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1.
以钠基蒙脱土和十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)制备改性钠基蒙脱土。研究去离子水用量、CTAB用量、搅拌速度、搅拌温度和滴加时间对改性钠基蒙脱土效果的影响,利用傅里叶变换红外光谱仪和X射线衍射仪分析改性钠基蒙脱土的组成结构与组成成分。研究改性钠基蒙脱土组成结构参数与片层间距的预测模型。结果表明:改性钠基蒙脱土的相容性提高,其片层间距显著增加。当Spread为0.55时,RBF网络具有最佳的逼近效果。获得优选预测结果,即改性钠基蒙脱土的最优片层间距为1.912 nm。 相似文献
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高能球磨稀土高硅铝合金粉末性能表征 总被引:1,自引:1,他引:0
对快速凝固法制备得到的Al-20Si-0.35RE合金进行不同时间的高能球磨, 然后对球磨后的粉末进行多次热压变形, 采用XRD, ESEM以及TEM等表征变形前后合金粉末的显微组织, 并对变形后合金的导电性能进行了研究. 研究发现快速凝固Al-20Si-0.35RE合金粉末的显微组织主要由细小的Al-Si固溶体(0.3~0.5 μm)、初晶硅、稀土铝硅化合物(0.16~0.3 μm)组成; 随着球磨时间延长, 颗粒粒径显著减小; 经过多次热压变形后合金晶粒显著细化, 晶格畸变减小, 位错钉扎稀土化合物, 形成类似表面渗流效应, 合金导电率提高至70%IACS. 相似文献
9.
利用KKSO多相场模型,研究CBr4-C2Cl6过共晶合金,当层片间距为4.1μm时,层片厚度对三维共晶层片生长过程的影响。研究表明层片厚度对三维共晶层片生长影响显著,厚度效应有可能导致层片取向的垂直偏转和倾斜偏转。层片厚度比较小时,共晶层片以类似于二维的1λ振荡形式生长;当层片厚度大于6.4μm以后,层片开始偏转,并最终在横截面上垂直于初始层片方向;层片厚度在8.6~14.2μm之间取值时,在横截面内层片发生倾斜;之后,出现Z字形分叉,进一步增加层片厚度值至18.2μm时,共晶层片又发生垂直偏转。 相似文献
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