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1.
镁合金微弧氧化陶瓷层显微缺陷与相组成及其耐蚀性   总被引:81,自引:10,他引:71  
利用SEM,XRD及盐雾腐蚀等试验手段,研究了MB8镁合金微弧氧化陶瓷层生长过程中显微缺陷与相组成的变化规律及其对耐蚀性的影响。结果表明:微弧氧化初期,陶瓷层致密,几乎观察不到显微缺陷,随着处理时间的延长及陶瓷层的增厚,其外侧开始出现孔洞类缺陷,直至90%厚度范围布满相互交错的不规则孔洞;陶瓷层主要由MgO,MgSiO3,MgAl4O4和 非晶相组成,随着厚度的增加,陶瓷层中MgO的比例不断增加,而非晶相含量逐渐减少;短时间微弧氧化处理有利于制取艰非晶相为主的致密无缺陷的耐蚀陶瓷层。  相似文献
2.
镁合金微弧氧化陶瓷层生长过程及微观结构的研究   总被引:69,自引:6,他引:63  
利用扫描电镜 (SEM)、X射线衍射 (XRD)等分析手段 ,研究了MB8镁合金微弧氧化陶瓷膜层的生长规律 ,分析了微弧氧化条件下氧化镁膜层致密性和相结构与处理时间的关系。结果表明 ,在微弧氧化初期膜层致密 ,几乎观察不到疏松层 ;随着处理时间的延长及膜层的增厚 ,其外侧开始出现疏松层 ,最终可达到膜层总厚度的 90 %左右。膜层相结构主要由MgO、MgSiO3、MgAl2 O4和无定形相组成。随着膜层厚度的增加 ,膜层中MgO、MgAl2 O4的含量不断地增加 ,MgSiO3 的含量基本不变 ,而无定形相的含量却逐渐减少  相似文献
3.
镁合金微弧氧化陶瓷层的耐蚀性   总被引:46,自引:6,他引:40  
通过NaCl中性盐雾腐蚀试验定性地分析镁合金微弧氧化陶瓷层的耐蚀性,初步研究了陶瓷层表面微观结构对其耐蚀性的影响。结果表明:镁合金微弧氧化陶瓷层的微观组织结构的结合方式和生长方式直接影响其耐蚀性,微弧氧化试样的耐蚀性与陶瓷的厚度有关,陶瓷层厚度的增加并不一定能使其耐蚀性提高。  相似文献
4.
铝、镁合金微弧氧化技术研究现状和产业化前景   总被引:32,自引:2,他引:30  
概述了铝、镁合金微弧氧化处理的研究现状,探讨了微弧氧化陶瓷层的形成机理。根据铝、镁合金的应用背景,采用对比试验法,研究了镁合金微弧氧化处理的耐蚀性和铝合金微弧氧化处理的耐磨性。结合近3年微弧氧化技术的产业化应用效果,举例分析了该技术的适用领域和运行效益。  相似文献
5.
铝合金微弧氧化陶瓷层形成因素的分析   总被引:25,自引:2,他引:23  
通过对铝合金微孤氧化过程中基体成分、电参数、溶液温度、pH值及组分等参数对陶瓷层生长速率及性能的影响的分析,为开发应用提供理论指导。  相似文献
6.
电流密度对镁合金微弧氧化过程及氧化陶瓷膜性能的影响   总被引:19,自引:0,他引:19  
在含有硅酸钠、氟化钠、甘油的电解液中以恒电流方式对镁合金进行微弧氧化。考察了电流密度对放电电压、起火时间及陶瓷膜厚度的影响。利用扫描电镜观察了在不同电流密度下形成的陶瓷膜的表面形貌;通过电化学交流阻抗测量了不同电流密度下得到的陶瓷氧化膜的耐蚀性能。结果表明:在恒电流微弧氧化过程中,依据电压.时间曲线,可简单地分为电压持续增长阶段和电压基本稳定阶段,且随着电流密度的增加,曲线斜率逐渐增大:电流密度的增大,可以降低起火时间,增加陶瓷氧化膜的厚度,但对放电电压并没有明显的影响:随着电流密度的增大,陶瓷层表面微孔数量减少.孔径增大,呈现出的熔融状态更为明显;陶瓷氧化膜的耐蚀性随着电流密度的升高呈现先增强后减弱的趋势。  相似文献
7.
电参数对镁合金微弧氧化陶瓷层致密性和电化学阻抗的影响   总被引:17,自引:0,他引:17  
利用自行研制的微弧氧化设备,研究了MB8镁合金表面微弧氧化处理过程中电参数对陶瓷层致密度、表面粗糙度以及电化学阻抗的影响。结果表明:高频下,陶瓷层的致密度有明显提高;占空比与陶瓷层表面粗糙度成正比;而陶瓷层的电化学阻抗是由频率、占空比等因素共同决定的。  相似文献
8.
能量参数对镁合金微弧氧化陶瓷层耐蚀性的影响   总被引:16,自引:0,他引:16       下载免费PDF全文
用自制的微弧氧化控制电源研究了在硅酸盐溶液体系中电流密度、频率、占空比等能量参数对镁合金微弧氧化陶瓷层的厚度及耐蚀性的影响,并优化了微弧氧化工艺.结果表明:随电流密度增加,陶瓷层厚度呈现线性增加,而耐蚀性表现出先增后减的趋势,在电流密度为3 A/dm2~4 A/dm2时,陶瓷层的耐蚀性最佳;恒流微弧氧化方式下频率与占空比对陶瓷层的厚度影响不大,但对其耐蚀性有一定影响,随频率增加,陶瓷层的耐蚀性越来越好,随占空比增大,陶瓷层的耐蚀性逐渐变差;工艺参数优化所制得陶瓷层的耐蚀性较参数恒定控制有一定的提高.  相似文献
9.
镁合金微弧氧化处理电压对陶瓷层的影响   总被引:16,自引:1,他引:15  
研究了微弧氧化处理中起始电压U始、终止电压U终对陶瓷层的影响,发现电压是决定微弧氧化陶瓷层生长厚度及表面粗糙度的关键.结果表明:当起始电压U始相等时,终止电压U终(或△U)愈高,陶瓷层厚度愈厚;当终止电压U终相等时,起始电压U始愈高,陶瓷层厚度也愈厚.试样的表面粗糙度随微弧氧化处理终止电压U终的升高而增加,与U始变化的关系不明显.  相似文献
10.
铝合金微弧氧化过程的特性研究及机理分析   总被引:15,自引:1,他引:14  
辛铁柱  赵万生  刘晋春 《表面技术》2006,35(1):14-16,30
在硅酸钠和氢氧化钾电解液中利用微弧氧化方法,在2024铝合金上制备了陶瓷膜层.测定了膜层的厚度,考察了微弧氧化过程中放电参数及形成陶瓷膜速率的规律,用X射线衍射仪(XRD)观察分析了其成分及组成,对陶瓷膜的摩擦性能进行了研究,推断了在电极上发生的反应,对陶瓷膜的成膜机理进行了分析.结果表明,随着时间的进行,阴阳极电压逐步升高,开始时膜厚增加较快,以后逐渐变慢,膜层厚度随时间变化不是简单的线性关系.陶瓷膜内含有γ-Al2O3和α-Al2O3相,膜层内外两相含量差异较大,主要是由于冷却速率不同的原因.陶瓷层表面经历了一个熔融、凝固和冷却的过程.陶瓷层由内向外可以分为过渡层、致密层和疏松层,陶瓷膜与基体的结合非常牢固,属于冶金结合.溶液内的Si、K元素和基体内的合金元素Cu在陶瓷膜中都有存在,阴极成分Fe也存在于陶瓷膜中,放电通道中在高的能量密度下生成了Si-Al-O三重复杂化合物.  相似文献
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