推拉式小车法制备单层硒化钨薄膜

为了提升单层硒化钨（WSe₂）薄膜的制备质量，在传统化学气相沉积（CVD）法制备的基础上进行改进，通过引入推拉式小车来制备单层WSe₂薄膜，从而构造出可以调控沉积区域、精确控制生长时间，并可实现快速降温的生长方式。采用光学显微镜和原子力显微镜来表征制备材料的尺寸、荧光强度、形貌结构等特性，证明了利用推拉式小车法可成功制备出高质量的单层WSe₂薄膜。推拉式小车法可以稳定制备大面积、高质量、单层的WSe₂薄膜，为其在信息、能源、生物等前沿领域的应用提供参考。     

曲面上化学气相沉积的二维材料研究

过渡金属硫系化合物二维材料因其体积小、直接带隙发光等特点，可作为微纳光学结构的优异介质材料而受到广泛关注。通过转移法得到的二维材料微纳光学结构，如光学微腔、微纳传感器等，容易引起材料污染和破损，对结构的功能特性影响很大。通过化学气相沉积法（CVD），将硒化钨直接沉积在6 μm直径的二氧化硅（SiO₂）微球上，对微球上的材料进行成分表征，证明在微球上生长出了二维材料硒化钨，且证明了通过化学气相沉积法在曲面上沉积二维材料是可行的。这种化学气相沉积法直接生长的二维材料微纳球腔，有望应用于高性能光学传感器和微纳光源器件中。