宽带pin二极管单刀双掷开关的设计与实现

采用两个pin二极管设计、仿真,制作了一个8～20 GHz并联结构的高功率容量的单刀双掷开关。首先通过采用一个新的电路结构,该电路结构除了传统的并联pin单刀双掷开关结构外,还有微带线匹配电路部分,克服了并联结构单刀双掷开关难以实现大的带宽的缺点。然后选择合适的二极管,根据其参数,建立开路、短路等效电路模型;利用Ansoft Designer软件对电路进行了仿真和优化。最后根据优化结果制作并测试了单刀双掷开关。该单刀双掷开关插入损耗在频率8～20 GHz内小于1.7 dB,在频率8～15 GHz内小于1.5 dB;开关隔离度在整个频带内大于21 dB;在14 GHz耐功率容量大于10 W(CW)。     

湖南黄沙坪铅锌多金属矿北部外围地区资源潜力分析

湖南黄沙坪铅锌多金属矿位于湖南省郴州市桂阳县境内,是湖南省内最大的铅锌开采矿山和铅锌原料基地。由于多年开采,铅锌资源已处于深度危机,为此,矿山一方面大力开展矿区边深部铅锌地质探矿工作,一方面在矿区外围寻找新的铅锌资源点。根据矿山最新施工的地表深钻资料显示,在黄沙坪矿区北部29线深部发现了隐伏的细粒花岗小岩体,在岩体接触带和上部碳酸盐岩裂隙中均有较好的铅锌矿化和弱夕卡岩化等现象。在总结控矿地质因素和成矿模式的基础上,重点分析了13~29线的矿化特征,并结合物化探异常特征和成矿规律,对黄沙坪矿区北部和三光井地区的成矿潜力做出了预测。通过进一步的勘查和验证,预测黄沙坪矿区北部外围地区新增铅锌资源量30万t以上。     

DRASTIC方法在北京市平原区地下水易污性评价中的应用

地下水易污性是含水层本身具有的防污染能力,DRASTIC指标法是适用于评价地下水易污性的方法。介绍了DRASTIC方法的基本原理,并对北京市平原区地下水易污性进行了评价。     

电容式RF MEMS谐振器

介绍了应用于通信领域的电容式RF MEMS谐振器及其在通信系统小型化中的优势。对电容式微机械谐振器进行了综合分析,包括基本工作过程分析、基本参数的理论分析及等效电路的分析。介绍了目前几种常用结构的谐振器,包括梳状谐振器、梁式谐振器及盘式谐振器的工作过程和谐振频率的发展空间。重点分析了谐振器的电容间隙及锚这两个重要的结构参数对谐振器性能的影响。最后,对电容式微机械谐振器存在的问题作了总结,对其发展趋势做出展望。     

基于微机械圆盘谐振器的振荡器

基于微机械谐振器的硅振荡器是微波通信系统中的关键器件。制作了工作于径向体声学振动模态的微机械谐振器,通过分析微机械谐振器的电参数,并以此谐振器为基础进行振荡器的设计。针对圆盘形微机械谐振器工作过程中阻抗较大的问题,通过多级放大来补偿信号经过谐振器时引起的衰减和相位变化。振荡器包括两部分放大电路,基本振荡回路的多级放大保证振荡器正常起振,输出多级放大保证振荡器的输出达到一定的功率。所设计的振荡器阻抗44kΩ,振荡频率143.33MHz,为大阻抗条件下振荡器的设计提供一定的参考。     

地埋管地源热泵空调系统经济性分析与设计优化

本文以北京地区浅层地温能资源开发利用现状调查为基础,从调查结果中选取有代表性的昌平区某地埋管地源热泵供暖改造工程为实例．对该地埋管地源热泵系统的技术性.经济性进行分析。并在此基础上。对该地源热泵系统设计提出了合理化建议。     

一种宽带高性能T/R组件的设计

介绍了一种宽带高性能T/R组件。该组件通过合理的分腔设计,减小了低频控制信号与微波信号的串扰,同时充分利用有效空间,减小了组件的尺寸。使用T型结优化键合匹配,使得组件微波信号在带内具有更小的插损及带内波动,实现更优越的传输性能。组件采用多芯片微组装技术,减小了体积和重量,同时设计合理的装配工艺,实现了组件的可批产性。组件包含4个独立收发通道,每个通道包含6位移相及6位衰减功能,具有宽带、低噪声、高功率以及良好的幅相性能。     

湖南黄沙坪铅锌矿矿床地质特征分析

黄沙坪矿区内隐伏的铅锌银矿体主要赋存于石炭系石磴子组灰岩中,矿床受4个呈"#"字形圈闭构造的断层及复式背斜控制,属于矽卡岩型矿床。矿区内所有矿床划分为301矿带和304矿带,其中301矿带位于F1断层上盘,F2断层以下;304矿带位于F1断层下盘,上银山背斜西翼测水组以下。两矿带均存在从铁钨钼到铅锌铜银的矿化分带,同时也存在从矽卡岩矿床到热液型矿床到热液充填交代型矿床的成矿系列。     

An 8-18 GHz broadband high power amplifier

An 8-18 GHz broadband high power amplifier(HPA) with a hybrid integrated circuit(HIC) is designed and fabricated.This HPA is achieved with the use of a 4-fingered micro-strip Lange coupler in a GaAs MMIC process.In order to decrease electromagnetic interference,a multilayer AlN material with good heat dissipation is adopted as the carrier of the power amplifier.When the input power is 25 dBm,the saturated power of the continuous wave(CW) outputted by the power amplifier is more than 39 dBm within the frequency range of 8-13 GHz,while it is more than 38.6 dBm within other frequency ranges.We obtain the peak power output,39.4 dBm,at the frequency of 11.9 GHz.In the whole frequency band,the power-added efficiency is more than 18%.When the input power is 18 dBm,the small signal gain is 15.7±0.7 dB.The dimensions of the HPA are 25×15×1.5 mm~3.