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文中针对高热流密度5G路由器开发了液冷散热样机,介绍了液冷系统关键部件的设计,同时对设计的液冷系统开展了仿真评估和回归分析。测试结果表明:在设计流量下,液冷系统满足芯片散热要求,系统流阻匹配性良好,同时仿真结果与实测数据误差不超过10%。最后从电能使用效率(Power Usage Effectiveness, PUE)角度对路由器液冷散热系统解决方案进行了收益评估。结果表明:机房PUE小于1.25,若采用纯液冷解决方案,机房PUE将降至1.15,规模化应用收益更高,适合承载网与服务器产品。 相似文献
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氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表,具有高击穿电场强度和高热导率等优异的物理特性,是制作高频微波器件和大功率电力电子器件的理想材料.GaN外延材料的质量决定了高电子迁移率晶体管(HEMT)的性能,不同材料特征的表征需要不同的测量工具和技术,进而呈现器件性能的优劣.综述了GaN HEMT外延材料的表征技术,详细介绍了几种表征技术的应用场景和近年来国内外的相关研究进展,简要总结了外延材料表征技术的发展趋势,为GaN HEMT外延层的材料生长和性能优化提供了反馈和指导. 相似文献