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1.
纳米纤维广泛地应用于防护服,以及化工、医药产品的提纯和过滤等。本文通过在静电纺丝溶液中添加Na HCO3,用盐酸反应去除的方法在纳米纤维上制备纳米孔,增加其比表面积等,考察了Na HCO_3/PES溶液粘度等对其孔结构和比表面积的影响。研究结果表明:所制备的纳米纤维上孔结构大分布在10~40 nm范围内,其比表面积能够达到40.6 m~2·g~(-1);多孔纳米纤维膜的水接触角能够由126°降低到70°,并且获得的多孔纳米纤维材料具有优良的机械性能。  相似文献   
2.
文章制备了聚酰亚胺渗透汽化膜,并将其用于乙酸和N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)脱水。实验结果表明:聚酰亚胺渗透汽化膜能有效地从乙酸和DMAc中脱除水,对于含水量为2.20 wt%的乙酸水溶液,其渗透通量为27.7 g/(m2h),分离因子为3427,溶胀度为17.7%;对于含水量为6.63 wt%的DMAc水溶液,其渗透通量为4.50 g/(m2h),透过液中无DMAc,溶胀度为36.3%。同时,随着乙酸和DMAc水溶液温度的升高,其渗透通量均增大,在乙酸体系中分离因子减小。  相似文献   
3.
马晓华  许振良 《化工学报》2015,66(11):4676-4681
通过静电纺丝法制备了聚醚砜(PES)/聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物(P123,PEO20PPO70PEO20,Ma=5800)纳米纤维膜,考察了P123含量对纺丝液的黏度和表面张力的影响,以及对所制备的纳米纤维膜的结构和性能的影响。实验结果表明:P123含量从3%(质量)增至9%时,其纺丝液的黏度由300m Pa·s增至1000 m Pa·s,表面张力在36.5~37.8 m N·m-1范围内;P123改性的PES纳米纤维直径约为360 nm,分布均匀,其表面也比较光滑,取向趋于一致;此外,该纳米纤维膜具有良好的机械性能和耐溶胀性能,较大的比表面积(39 m2·g-1),孔隙率,可用作催化剂载体。  相似文献   
4.
本文从直埋供热管网的设计、施工、运行、材料设备及周边环境等方面,分析了造成直埋供热管网泄漏事故的原因,并提出了相应的应对措施。同时,简要介绍了目前常用的直埋供热管网泄漏检测方法及选择原则。  相似文献   
5.
以乙醇/水溶液为分离对象,中空纤维PVA/PAN复合膜作为精馏填料,考察了不同膜组件的传质分离效率。实验结果表明:各种组件的分离效率均随塔釜加热功率的增加而减小;和大多数中空纤维膜接触器一样,其总传质系数Ky随中空纤维膜组件填充密度φ的增加而减少;相比于传统精馏填料而言,用中空纤维膜做精馏填料分离乙醇水溶液的分离效果更好,可以在常规填料不能操作的液泛线以上进行操作。当塔釜加热功率为120 W,45根中空纤维膜封装在内径为1.6 cm玻璃管中的传质单元高度(HTU)为5.64 cm。  相似文献   
6.
陈炽  郝跃  杨凌  全思  马晓华  张进程 《半导体学报》2010,31(11):114004-6
对100um和1mm碳化硅衬底的氮化镓器件进行直流特性,小信号特性和大信号特性的表征。100um和1mm器件小信号特性测试结果发现,随栅长增大,由于电容寄生效应的减小,电流截止频率fT增大。从数据看出,器件可用在C波段和X波段。大信号测试包括C波段和X波段负载牵引测试和功率扫描测试。器件偏置在AB类工作点,并且选定源端阻抗,做负载牵引测试。在负载牵引园图上,最大功率阻抗点和最佳效率阻抗点可以确定。根据5.5GHz的不同栅长的器件的功率扫描结果分析器件尺寸变换效应与和大尺寸器件的自热效应密切相关。8GHz 不同漏极偏置的器件的功率扫描结果说明碳化硅衬底的氮化镓器件有好的热导率,高击穿电压和10.16W/mm 功率密度。从分析可证明碳化硅衬底的氮化镓器件是放大器设计的理想材料。  相似文献   
7.
制备了壳聚糖-聚乙烯醇/聚丙烯腈(CS-PVA/PAN)复合膜,用于乙酸乙酯-乙醇-水三组分溶液的分离。考察了CS-PVA/PAN复合膜的溶胀性、CS含量与料液温度对CS-PVA/PAN复合膜渗透汽化性能的影响;用傅里叶变换红外光谱对CS,PVA,CS-PVA均质膜进行了表征。实验结果表明,在料液温度313.15K、CS-PVA/PAN复合膜中w(CS)=50%时,CS-PVA/PAN复合膜能有效地脱除乙酸乙酯(质量分数84.6%)-乙醇(质量分数3.4%)-水(质量分数12.0%)三组分溶液中的水分,渗透通量为183g/(m2.h),分离因子为4 160;且随料液温度的升高,渗透通量增大,分离因子减小,渗透通量和料液温度能较好地符合Arrhenius方程。  相似文献   
8.
采用1.25Mev 60Co γ射线辐射源对钝化前后的AlGaN/GaN HEMT器件进行了1Mrad(Si)的总剂量辐射,实验发现:1Mrad总剂量辐射后未钝化器件的饱和漏电流和最大跨导分别下降了15%和9.1%,而且正向和反向栅电流明显增加,但是阈值电压几乎没有发生变化。相反的,同样的累积剂量下,钝化器件的饱和漏电流和最大跨导却基本没变。通过对钝化前后器件的不同辐射反应以及C-V测试的分析表明,栅-源和栅-漏间隔区辐射感生表面态负电荷的产生是低剂量下AlGaN/GaN HEMT器件电特性退化的主要原因,同时也说明钝化可以有效地抑制60Co γ辐射感生表面态电荷,它是一种有效的加固手段。  相似文献   
9.
10.
马晓华 《现代电子技术》2010,33(12):19-22,25
在深入分析各种闪存及相关文件系统特点的基础上,针对实际系统中对闪存的不同使用需求,采取不同的应用方案:通过启动加载程序直接读/写,通过Linux系统中的文件系统读/写和跳过文件系统通过底层操作函数读/写,获得了较好的性能和较好的可靠性。对生产过程中的程序代码和数据写入实现了一定程度的自动化,对于类似系统有一定的借鉴意义。  相似文献   
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