间硝基苯甲酸的合成与纯化研究

以苯甲酸为原料,通过浓硫酸和硝酸硝化制备间硝基苯甲酸,并对合成条件和纯化条件进行了研究.结果表明,最优的工艺条件为:浓硫酸与苯甲酸的摩尔比为4∶1,硝酸与苯甲酸的摩尔比为3∶1,反应温度为85℃,反应时间为4h,此条件下的收率为82.3％,纯度为91.3％.研究了采用酸碱反调法纯化间硝基苯甲酸的方法,可以使间硝基苯甲酸纯度达到98％以上.     

网络入侵检测系统中动态负载平衡策略的设计

随着互联网的广泛应用,网络信息量迅猛增长,网络攻击数量和方式大大增加,网络入侵检测系统需要部署多个感知器(Sensor)时网络监测和保护,通过增加Sensor,可以增强系统分析检测能力。然而,为了充分利用系统处理能力,需要动态分配处理节点任务,实现动态负载平衡。该文在分析网络入侵检测系统的基础上,提出负载值计算方法,结合通用负载平衡策略,提出了分布式入侵检测系统的动态负载平衡策略,实现了良好的动态负载平衡效果,提高了系统性能。     

支持向量机算法在CO浓度传感器中的应用

针对基于红外光谱的CO气体定量分析模型对机动车尾气排放中有害气体CO的定量分析;选取了浓度范围在0.5%～20%的15组不同浓度的CO气体样本,建立CO浓度的支持向量机（ SVM）回归分析模型,基于改进的网格搜索法对SVM的相关参数进行了优化。实验结果表明：经过SVM的回归分析,与传统的光谱吸收方法相比,处理后浓度值比实验所得浓度值更接近CO标定值;与粒子群优化（ PSO）算法作对比,采用网格搜索法获得的最佳参数糟＝0.707,早＝0.5,PSO获得的糟＝55.911,早＝0.01,所用时间比PSO算法节省约40%。SVM应用于CO的浓度分析,符合实验要求,回归效率提高。     

ER70 S-G焊丝钢的冶炼

针对ER70S-G焊丝钢生产过程中,由于钢中钛含量高,易与氧、氮反应生成高熔点的Ti_2O_3和TiN等夹杂物,进而影响生产运行,导致产品质量不稳定的情况,实施了一系列优化措施。通过控制钢中氮含量在0.006%以下,优化精炼渣系,控制精炼渣中(CaO)/(Al_2O_3)=1.6～1.8,(SiO_2)10%,(FeO)0.04%,钢水用铝深脱氧至0.000 6%以下等措施,保证了生产顺行,ER70S-G化学成分和产品质量稳定。     

有机化学合成法制备的CNT/PANI空心球复合材料

将碳纳米管(CNT)功能化后,包覆在模板Fe3O4表面,将接枝在CNT表面的苯胺单体聚合成聚苯胺(PANI),通过有机化学合成法制备了CNT/PANI复合材料。SEM、FT-IR分析结果表明,制备的复合材料厚度达0.2～0.5μm,依靠基团的聚合而成,为空心球结构。循环伏安、恒流充放电测试结果表明,在有机电解液中以0.1C循环,制备的复合材料的比电容可达185 F/g,高于同样条件下制备的纯PANI(65 F/g),且循环稳定性良好,循环200次的电容衰减率为5%。     

SVC与STATCOM建模及风电场仿真应用研究

分析、总结了SVC、STATCOM的结构、原理和控制方式,利用PSCAD分别搭建了SVC和STATCOM的模型,并结合异步风电机组系统应用,针对风速波动和接地故障时的无功补偿性能进行仿真和验证.结果表明,STATCOM在无功补偿性能上要优于SVC,但控制方式更加复杂,成本也更高.在实际工程中,根据工程预算和实际系统状况来综合比较,确定合理的补偿方案.     

合成扫速对聚苯胺/碳纳米管材料电容量性能的影响

采用循环伏安法在不锈钢上电化学制备碳纳米管/聚苯胺(CNTs/PANI)复合材料,并研究了不同扫速下(10、20、50、100、200mV/s)碳纳米管/聚苯胺复合材料的电化学性能。研究结果表明,复合材料中由于CNTs自身的大比表面积和强的导电率改善了复合物微观结构和导电性能,并且使聚苯胺更易电沉积到CNTs的表面形成核-壳结构,从而增加聚苯胺与电解液的接触机会。并且在扫速为20mV/s时生成的聚苯胺/碳纳米管膜具有导电率高,比容量大的电容性能,在22A/m2的电流密度下充放电测试,测其单电极比容量高达397F/g,远高于纯聚苯胺的比容量205F/g。     

有机化学合成法制备碳纳米管/聚苯胺复合材料

通过有机化学合成法使苯胺单体接枝到碳纳米管表面,然后再经化学原位聚合法制备碳纳米管/聚苯胺复合材料.用傅立叶变换红外光谱和扫描电子显微镜对复合材料的成分和形貌进行表征.用循环伏安法、恒流充放电和电化学阻抗等电化学测试手段来表征复合材料的电化学性能.研究结果表明,所制备的复合材料比容量可达到152F/g(有机电解液),显著高于同样条件下的纯聚苯胺、纯碳纳米管及由原位化学聚合法所制备碳纳米管/聚苯胺复合材料的电化学容量(65、25、80F/g),显示出良好的应用前景.     

纳米多晶硅薄膜压力传感器制作及特性

给出一种纳米多品硅薄膜压力传感器,采用LPCVD法在衬底温度620℃时制备纳米多晶硅薄膜,基于MEMS技术在方形硅膜不同位置制作由4个薄膜厚度为63.0nm的掺硼纳米多晶硅薄膜电阻构成惠斯通电桥结构,实现对外加压力的检测.实验结果表明.当硅膜厚度75μm时,纳米多晶硅薄膜压力传感器在恒压源5.0V供电时,满量程(160kPa)输出为24.235mV,灵敏度为0.151mV/kPa,精度为0.59%F.S,零点温度系数和灵敏度温度系数分别为-0.124%/℃和-0.108%/℃.