电制动停机装置在陈村水电站的应用

陈村水电站于１９８７年开始使用电制动停机装置，到１９９２年投用成功率达９６％以上。是国内全部采用电制动停机且连续正常运行时间最长的电站之一，本文简单介绍了电制动原理，重点介绍了电制动装置在陈村水电站运行情况以及提高电制动可靠性的做法，最后叙述了电制动装置应用的体会和今后值得注意的问题。     

同步辐射x射线光刻制作深亚微米T形栅

x射线光刻非常适合用于深亚微米T形栅的制作,这是因为它的高分辨率、大的曝光视场和高的生产效率足以满足MMIC制造工艺的要求。本文中我们首先对我们的x射线掩模制造工艺进行介绍,然后论述了一种用于制造深亚微米T形栅的两层胶工艺,介绍了所取得的一些研究结果,最后对国内的深亚微米光刻现状进行了简要分析。     

基于悬浮吸收层的热电堆红外探测器结构设计

在这项工作中,设计一种新颖的热电堆红外探测器结构。该检测器利用悬浮吸收层-热电堆双层结构来实现高性能,同时具有相对小的尺寸。该双层结构的实现是通过引入两个分离的牺牲层,分别包括热电堆下方的多晶硅膜和其上方的聚酰亚胺沉积实现。尺寸优化后的仿真结果表明,该红外探测器的探测率、响应率和响应时间分别可以达到2.85e8 cmHz （ 1/2） / W, 1800 V / W和6毫秒。此外,本文提出热电堆红外探测器的制造方法是高度兼容于标准的CMOS工艺,这就使其高产量和低成本的生产成为可能。     

乙烯-乙酸乙烯酯共聚物/聚乙烯热塑性硫化胶的形态结构及流变性能

使用双转子密炼技术制备了具有双连续相结构的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)/聚乙烯(PE)的热塑性聚烯烃(EVA/PE-TPO)和热塑性硫化胶(EVA/PE-TPV)材料,并利用扫描电子显微镜、Han曲线和vGP曲线对二者的相形貌进行了分析和表征。动态流变行为的结果表明,在低频区,EVA含量对EVA/PE-TPO材料体系的储能模量(G′)和复数黏度的影响均大于EVA/PE-TPV体系;在高频区,组成相同的两种体系的G′相近。当两相的组成比例相同时,时温等效原理适用于210℃以下的EVA/PE-TPV体系。修正Palierne模型对双连续相结构EVA/PE-TPV材料的线性黏弹性的拟合程度不高。     

Fe_3O_4@MgO纳米复合材料的制备及其对Pb~(2+)的吸附性能

采用两步化学沉淀法制备了Fe_3O_4@MgO纳米复合材料,研究了纳米复合材料对Pb~(2+)的吸附性能。结果表明,所制备的复合材料具有较高的顺磁性和稳定性,其饱和磁化强度为58.07 emu/g,初始氧化增重温度为125℃,对Pb~(2+)有较好的吸附能力,在50 min内可以达到吸附平衡,最大吸附量为711.5 mg/g,其吸附过程符合准二级动力学模型和Langmuir等温吸附模型。     

高密度等离子体刻蚀系统中诊断模型的初步分析

高密度等离子体刻蚀已经广泛运用于深亚微米的微电子制造工艺中,并成为制约着产能及器件性能的关键步骤,因而有必要对等离子体刻蚀过程进行原位的实时监控.而利用传统的线性回归方法已经无法对包含有数目众多的变量的谱图数据进行实时分析了,必须采用新的数学模型,对原始数据进行压缩处理.本文结合实例讨论了目前在等离子体刻蚀系统中用到的诊断模型:主元素分析法以及神经网络法.     

复合二氧化钛膜的研制

用溶胶 -凝胶法在多孔α -Al2 O3陶瓷衬底上制备了TiO2 微孔膜 ,经激光光散射仪、X -射线衍射仪、扫描电子显微镜、孔率计等对胶粒的大小、膜的结构、形貌和孔径分布等进行了表征 ,发现在孔直径为 0 .5μm的多孔载体上经浸渍 -干燥 -焙烧过程 ,能制得对牛血清白蛋白 (BSA)有 73.5%～ 92 .7%截留率、通量在 0 .2MPa压差下约 52L/(m2 ·h)的超滤膜 .     

非制冷红外焦平面阵列进展

非制冷红外成像技术已广泛应用于军事和民用领域,一直是人们关注的焦点之一,其核心部件是非制冷红外焦平面阵列(IRFPA:Infrared Focal Plane Array)。综述了几种具有代表性的非制冷IRFPA的探测原理、发展历史和现状。它们是:热敏电阻型、热释电型、热电堆型、二极管型、热-电容型非制冷IRFPA和应用光力学效应的非制冷IRFPA、基于法布里-珀罗微腔阵列的非制冷IRFPA。     

分层接入方式下锡泰特高压直流输电系统阀组电压平衡控制

锡盟—泰州±800kV特高压直流输电工程,采用分层接入的方式,在泰州换流站分别接入1 000kV和500kV交流电网。在这种新型电路结构下,如何保证单极中接入不同电压等级交流电网的两个串联阀组的直流电压均衡,对于直流输电系统的安全稳定运行是非常重要的。结合锡盟—泰州直流工程,在分析直流输电系统控制策略的基础上,对分层接入的阀组电压平衡控制进行研究,提出了电压平衡控制策略和中点分压器容错处理方法。通过RTDS建模试验验证了控制策略的正确性,并在锡盟—泰州特高压直流工程获得应用。     

X射线光刻掩模后烘过程的瞬态热分析

X射线光刻掩模是下一代光刻技术(NGL)中的X射线光刻技术的关键技术难点。在电子束直写后的掩模后烘过程中，掩模表面的温度场分布及温升的均匀性是影响掩模关键尺寸(CD)控制的重要因素，如果控制不当，会造成掩模表面的光刻胶烘烤不均匀，使掩模吸收体CD分布变坏。针对电子束直写后X射线光刻掩模的后烘过程建立了热模型，并采用有限元技术进行了瞬态温度场的计算。计算结果表明：采用背面后烘方式，在达到稳态时出现高温区和低温区，最大温差为10.19℃，容易造成光刻胶局部烘烤过度，而采用正面后烘方式，掩模达到稳态的时间短，温度分布均匀，烘烤效果好。