高性能硅和铌酸锂异质集成薄膜电光调制器 （特邀）

硅基光子集成平台因其高集成度、CMOS工艺兼容性等特点在光通信领域受到了广泛的关注，而电光调制器作为光通信系统中最为重要的器件之一，承担着将电信号加载至光信号上的关键作用，为打破硅基调制器的性能限制，可利用硅和铌酸锂的大面积键合技术以及铌酸锂低损耗波导刻蚀技术实现高性能硅和铌酸锂异质集成薄膜电光调制器，目前该类调制器的性能可达半波电压3 V，3 dB电光带宽超过70 GHz，插入损耗小于1.8 dB, 消光比大于40 dB。文中对比了硅和铌酸锂异质集成调制器的研究现状并介绍了该异质集成薄膜调制器的结构设计与工艺实现方法。     

毫米波三维异质异构集成技术的进展与应用

三维异质异构集成技术是实现电子信息系统向着微型化、高效能、高整合、低功耗及低成本方向发展的最重要方法,也是决定信息化平台中微电子和微纳系统领域未来发展的一项核心高技术。文章详细介绍了毫米波频段三维异质异构集成技术的优势、近年来的发展趋势以及面临的挑战。利用硅基MEMS 光敏复合薄膜多层布线工艺可实现异质芯片的低损耗互连,同时三维集成高性能封装滤波器、高辐射效率封装天线等无源元件,还能很好地处理布线间的电磁兼容和芯片间的屏蔽问题。最后介绍了一款新型毫米波三维异质异构集成雷达及其在远距离生命体征探测方面的应用。     

掺钪AlN材料特性及HBAR器件性能研究

该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e₃₃增加、刚度 下降,导致Al₁-_xSc_xN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al₁-_xSc_xN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。     

BOPET薄膜市场现状分析及发展趋势

基础BOPET全球生产市场需求分析,尤其对中国BOPET的市场需求、市场分布、生产厂家、产能等全方面进行了分析,得出BOPET行业市场发展将向再生利用、生物可降解、绿色改性以及降低单耗等五方面可持续发展.     

PLA/α-生育酚抗氧化包装薄膜的制备及其性能研究

制备了纯聚乳酸(PLA)薄膜、特丁基对苯二酚(TBHQ)-邻苯二甲酸二辛酯(DOP)-PLA薄膜(TDP薄膜)、α-生育酚-TBHQ/DOP/PLA薄膜(αTDP薄膜)三种薄膜,并对比了三种薄膜在抗氧化性、透氧性能、水蒸气透过性、热性能和力学性能方面的差异。红外证明了纯PLA薄膜、TDP薄膜和αTDP薄膜的成功合成,三种薄膜在热重以及表面形貌方面差异不大。TDP薄膜由于TBHQ的存在而具有一定的抗氧化活性,但在添加了α-生育酚之后,αTDP薄膜抗氧化活性得到了显著的提高,能够达到89.8%。将DOP添加到纯PLA薄膜中可降低薄膜的玻璃化转变温度(Tg)。TDP薄膜和αTDP薄膜的Tg在51°C左右,而纯PLA薄膜的Tg约为67°C。将α-生育酚掺入TDP薄膜中,增加了αTDP薄膜的水蒸气透过率和断裂伸长率,降低了αTDP薄膜的透氧性,但依旧表现良好。总体来说,α-生育酚的加入能够显著提高PLA薄膜的抗氧化性且对PLA薄膜的拉伸强度影响不大,却能够有效提高薄膜的断裂伸长率。     

含杂环结构的耐高温聚酰亚胺薄膜

聚酰亚胺(PI)薄膜具有高耐热,高力学性能,低热膨胀系数等优异的综合性能,广泛应用于光伏、微电子、航天航空等领域。探索制备具有更高热稳定性的PI具有重大的应用价值,但是也存在极大挑战。本文介绍了PI的分子设计和合成,综述了耐高温PI薄膜的制备方法以及纳米复合材料改性PI薄膜热稳定性的制备,阐述了近年来PI薄膜在柔性光电器件方面的应用。最后,展望了耐高温PI薄膜未来的发展趋势及需要解决的关键问题。     

无铅钙钛矿的探索性研究

首先对钙钛矿的性质及应用进行了概述,并且对钙钛矿电池的原理和钙钛矿薄膜的制备进行了简要介绍.详细分析了国内外近年对无铅钙钛矿的研究进展,着重分析了使用锡元素和铋元素替代铅元素作为太阳能电池,也简单介绍了诸如二价过渡金属、ⅡA族元素、四价阳离子替代铅元素的研究进展,并对这些替代的元素进行分析,指出优点和不足.最后提出锡元素的低成本和高稳定性在无铅钙钛矿研究和应用生产中有较大的发展前景.