分置式牛津型斯特林制冷机的数值分析与实验验证

对分置式牛津型斯特林制冷机进行了数值计算 ,介绍了计算模型考虑到的众多不可逆因素。通过对计算结果与实验结果的对比 ,验证了本文数值计算的准确性 ,说明本文计算模型与数值处理方法是切实可行的     

LaNiO3薄膜热稳定性的研究

LaNiO3导电金属氧化物薄膜在现代应用科学研究中作为电极和过渡阻挡层倍受青睐，它具有很好的导电特性和稳定性。该文采用射频溅射法制备了具有(100)择优取向的赝立方结构LaNiO3-x薄膜，并进行了原位热处理。实验结果表明，在265℃的处理条件下，LaNiO3薄膜表现出不稳定性，晶格中的氧在2h内失去了2.7％。氧的损失对品格结构没有明显影响，但薄膜的导电性能明显下降，折射率和消光系数也具有相同幅度的下降。对薄膜的应用具有一定的影响。该文从LaNiO3薄膜的导电机理方面对实验现象给出了分析和解释。     

低发射率材料红外法向发射率谱测量方法的研究

采用热管技术研制了材料发射率谱的专用测量附件;利用双温测量技术,在P-E983型红外分光光度计及3600型数据站上进行了较低温度下低发射率材料红外法向发射率谱测量方法的研究.实测了几种材料的发射率谱;讨论了影响测量误差的诸因素.     

新型蓝绿发光材料ZnSe／BeTe超晶格的能带剪裁

由于器件的快速退化，101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制，发现在强电流注入的半导体激光器中，热退化具有重要影响。研究表明，用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金（如ZnMgSSe）只能对ZnSe中的电子有效地限制，无法对空穴很好地限制;而对BeTe，却只能对空穴进行有效的限制，无法对电子很好地限制。这导致ZnSe（或BeTe）活性层空穴（或电子）漏电发热，引起退化。本文提出以ZnSe／BeTe超晶格为蓝绿发光层，并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响，考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。     

分子束外延生长CdTe／ZnTe超晶格室温喇曼散射

首次报道了室温和非共振条件下,分子束外延(MBE)生长的CdTe/ZnTe超晶格的喇曼散射测量和分析。观察到最低级次的CdTe和ZnTe纵光学声子限制模,并用应力和限制效应精确计算了频移,得到的ZnTe纵光学声子频移理论值与实验结果符合得较好。特别指出,当CdTe和ZnTe层厚小于2nm时,声子频移的限制效应不可忽略,对所测样品的喇曼全谱作了分析。     

论基于技术资本的核心创新能力

首先界定技术资本的概念，然后以“核心能力特征参量罗盘”作为指导，全面展开论述企业核心创新能力相应4方面的投资策略，最后，运用一个案例具体展示基于技术资本核心创新能力的提升经验。     

机载扫描成象系统的技术发展

叙述了机载扫描成象系统的发展,基本结构,特点及其应用.     

逆凸轮的设计

在通常的凸轮机构中,总是以凸轮为主动件,直动推杆为从动件进行工作的。但在指针复零机构中,是以直动推杆为主动件,凸轮为从动件进行复零的。这样工作的凸轮通常称为逆凸轮。对逆凸轮的结构设计和压力角的选择,以及加工测量是有一定要求的。本文就这几方面的问题进行一些探讨。作者采用等压力     

CdSe量子点的制备与荧光特性研究

主要讨论了CdSe量子点的制备及荧光特性。CdSe量子点由化学方法制备，通过选择不同的反应时间得到不同尺度的量子点样品。用荧光方法研究了量子点样品在石英衬底和有机溶剂中的荧光特性。实验表明，这些量子点都有良好的荧光特性。还用无限深球方势阱模型分析了量子点样品的电子态，并根据荧光参数估算了量子点的尺度．各样品荧光峰具有一致的半峰宽，表明CdSe量子点的成核过程在反应开始时同时完成。     

防锈颜料云母氧化铁的特性和使用方法

云母氧化铁(MIO)特性已为多数人所了解,但是关于它的本质尚有不明之处。本文详细叙述了天然MIO的性能和利用方法。1 公母氧化铁的特性1.1 一般性能 各种云母氧化铁的性能如表1所示。云母氧化铁的主要成份为赤铁矿,随着产地及颜料化生产工艺的不同而具有不同的结晶构造。如表1所示,欧洲天然云母氧化铁一般呈鳞片状板状结构,其他地区出产的或人工合成品即使含有相同的二氧化二铁,但却呈现颗粒状或块状结构,其形状具有明显的差异。