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电致变色器件用聚合物电解质材料的研究进展 总被引:2,自引:1,他引:2
阐述了电致变色器件的工作原理、各层材料组成及其特点,着重讨论了聚合物电解质层的种类和其性能特点,评述了电致变色器件用聚合物电解质材料的最新研究进展,并展望了其应用前景和发展方向。 相似文献
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质子的扩散系数、电导率等质子在质子交换膜中的输送参数可以用实验的方法来表征,这些实验技术大多仍停留在用宏观的参数来反映其微观的性能上.运用计算机模拟技术可直接在分子规模描述其输送过程.主要综述了几种质子在质子交换膜中输送过程的模拟方法,讨论了这几种模型在模拟质子输送过程中的一些假设及求解质子输送情况时的大概思路. 相似文献
3.
通过化学气相沉积(CVD)聚合法合成了聚乙酰基对苯撑二甲基,采用红外光谱(FTIR)证实了二聚体和气相沉积聚合物的化学结构.与聚对苯撑二甲基聚合物相比引入乙酰基后聚合物的溶解性、介电常数和损耗因子均有所提高.将红外光谱与热重(TG)分析相结合研究了聚合物膜的热降解性能,表明聚乙酰基对苯撑二甲基的热降解基本上经历3个阶段,首先是乙酰基降解,接着是连接苯环的亚甲基,最后是苯环的降解.尽管聚乙酰基对苯撑二甲基的初始热降解温度低于聚对苯撑二甲基,但仍有普通热塑性高分子材料的热稳定性.聚乙酰基对苯撑二甲基是一类优良的、具有一定极性从而具有较好底物附着力的敷形涂层材料. 相似文献
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用自由体积扩散 (FVD)算法模拟了不同结构的共聚物在不相容熔融共混体系中的界面行为 ,模拟结果表明 ,加入少量共聚物后 ,共混体系的相分离程度明显降低 ,从其形貌来看 ,分散相相区尺寸变得更小 ,更分散。所有这些表明 ,加了共聚物作为增容剂后 ,共混体系的相容性有明显的提高。而交替共聚物比相应的二嵌段共聚物增容效果更好 ,与文献中报道的实验现象基本吻合。 相似文献
5.
采用傅立叶变换红外光谱(FTIR),研究了聚[(2,2′-间-苯基)-5,5′-二苯并咪唑](简称聚苯并咪唑,PBI)膜及其磷酸掺杂膜分别在N2、空气氛围中的热降解过程,并与这2种膜的热失重分析结果进行对比.结果发现,在N2中直到450℃时PBI的结构都没有大的变化,而在空气中达450℃时PBI结构发生了变化.从磷酸掺杂PBI膜的FTIR发现,除了PBI结构变化外,磷酸在其中的存在形态也随着温度的升高而变化.在温度升高过程中掺杂体系中的H2PO4-逐渐减少,而H3PO4则逐渐增多. 相似文献
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长余辉荧光聚苯乙烯塑料的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
将一种经可见光激发后能储藏能量、夜晚放出光、且余辉时间较长的长余辉荧光材料加入到聚苯乙烯(PS)透明塑料中,制成光致发光材料.研究了荧光粉的加入对PS的透光性能、发光强度、流动性能、动态力学性能、抗张强度、表面硬度、吸水性能等的影响.结果表明,经过适当的控制,可获得综合性能较好的光致发光聚苯乙烯塑料. 相似文献
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将分散红 1(DR1)掺杂的不饱和聚酯(UP)树脂充入F- P腔中,在极化的同时进行热交联,制得了具有一定电光效应的非线性光学不饱和聚酯。研究了温度、引发剂和分散红 1 的含量对不饱和聚酯凝胶和固化时间的影响。随着分散红 DR1 含量的增加,体系的凝胶时间减少,固化时间增加,当 DR1 量>5%时,凝胶时间很短而固化时间却很长,已不适宜进行极化。随着树脂中过氧化苯甲酰(BPO)加入量的增加或温度的升高,体系的凝胶和固化时间缩短。将其制成器件后,发现其电光系数衰减性能与文献报道的掺杂型光交联不饱和聚酯和某些柔性主链的侧链型 NLO聚合物相当,而比PMMA/DR1掺杂体系的衰减小得多,其光损耗基本能满足器件化的需要,而其器件制作工艺性能大大改进,明显优于传统的旋涂法。极化后整个F- P腔的光损耗为 5dB,电光系数 r33 为 9pm/V,最大衰减量为 52%。此类材料和极化方法适合于制作可调谐F- P腔型光开关。 相似文献
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PC/ABS共混合金的配比与性能 总被引:19,自引:0,他引:19
制备了不同配比的PC/ABS共混物样品,测定了不同配比PC/ABS共混物样品的熔体指数、断裂拉伸强度、断裂伸长率、冲击强度、弯曲强度、硬度、维卡软化点、吸水率、动态力学性能。结果表明:(1)ABS的加入能改善熔体流动性,降低成型加工温度;(2)弯曲强度随ABS含量的递增而下降,断裂伸长率在ABS占50%(质量分数)为转折点,硬度变化不明显;(3)热性能有所下降,但和其它综合性能的提高相比是较小的;综合研究结果认为50%ABS,50%PC共混物的总体性能较好,此时抗冲性能最好。 相似文献
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不对称熔融共混体系相行为的Monte Carlo模拟 总被引:4,自引:1,他引:3
用自由体积扩散(FVD)算法模拟了不对称A/B型不相容熔融共混体系的行为,模拟结果表明,如果温度足够高,即使不相容共混体系同类似于相容体系的相行为。还模拟了低分散相含量的A/B型不相容共混体系呈现出的部分相容的现象,认为部分相容的原因是由于B的含量非常低,分子链热运动过程中,B与B聚集到一起的机会比75/25的A/B共混体系要少得多,分散相相区尺寸非常小,部分锭甚至以分子级水平与A相混,因而共混物 相似文献