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SPWM逆变电源的噪声及抑制研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了SPWM逆变电源的噪声来源 ,并结合实际应用中的问题和调试经验 ,介绍了一些抑制噪声的具体方法 相似文献
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研究了自终止腐蚀停法制备浓硼重掺杂硅薄膜的腐蚀孔问题.许多MEMS结构需要进行2次或2次以上的深刻蚀,有些需要在多次深刻蚀后释放超薄的悬空薄膜结构,这时薄膜表面极易出现微小的腐蚀孔.分析可知,微蚀孔并不完全在第2次腐蚀的过程中形成,而是从第1次深腐蚀过程中对掩膜层的钻蚀开始的.对掩膜层的钻蚀,导致硅表面出现轻微腐蚀,形成细小的凹坑,并在浓硼扩散和第2次深腐蚀中被放大,最终在成膜过程中形成小孔.分析了微蚀孔的成因,提出了工艺上的解决方法,形成了一套重复性好的成膜工艺. 相似文献
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特气红外探测器的温度分析 总被引:1,自引:0,他引:1
为了改进特气红外探测器的性能,本文运用热传导理论,分析了在一定功率的单色均匀红外射线激励下的温度变化情况,提出近似模型建立了吸收腔的热传导方程;求解方程得到了吸收腔内各处温度变化和平均温度变化的确切表达式,分析表明特气红外探测器的响应度(气体平均温升决定)与吸收腔的腔深1成线性关系,与特气吸收系数аλ成非线性关系.进而建立了非单色红外射线激励下的热传导方程,提出求解方法. 相似文献
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特气室温红外探测器的噪声分析 总被引:1,自引:1,他引:0
由MEMS技术制备的特气室温红外探测器的噪声主要包括温度噪声、机械热噪声和背景噪声。从理论上建立了器件的基本热模型,推导得到器件的等效热熔和等效热导分别为8.1 μJ/K和1.0×10-3 W/K,温度噪声约为1.73×10-10 W/Hz1/2;通过器件的工作机理和能量均分原理,推导得到热机械噪声的等效噪声功率约为9.96×10-9 W/Hz1/2,器件的背景噪声约为3.22×10-11 W/Hz1/2,从而得出器件的归一化探测率约为9.03×106 cm·Hz1/2/W。实验表明,器件的噪声中热机械噪声为主要噪声源,大小主要由浓硼硅薄膜的机械性能和器件结构决定,可以通过增大薄膜厚度,减小薄膜面积,从而增加薄膜的特征频率的方法来减小器件受外界振动的影响,但以降低器件的灵敏度为代价。另外环境振动噪声也对器件的影响很大。为了减小外界气压和温度变化的影响,提出了一种新型的双腔结构来减小和平衡外界环境变化引入的噪声。 相似文献
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