三轴高精度磁阻磁强计的设计

针对隧道磁电阻传感器存在噪声过大的不足,采用锁相放大技术,对隧道磁电阻传感器输出信号的噪声进行抑制,设计了弱磁信号调理板和24位高精度模数转换板,并开发了基于Lab VIEW的多功能可视化系统软件。通过实验测试,该磁阻磁强计的探测精度可以达到亚n T级。     

自旋Seebeck效应实验研究进展

自旋Seebeck效应是自旋热电子学(Spin caloritronics)领域中反映自旋流和热流之间相互作用关系的重要物理现象。它具有重要的科学研究价值和深远的应用前景,得到了国内外相关研究组织的广泛关注。通过对自旋Seebeck效应的研究意义进行简单介绍,重点分析了由热流激发自旋波(自旋流)引起的自旋Seebeck效应的物理机制,并对其探测方法以及现阶段存在的问题进行了着重阐述。     

电流变液研究新进展

电流变液是一种智能材料,其流变特性在电场作用下可以快速、连续地调节,因而具有广阔的工业应用前景.在简要介绍电流变液特性的基础上,着重介绍了近年来发明的一类新型电流变液"极性分子型电流变液".该电流变液的屈服应力比传统电流变液大1个数量级以上,且屈服应力与外电场强度呈正比关系,而不是传统电流变液的二次方关系.这些现象都无法用传统的电流变液理论(介电极化理论)进行解释.介绍了一种新的电流变液理论模型.该模型指出了颗粒上吸附的极性分子是产生电流变液高屈服应力的主要原因,并能解释近年来出现的一系列高性能电流变液的机理.     

氧化物稀磁半导体材料的理论与实验研究进展

以氧化物宽禁带半导体为基体,通过掺杂磁性元素,可将非磁性半导体转变成铁磁性半导体,利用这些铁磁性半导体,能将新型的自旋电子器件集成到传统的微电子器件上,构成功能丰富的新型器件.由于稀磁半导体材料在自旋电子学中的重要作用,近年来受到广泛的关注.简要总结了有关氧化物稀磁半导体研究的发展状况;分析了制备条件对其磁性的可能影响;重点介绍了该系统中有关磁性起源的理论模型,包括双交换机制、磁极化子模型、RKKY模型等;比较了2种磁极化子理论模型,并对这些模型的适用范围进行了分析讨论.另外,还介绍了该体系微结构和磁结构的一些检测方法以及与磁性相关的输运性质、反常霍尔效应等.     

Induced effects of Cu underlayer on（111） orientation of Fe50 Mn50 thin films

Effects of Cu underlayer on the structure of Fe50 Mn50 films were studied. Samples with a structure of Fe50 Mn50 (200 nm)/Cu(tcu) were prepared by rnagnetron sputtering on thermally oxidized silicon substrates at room temperature. The thickness of Cu underlayer varied from 0 to 60 nm in the intervals of 10 nm. High-vacuum annealing treatments, at different temperatures of 200, 300 and 400℃ for 1 h, respectively, on the Fe50Mn50 (200 nm)/Cu(20 nm) thin films were performed. The surface morphologies and textures of the samples were measured by field emission scan electronic microscope (FE-SEM) and X-ray diffraction(XRD). Energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) and Auger electron spectroscopy(AES) were used to analyze the compositional distribution. It is found that Cu underlayer has an obvious induce effect on (111) orientation of Fe50 Mn50 thin films. The induce effects of Cu on (111) orientation of Fe50 Mn50 changed with the increase of Cu layer thickness and the best effect was obtained at the Cu layer thickness of 20 nm. High-vacuum annealing treatments cause the migration of Mn atoms towards surface of the film and interface between Cu layer and substrate. With the increasing annealing temperature, migration of Mn atoms is more obvious, which leads to a Fe-riched Fe-Mn alloy film.     

锰掺杂氧化铜稀磁半导体薄膜的微结构和磁性

采用射频磁控溅射制备Mn掺杂CuO薄膜样品。X射线衍射结果说明薄膜样品为单相结构且沿（111）取向生长。通过样品的XRD精修得到样品的结构和晶格参数,掺杂后薄膜晶体结构有微小畸变。薄膜的高分辨透射电镜研究证明了对结构和晶粒大小等的精修结果,且同时说明Mn以替代Cu的形式掺入了CuO晶格中。通过对样品M1T曲线的分析,得到样品的居里温度为96．5K,近邻Mn离子之间的耦合为铁磁性,并由居里外斯拟合得到Mn离子的有效磁矩为3．1μa。这说明磁性不是来自于团聚的Mn原子或铜锰的其它氧化物,而很可能来自于替位的锰离子所形成的Mn-O-Cu-O-Mn之间的铁磁性耦合。     

真空热处理对CoFe薄膜结构及电磁特性的影响

在本底真空度优于5×10-4Pa的室温条件下,利用电子束蒸发方法沉积CoFe薄膜,研究了不同退火温度对CoFe薄膜结构和电磁特性的影响。样品采用热氧化Si为基片,在3×10-5Pa真空度下分别进行了150、280、330、450和500℃的60min退火处理。电阻率和磁电阻测量表明,450℃退火处理能够明显降低CoFe薄膜电阻率和提高磁电阻变化率,因为这时的X射线衍射谱显示CoFe薄膜的结构已明显改善。还发现沉积在热氧化Si基片上的CoFe薄膜(111)晶面面间距明显小于靶材相应晶面面间距,而退火处理会使薄膜(111)晶面面间距接近恢复到靶材。透射电镜对沉积态样品分析表明,样品呈多晶结构但结晶不太理想。振动样品磁强计(VSM)的磁特性测量发现,500℃真空退火处理,薄膜的矫顽力和饱和磁化强度都提高近一倍,分别由室温沉积态的2337 A/m和327 emu/cm3上升到退火后的4746 A/m和649 emu/cm3。     

代理服务器软件WinProxy的安装与配置

WinProxy是一个适用于中小型局域网接入Internet的代理服务器软件,支持多协议代理服务,安装在局域网上,具有智能网关和路由的功能,可通过单条通讯线路和一个帐号接入INTERNET,使局域网上其它工作站同时访问Internet。该软件具有安装容易,配置简单,通讯效率高的特点,是中小型局域网接入Internet的一种有效的解决方案。1WinProxy概述WinProxy软件是OsitisSoftware公司的一个适用于中小型局于网的代理服务器产品,支持Windows95、Windows98和WindowsNT平台的工作站和Novell、WndowsNT网络环境。WinProxy代理服务支持的协议…     

YSZ薄膜的制备及应用

研究了在ＮＡＳＩＣＯＮ基板上使用溅射法制备的ＹＳＺ薄膜的结构,晶相和导电性,实验表明,刚制备的ＹＳＺ薄膜７５０℃常规退火处理后,薄膜表面致密、均匀、无裂纹,具备良好的导电性能,ＹＳＺ／ＮＡＳＩＣＯＮ组合再加上Ｂａ（ＮＯ３）２辅助电极构成的ＮＯｘ气体传感器在４５０℃下响应迅速（响应时间约为３ｍｉｎ）、稳定、能检测到１０ｐｐｍ量级的ＮＯ２气体。     

基于PI闭环控制的AMR磁阻传感器信号调理电路

为了提高磁场测量精度,提出一种基于PI闭环控制的AMR磁阻传感器信号调理电路。该电路由前置放大器、开关同步检波、积分电路和闭环反馈电路组成。首先通过选取较小的前置放大器增益,以降低对传感器输出噪声的放大;然后利用积分器对放大后信号进行积分,得到积分电压;最后,将积分电压进行V/I转换,并将电流接入HMC1001偏置电流带,实现闭环反馈,以抵消外部待测磁场,当电路平衡时,传感器工作于零场,积分输出电压正比于待测磁场。与开环结构对比实验结果表明:在相同的灵敏度条件下,闭环式信号调理电路噪声功率谱密度为40 pT/√ Hz @1 Hz,并且与开环式的信号调理电路相比,它的输出信号信噪比提高了15.55 dB。