波测井换能器的激发响应由换能器振动时所表现出来的动态阻抗和激发电路参数决定。而换能器的动态(阻抗)参数随压电晶体及其装配方式(力学边界条件)改变。为了测量换能器动态参数的影响,采用声波测井仪器常用的压电晶体和升压变压器,通过改变激发脉冲宽度和直流电压进行了实验,结果发现:在换能器两端的瞬态响应中,一共有三个二阶网络响应,分别对应于不同的频率。最低的一个影响声波测井波形的基线、与换能器主频接近的一个决定激发效率以及电路与压电晶体之间的匹配关系,是激发电路设计中比较关键的,其参数可以通过导纳圆测量仪器得到。  相似文献   
3.
对电子机柜传统的走线方式进行了分析、解剖,提出了新的走线方案模式,从工艺角度对机柜走线结构进行了改进设计,使之更适合于车载机柜的布线要求。  相似文献   
4.
通过正则变换和幺正变换的方法研究了有互感和电源存在的情况下的介观电容耦合电路的量子涨落。结果表明电荷和电流的量子涨落与电源无关。当电路元件确定时,如果L1/L2的值很大或很小,耦合对涨落的影响很大。互感从有到无的过程中,回路1中电流的涨落和回路中2中电荷的涨落有明显的变化。换句话说,互感的有无对涨落的大小起着举足轻重的作用。  相似文献   
5.
随着印制电路板产业飞速发展,其引发的环境问题日益受到广泛的关注。然而长期以来如何有效地进行环境冲击评估是业内研究的重点和难点。而本文采用了一种智能的简化分析方法来进行全面的环境冲击评估,以提高评估的经济效益和准确度,并希望能为决策者提供一个可供参考的环境冲击评估的理念和方法。  相似文献   
6.
介绍数字正交上变频器AD9857的原理、功能和基本使用方法以及如何通过单片机8051实现对它的编程控制。  相似文献   
7.
超宽带极窄脉冲设计与产生   总被引:6,自引:0,他引:6  
超宽带(UWB)技术是以持续时间极短的脉冲作为传输载体进行数据通信的无线新技术。基于BJT雪崩特性,本文采用并行同时触发的工作方式,设计并产生了高重复速率的UWB脉冲电路发生器,极大地减少了时延,缩短了上升时间,提高了脉冲的幅度,并从等效电路法的观点分析计算了脉冲的特性参数,理论结果与实测结果具有较好的一致性。  相似文献   
8.
本文提出新型布线算法,集李氏迷宫法与线搜索法的长处为一体,以饱和带法进行动态排序,以线搜索法确定借孔位置,然后用李氏法进行单层布线,获得最佳路径,从而达到线型好,布通率高的效果。  相似文献   
9.
Generation of Technology-Independent Retargetable Analog Blocks   总被引:1,自引:0,他引:1  
This paper introduces a complete methodology for retargeting of analog cells to different sets of specifications. This methodology is technology-independent, thus allowing the migration, from one technology to another, of the circuit under retargeting. Careful integration of the device sizing and layout generation tasks via the incorporation of layout constraints during the sizing process allows to generate fully functional designs in a few minutes. The methodology is illustrated via the retargeting of a fully-differential Miller-compensated two-stage operational amplifier for a new set of specifications and two different technological processes.An erratum to this article can be found at  相似文献   
10.
基于IP核复用技术的SoC设计   总被引:5,自引:1,他引:4  
概述了国内外IP产业的发展情况,论述了我国发展IP核复用技术SoC设计的可能性和必要性,指出我国急需发展的关键芯片及IP核种类.  相似文献   
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