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1.
娄仁志陈元杰葛锐白楠 《衡器》2022,(10):5-9
针对目前电子天平检定的数量大而人工检定存在效率低、包含人为误差等问题,本文对电子天平的自动化检定进行了研究,研制出一套电子天平自动检定装置。该装置由AGV小车搭载机械手对电子天平开展检定,机械手上装有定位相机和测距传感器,可以准确定位天平秤盘的位置和尺寸,采用视觉技术读取天平的示数。对两台相同的电子天平分别进行了人工检定和自动检定,最终结果表明,自动检定相对人工检定同样具有较高的准确性,并且能够提高电子天平检定的工作效率,可以替代人工进行检定。 相似文献
2.
3.
研究适用于直流配电网的模块化多电平换流器H桥(MMC-H)型直流变压器,其由模块化多电平(MMC)桥臂、H桥和交流变压器组成。MMC采用阶梯波调制,H桥采用方波调制。推导出基于移相控制的传输功率与回流功率表达式,总结影响回流功率的因素与零回流功率的边界条件。为抑制回流功率,提出了变频优化策略,通过工作频率的变化来调节移相比落入零回流功率区域,减小回流功率与电流应力。最后,搭建实验平台对变频优化控制策略进行验证,实验结果表明变频优化控制策略能够调节移相比,降低电流应力与损耗,提高直流变压器效率。 相似文献
4.
5.
六梅金矿床位于广西贵港市大平天山岩体东北部,矿体赋存于寒武系黄洞口组细碎屑岩中,受高角度断裂构造的控制。根据矿物组合与脉体的切割关系,将矿床热液活动过程划分为4个阶段:石英—黄铁矿阶段(Ⅰ),黄铁矿—毒砂—石英阶段(Ⅱ),方铅矿—闪锌矿—黄铜矿—(砷)黝铜矿—铁白云石—石英阶段(Ⅲ),石英—铁白云石阶段(Ⅳ),其中Ⅱ阶段为主要的成矿阶段。载金矿物主要为毒砂和(砷)黄铁矿,EPMA分析结果显示金主要以"不可见"的次显微—超次显微包体金形式存在。流体包裹体测试结果表明:石英或方解石中的包裹体以气液两相为主,主成矿阶段温度平均为181℃,平均盐度[w(NaCl)]为9.36%,密度为0.946 g/cm~3,显示成矿流体为低温、低盐度、低密度流体。H、O同位素组成(δD值介于-73‰~-57‰之间,δ~(18)O_(H_2O)值介于2.3‰~6.1‰之间)显示成矿流体与岩浆热液有关,且后期有大气降水混入;载金硫化物δ~(34)S_(V-CDT)值介于-0.8‰~0.5‰之间,指示成矿物质来源于岩浆。上述特征表明六梅金矿与典型的卡林型金矿有较大区别,特别是缺乏卡林型金矿特有的低温矿物组合(雌黄—雄黄—辰砂),相反却含有较多的贱金属矿物(方铅矿—闪锌矿—黄铜矿),更接近于与岩浆活动有关的远端低温热液矿床。结合区域上矿床和岩体的空间分布特征,提出了(次火山岩)斑岩型金矿(龙头山金矿)—矽卡岩型银铅锌矿(头闸银铅锌矿)—远端低温热液型金矿(六梅金矿)的大平天山岩浆热液系统成矿模式。该模式暗示着六梅金矿往深部及向大平天山岩体方向应该存在中温热液脉状和矽卡岩型银铅锌矿床。该文建立的岩浆热液成矿系统模型对大瑶山地区类似矿床的找矿具有重要指导意义。 相似文献
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7.
A Low On-Resistance SOI LDMOS using a Trench Gate and a Recessed Drain Ge Rui(葛锐), Luo Xiaorong(罗小蓉)?, Jiang Yongheng(蒋永恒), Zhou Kun(周坤), 总被引:2,自引:2,他引:0
本文提出了一种超低比导通电阻(Ron,sp) SOI槽栅凹漏MOSFET(TGRD MOSFET)。正向导通时,槽栅和凹漏的结构增加了导电区域,缩短了电流流经的路径,从而降低了比导通电阻。并且此结构中采用了RESURF结构提高了漂移区浓度,进一步降低了比导通电阻。当TGRD MOSFET的半个元胞尺寸为6.5μm时,它的击穿电压为97V,Ron,sp为0.985mΩ.cm2。与SOI槽栅MOSFET(TG MOSFET)和常规MOSFET(Conventional MOSFET)相比,在相同的BV下,TGRD MOSFET的Ron,sp分别地降低了46%和83%。或者在相同的Ron,sp下,与SOI槽栅槽漏MOSFET(TGTD MOSFET)相比, BV提高了37%。 相似文献
8.
超低比导通电阻SOI双栅槽型MOSFET 总被引:3,自引:3,他引:0
本文提出了超低比导通电阻(Ron,sp) SOI双栅槽型MOSFET(DG Trench MOSFET)。此MOSFET的特点是拥有双栅和一个氧化物槽:氧化物槽位于漂移区,一个槽栅嵌入氧化物槽,另一个槽栅延伸到埋氧层。首先,双栅依靠形成双导电沟道来减小Ron,sp;其次,氧化物槽不仅折叠漂移区,而且调制电场,从而减小元胞尺寸,增大击穿电压。当DG Trench MOSFET的半个元胞尺寸为3μm时,它的击穿电压为93V,Ron,sp为51.8mΩ?mm2。与SOI单栅MOSFET(SG MOSFET)和SOI单栅槽型MOSFET(SG Trench MOSFET)相比,在相同的BV下,DG Trench MOSFET的Ron,sp分别地降低了63.3%和33.8%。 相似文献
9.
为了进一步加深对JJF99-2006<砝码>检定规程的理解和正确执行该检定规程,将代数正负号的判别应用到折算质量的计算公式中.针对JJF99-2006<砝码>检定规程中质量差值和折算质量差值的计算公式中的第二项,即由衡量仪器测量出来的被检砝码与标准砝码之间的质量差值前的" "、"-"进行分析.根据△I/It的代数运算结果,对该项正、负号的选取进行分析、判定.提供了与规程中不同的判定方法供检定人员在工作中参考和使用.实践表明,该方法完全正确而且简单易行,提高了计算的正确性和运算效率. 相似文献
10.