基于柔性掩膜板制备半导体场效应管

为克服传统制备半导体场效应晶体管（FET）过程中存在的材料损伤、对准精度受限、电极转移难度大和成本高昂等缺陷,提出了一种基于柔性掩膜技术的半导体FET制备方法。利用紫外光刻技术制作柔性掩膜板,直接捞取并加热蒸干固定掩膜板,采用离子束溅射法沉积金属,并通过将半导体CdSe纳米带转移到电极上,获得了N沟道耗尽型FET,证实了器件的功能性和此方法的可行性。此技术成本低廉,且材料损伤小,为制备集成半导体器件提供了一种新的思路。